2026 年 8 月 12 日,arXiv 出现了一篇标题很猛的论文:HBF Sucks!。作者保留 Mooncake 风格的 KV 卸载路径,把后端 SSD 换成带宽更高、访问更近的 HBF。
结果却是系统变慢。论文作者报告,完整 HBF-1/HBF-2 组织的平均端到端时延上升 2–5.5 倍,最大 SLO goodput,也就是满足服务级别目标的有效吞吐,下降 1.1–2.7 倍。这些数字来自扩展 TokenSim 对生产来源轨迹的重放,不是 HBF 实物或客户商用部署的测量。
但这个反直觉结果仍然重要。它提醒业界,存储层的价值不能只看介质带宽。真正要算的是一笔系统账:读 I/O 在不在关键路径,每次写入能不能被后续读取偿还,标称带宽能不能在功耗和寿命预算内持续交付。

一场不对称的比较
HBF,即高带宽闪存,希望用 NAND 容量配合更宽的封装级接口,填补 HBM 和 SSD 之间的层级空缺。2026 年 8 月,SK hynix 与 Sandisk 通过 OCP 公开首份 HBF 标准规范,厂商给出最高 512GB 容量和约 0.4–3.0TB/s 带宽分级。这是标准化与路线图进展,还不是大规模商用证据。
论文测的也不是一颗独立 HBF 芯片对一块 SSD。作者比较的是完整系统组织:SSD 基线保留 GPU 附近的 HBM;HBF-1 用 GDDR7 作为近端层,HBF-2 虽然恢复 HBM,仍要让出部分封装空间和近端容量给 HBF。
以 H100 配置为例,SSD 基线的每卡近端层是 96GB HBM、3.0TB/s;HBF-2 变成 48GB HBM3e、1.5TB/s,HBF-1 则是 48GB GDDR7、1.344TB/s。HBF 加速了远端存储,但近端可同时承载的活跃请求变少,排队和重算压力随之上升。
所以,“HBF 比 SSD 慢”会误读论文。作者实际测的是一笔系统账:Mooncake 风格运行时获得了更快的闪存层,完整 HBF-1/HBF-2 组织却付出了更大的近端机会成本,结果为负。
第一问:读 I/O 真在卡住请求吗
存储加速只能优化暴露在关键路径上的 I/O。如果二级存储读取已经被预取、异步化或其他计算遮蔽,再快的媒介也只能改善很小一段时间。
论文把 HBF 读/写时延从 30/300 微秒扫到 8/80 微秒,介质延迟改善 3.75 倍。平均端到端时延只变化 0.75% 和 0.88%。作者据此反推,暴露在关键路径上的二级存储 I/O 约占 1%。
有一个对比很典型。在 GLM-5.2、traceA、B200、32 QPS 设置下,HBF-1 的累计连接器服务时间比 SSD 低 3.2 倍,平均每请求端到端时延却高 2.6 倍。连接器明明快了,队列却因近端容量下降而更不稳定。
这一问应验收“关键路径 I/O 暴露比例”(exposed I/O fraction)。峰值 GB/s 只是设备上限;没有暴露比例,就无法估算能有多少设备收益真正传到请求时延。
第二问:写进去的 KV,会被读回几次
NAND 的写入成本在对象进入 HBF 时就已经发生,价值要靠后续读取来偿还。稳定的模型权重、大量请求共用的前缀 KV,一次写入可以换来多次读取。私有 decode KV,也就是解码阶段为单个请求生成的 KV,生命周期短得多,往往会随请求结束而失去价值。
作者重放了四组完整的 2 小时轨迹。结果是,闪存层的写入量始终高于读取量,写/读比介于 1.14 和 4.90,有效读/写比仅为 0.20–0.88。同时,前缀命中率还有 38%–53%。
这两组数看起来矛盾,其实正好描述了多级缓存的分工。复用高度集中在少数热块,热块留在 HBM 或 GDDR 近端层,被挤到 HBF 的是大量低复用长尾。运行时正在正确地保护热数据,但它同时给 HBF 造出了一条写密集、读稀少的冷流。
评估 HBF 放置策略时,应该把“KV cache”继续拆开。权重、共享前缀、会话历史、私有 decode KV 是不同对象,寿命、复用和写入频率完全不同。一个“KV 命中率”无法替代对象级的读写账本。
第三问:峰值带宽能持续多久
高带宽 NAND 仍然是 NAND。写入比读取更慢、更耗能,存储单元还有有限的编程/擦除预算。堆叠之后,散热路径和局部热点又会改变能够持续交付的带宽。
论文用 3D-ICE 搭了一个 16-Hi TLC HBF 堆叠模型。在它的假设下,单堆叠在 202.27GB/s、53.72W 时触及 80℃ 温度上限,低于接口峰值。作者进一步模拟关闭高温闪存平面、把写入转向较冷区域的降频策略。
这不是一颗真实 HBF 在实验室里跑到 80℃ 的测温结果。HBF 尚未成为可公开采购的产品,未来封装布线、控制器和散热设计都可能改变边界。它证明的是评估方法:写密集负载下,标称带宽必须经过热稳态验证。
寿命账更直接。作者将轨迹重放的 HBF 写入量归一化到 48–140TB/日;在一个对 HBF 有利、写放大为 1 的 TLC 假设下,五年目标预算为 21.7TB/日。容量匹配的四块 KIOXIA CM7-V SSD 池按 3 DWPD 折算是 38.4TB/日。作者由此得到名义 HBF 寿命仅为 SSD 池 0.56 倍的估算。
这个估算同样属于模型,但它把一个容易被忽视的问题摆上桌面:SSD 控制器长期处理的逻辑到物理映射、写缓冲、垃圾回收、磨损均衡和坏块管理,在 GPU 可见的 HBF 层里要由基底、内存控制器、驱动或运行时重新承担。
论文给出的不是否定,是放置地图
论文标题很猛,结论其实比较克制。作者反对的是将 HBF 当成更快 SSD,在原有二级 KV 结构中直接替换。他们仍然认为 HBF 适合读密集、复用明确的对象,例如模型权重和高共享前缀。
因此,导入策略要从“换设备”转向“分对象”。运行时至少需要知道一块 KV 的复用概率、预期生命、写入成本和热区状态,再决定它应该留在 HBM、进 HBF、落 SSD,还是直接重算。
这也意味着,供应商给出 HBF 峰值带宽后,系统团队还需要索要四类证据:容量与带宽一起变化时的端到端队列曲线;按对象分类的读/写与复用分布;写密集流量下的稳态带宽与温度;面向目标年限的日写入预算。
对 AI 基础设施团队来说,这是一个比“快多少”更难的工程问题。数据放置、调度、温控和寿命管理需要共用同一套状态,任何一层只看自己的峰值指标,都可能把成本推给另一层。
这类问题也很难靠一个独立工具解决。对高保密的芯片与 AI 研发环境,更实用的路径是把知识、流程、权限和运行状态纳入同一条可审计的研发链路,并保留人工 review 节点。
写在最后
HBF 的战略价值没有被这篇论文结束。SK hynix 与 Sandisk 已经把 HBF 推进 OCP 标准化,说明产业正在为 HBM 和 SSD 之间的新层级建立接口。论文做的,是提前暴露一种容易发生的误用。
同类方案的终局判断可以压缩成三句话:读 I/O 必须真在关键路径上;读取收益必须足以偿还写入;系统必须在热和寿命约束下持续交付带宽。只有三问同时答对,更快的闪存才可能带来更快的推理。
作者:麒芯
声明:本文基于公开论文与厂商资料整理。论文结果包含模拟器输出和未来硬件模型,不代表商业部署结论,也不构成投资建议。
参考资料:
1. Zhuoran Li 等:《HBF Sucks! A Full-Stack Characterization of High-Bandwidth Flash for KV-Centric LLM Serving》
2. SK hynix:《SK hynix Unveils First HBF Standard Specifications with Sandisk, Presenting AI Memory Solutions at FMS 2026》
3. SK hynix:《SK hynix and Sandisk Begin Global Standardization of Next-Generation Memory HBF》

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