「灵境光启」:以创新光互联技术助力AI算力升级

技术介绍

电控硅光可调光衰减器（EVOA）和光开关芯片已经通过下游厂商测试，性能超越国外同类型产品，可打破国外垄断填补国内空白。

技术优势：带宽提升一倍，集成度提升7.5倍，响应速度提升60%，功耗降低30%。

调制器3dB带宽在50 GHz以上，Vpi在3V 以下，具备晶圆量产能力和整套PDK，从而实现基于铌酸锂的光子芯片集成。

技术优势：国内领先的晶圆级薄膜铌酸锂工艺，大幅降低生产成本，打破国外厂商的市场垄断，实现自主可控。

波导损耗在1dB/m以下，比目前主流硅光平台低两个数量级，与光纤的耦合损耗小于2dB，可支持在8寸产线的大规模流片。

技术优势：可支持更大的片上系统规模和噪声更低的高相干光源，显著降低制造成本。

实现了4寸晶圆尺度的砷化镓异质集成，成功展示了化合物半导体异质集成技术在光子集成芯片领域大规模应用的前景。

技术优势：实现光子集成芯片领域的技术工艺突破,拓宽光子集成芯片应用领域。

通过多材料体系的融合，实现不同材料器件间的超低耦合损耗，从而实现光子芯片的高度集成化和功能多样化，大幅减少应用系统的尺寸、功耗和成本，给相关领域产业链带来颠覆性革新。

技术优势：利用不同材料的优势，实现高性能光子系统的芯片化和低成本。