夜雨聆风
随着AI服务器、高性能数据中心以及核聚变等前沿场景对功率器件提出更高要求，国产第三代半导体厂商正在迎来新的产业机会。
5月8日，宏微科技披露投资者关系活动记录表，公司自主研发的NCB SiC模块已通过海外主流AI服务器厂商整机认证，并实现小批量供货，意味着其产品正式切入高端算力电源供应链。与此同时，公司布局的高压SST（固态变压器）产品以及GaN器件，也正与国内外头部厂商开展联合研发和送样测试。
从行业角度来看，AI服务器正成为SiC和GaN器件的重要新增市场。相比传统服务器，AI训练集群功耗显著提升，单机柜功率持续向几十千瓦甚至更高迈进，这对电源系统效率、散热能力以及功率密度提出更高要求。SiC器件凭借高耐压、高频率和低损耗优势，正在从新能源汽车、光伏储能逐步向AI数据中心渗透，而GaN器件则更适用于高频、高效率的小型化电源场景。
宏微科技此次提到的NCB SiC模块，核心方向便是高功率密度电源。公司表示，目前相关产品已通过海外AI服务器厂商整机验证，并实现小批量供货，显示国产SiC模块正在进入国际高端算力产业链。
除了SiC模块，公司子公司宏微爱赛还完成了650V GaN HEMT芯片研发。GaN HEMT即氮化镓高电子迁移率晶体管，其优势在于开关速度快、损耗低，可进一步降低数据中心电源能耗。在当前AI算力快速增长背景下，数据中心能耗问题愈发受到行业关注，包括英伟达、谷歌等科技企业都在持续推进高效供电与液冷散热技术。
值得注意的是，宏微科技还透露，公司正与多家电源厂商及科研院所联合研发高压大电流SiC模块方案，应用方向聚焦国家级托卡马克核聚变装置。核聚变系统中的脉冲电源、磁场控制等环节，对功率器件的耐压、可靠性和瞬态响应能力要求极高，因此也被视为第三代半导体的重要潜在应用场景。
另一方面，公司自4月1日起已对部分非核心产品实施调价，平均涨幅约10%，原因主要是上游贵金属成本上涨。目前大部分客户接受度良好，也反映出功率半导体行业景气度仍维持在较高水平。
近年来，国内SiC产业链持续扩张，从衬底、外延到器件和模块环节均在加速国产化。除了新能源汽车主驱市场外，AI服务器、电网设备、工业电源、核聚变等新兴方向，也正在成为第三代半导体企业争夺的新高地。宏微科技此次披露的信息，某种程度上也反映出国产SiC与GaN器件正逐步从“车规验证”走向更高端、更复杂的国际应用场景。
