文档内容
石家庄市 2026 届高中毕业年级教学质量检测(二)
物理参考答案
一、单项选择题:本题共7小题,每小题4分,共28分。在每小题给出的四个选项中,只
有一项符合题目要求。
1 2 3 4 5 6 7
A D B B C D C
二、多项选择题:本题共3小题,每小题6分,共18分。在每小题给出的四个选项中,有
两个或两个以上选项符合题目要求。全部选对的得6分,选对但不全的得3分,有选错的得
0分。
8 9 10
BD AD ACD
三、非选择题:共54分。
11.(8分)
(1)150(2分) 6(2分,填写6.0、0~6同样给分)(2)①最小(2分)②乘积(2分)
12.(8分)
(1)越大(2分) (3) 0.4(2分) (4)5.0(2分) (5)偏大(2分)
13.(8分)
【解析】(1)(2分)对活塞进行受力分析得:
p S p S mg (1分)
1 0
解得:下部气体的压强 p 1.1105Pa (1分)
1
(2)(3分)假设升温过程中活塞未上升到腔体顶部,则气体做等压膨胀,根据盖-吕萨克
定律得:
hS h h S
1 1 (2分)
T T
1 2
解得:h2cm(1分)
h<hh 10cm,假设成立。
1
(3)(3分)活塞上升过程中,外界对封闭气体做功:
W p Sh(1分)
1
解得:W 11J
根据热力学第一定律:
U W Q(1分)
解得:Q26.5J(1分)
说明:其他解法正确可相应给分。
14.(14分)(1)(5分)物块B沿斜面向上做匀减速直线运动,设加速度大小为a ,根据牛
1
顿第二定律得:m gsinm gcosm a (1分)
B B B 1
解得:a 10m/s2
1
物块B经过时间t 与传送带共速,此过程发生的位移为x ,根据运动学公式得:
1 B1
v v at (1分)
B 0 11
1
{#{QQABaYwowwCQwoRACY5bAwEuCwmYsIGSLMgmxQASKAxLiRFABAA=}#}v v
x 0 B t (1分)
B1 2 1
解得:x 2.25m
B1
物块B继续沿斜面向上做匀减速直线运动,设加速度大小为a ,根据牛顿运动定律得:
2
m gsinm gcosm a
B B B 2
解得:a 2m/s2
2
物块B经过时间t 速度减为0,此过程发生的位移为x ,根据运动学公式得:
2 B2
v a t
0 2 2
v
x 0 t (1分)
B2 2 2
解得:x 1m
B2
则,物块B沿传送带上滑的最大位移为:x x x
B B1 B2
解得:x 3.25m(1分)
B
(2)(4分)物块A沿斜面向下做匀加速直线运动,设加速度大小为a ,由牛顿第二定律
A
得:m gsinm gcosm a
A A A A
解得:a 2m/s2
A
由位移公式可得:
1
A向下运动的位移:x a (t t )2(1分)
A 2 A 1 2
9
解得:x m
A 4
传送带向上运动的位移:
x v (t t )(1分)
0 0 1 2
解得:x 3m
0
物块A与传送带因摩擦产生的热量
Q m gcos(x x )(1分)
A 0 A
解得:Q21J(1分)
(3)(5分)碰撞前A的速度:
v a (t t )(1分)
A1 A 1 2
解得:v 3m/s ,B的速度为0
A1
A、B碰撞过程动量守恒,机械能守恒,所以
m v m v m v (1分)
A A1 A A2 B B2
1 1 1
m v2 m v2 m v2 (1分)
2 A A1 2 A A2 2 B B2
解得:v 2m/s
B2
对B由动量定理得:
Ft m v (1分)
B B2
解得:F 4000N(1分)
说明:其他解法正确可相应给分。
15.(16分)(1)(3分)设电子经加速进入磁场时的速度大小为v ,根据动能定理得:
0
1
eU mv2(1分)
2 0
2
{#{QQABaYwowwCQwoRACY5bAwEuCwmYsIGSLMgmxQASKAxLiRFABAA=}#}电子进入磁场后,洛伦兹力提供向心力做匀速圆周运动,如图,由牛顿第二定律得:
v2
evB m 0 (1分)
R
电子经磁场偏转后再匀速垂直打在沉积靶的上表面的左端点,到达x
轴上,如图甲所示,满足:2R3d
9ed2B2
联立解得:U (1分)
8m
25ed2B2
(2)(7分)当U 时,根据动能定理得:
2m
1
eU mv2 (1分)
2
e
解得:v 5dB
m
电子在磁场中做匀速圆周运动,设轨迹半径为r,由牛顿第二定律得:
v2
evB m (1分)
r
解得:r 5d
轨迹圆所对应的圆心角为37°,由图乙所示,当电
子打在沉积靶左侧时,由图中几何关系可得:
2x x3d
1
x rrcos370 d
1
即当电子在电场中运动的水平位移x d ,电子打
在沉积靶左侧(1分)
电子在所加匀强电场中做斜抛运动,其加速度大小
Ee
a
m
2vsin370
将斜抛运动进行分解及对称性,可得:xvcos370
a
8edB2
联立可得:E (1分)
m
由图乙所示,当电子打在沉积靶右侧时,由图中几何关系可得:
2x x5d
1
3
{#{QQABaYwowwCQwoRACY5bAwEuCwmYsIGSLMgmxQASKAxLiRFABAA=}#}x rrcos370 d
1
即当电子在电场中运动的水平位移x3d,电子打在沉积靶右侧(1分)
Ee
电子在所加匀强电场中做斜抛运动,其加速度大小a
m
2vsin370
将斜抛运动进行分解及对称性,可得:xvcos370
a
24edB2
联立可得:E (1分)
m
为使电子仍能打在沉积靶的上表面,电场强度E应满足的条件:
8edB2 24edB2
E (1分)
m m
25ed2B2
(3)(6分)当U 时,根据(2)问可知电子在在y>d区域匀强磁场中做匀速圆
2m
周运动,半径r=5d,电子在y<0区域匀强磁场中做半径为r 的匀速圆周运动,电子的速度
1
mv2
为v ,满足:Bev 1 (1分)
1
r
1
若电子打在沉积靶下表面的中点,电子水平方向的侧移量为4d,由图中几何关系可得:
4
{#{QQABaYwowwCQwoRACY5bAwEuCwmYsIGSLMgmxQASKAxLiRFABAA=}#}n(10d 2r)4d (1分)
1
1
E mv2(1分)
k 2 1
联立可得:
9e2B2d2
当n=1时,r =3d,电子动能E (1分)
1
k 2m
8e2B2d2
当n=2时,r =4d,电子动能E (1分)
1
k m
169e2B2d2
当n=3时,r = ,电子动能E (1分)
1
13d k 18m
3
n ≥ 4时,电子在打在沉积靶下表面中点前已经被沉积靶吸收,不能打在沉积靶中点。
说明:其他解法正确可相应给分。
5
{#{QQABaYwowwCQwoRACY5bAwEuCwmYsIGSLMgmxQASKAxLiRFABAA=}#}