夜雨聆风
光刻技术(英文 电子书)(免费下载)
《Optical Lithography: Here Is Why》（第二版）由SPIE出版、Burn J. Lin撰写，是光学光刻领域的经典著作更新版，既延续了初版对技术原理的深刻阐释，又因应行业进展补充了大量前沿内容，旨在为不同阶段的从业者提供“知其然更知其所以然”的知识支撑。
全书以“解释光学光刻各领域的工作原理”为核心目标——区别于“操作指南”式的说教，作者通过大量实例引导读者理解技术选择的底层逻辑：为何特定场景下用某类技术？为何另一些技术被淘汰？这种“重原理轻步骤”的写作思路，助力读者构建创新思维，更好应对技术改进与问题解决。
结构上，书籍从基础到前沿层层递进：开篇先明确光刻在集成电路制造中的核心角色（如0.13μm CMOS工艺需超30层掩模、212步曝光相关步骤），以及“边缘位置控制”这一终极目标（特征边缘需落在标称位置的公差内）；随后依次展开邻近成像（新增章节，覆盖无透镜系统的衍射分析、E-G图评估工艺窗口）、投影曝光系统（对比邻近与投影的差异，详解全晶圆场、分步重复、分步扫描及1X/缩小系统的演进逻辑）、图像形成（从球面波前的衍射极限解析分辨率与焦深关系，到Seidel/Zernike像差系数的直观讲解，再到空间频率、掩模图案成像的相干性分析）、光刻指标（重点阐述曝光-离焦（E-D）工具树的构建与应用，如替代Bossung曲线、组合多特征类型的公差分析）、硬件组件（光源、照明器、掩模、成像镜头、光刻胶等的核心参数与设计考量）、处理与优化（曝光工具优化、光刻胶工艺、k₁缩减技术如相移掩模与离轴照明、多重图案化、CD均匀性等），再延伸至沉浸式光刻（理论、偏振效应、系统组件及对半导体技术的冲击）与EUV光刻（光源、掩模、分辨率增强技术及可扩展性）。书中还新增附录详述衍射近似有效性的评估方法，帮助读者量化不同场景下的模型适用性。
第二版的更新极具针对性：新增的“邻近成像”章节回应了实验室低成本图案化的需求，补充了严格与近似衍射模拟、E-G图等内容；投影系统章节增加了分步扫描的掩模-晶圆运动细节，澄清“投影图像是否为镜像”的常见误解；图像形成章节重写了Zernike多项式部分，让光刻工程师更易理解像差概念；EUV章节几乎完全重构，反映了该技术近十年的快速发展；所有图表升级为彩色，提升了可读性。此外，作者结合退休后授课的经验，优化了内容的易懂性，既适合新人入门（建立技术认知框架）、资深从业者深化（补全原理短板），也满足管理者拓宽视野（把握技术脉络）的需求。
作为光学光刻领域的“知识火炬”，本书不仅系统梳理了从紫外到EUV的技术演进，更通过“讲清为什么”的写作方式，帮助读者跳出“按配方操作”的局限，真正掌握技术创新的底层逻辑——正如作者所言，“光刻技术有趣、值得实践与传授，而这本书的意义在于让知识得以传承”。无论是想入门光学光刻的新手，还是寻求深度理解的资深人士，或是需要把握技术方向的管理者，都能从本书中获得清晰的原理指引与实践启发。
