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AI 科普专栏 | 《eMRAM 存储芯片革命》第五期:深度拆解“寒序科技”凭什么领跑国内 8nm eMRAM 芯片

AI 科普专栏 | 《eMRAM 存储芯片革命》第五期:深度拆解“寒序科技”凭什么领跑国内 8nm eMRAM 芯片
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  • 导读

2026 年 5 月 7 日,一条消息刷屏了整个半导体和 AI 圈:中国寒序科技联合韩国 SEMIFIVE,成功完成亚洲首个 8nm eMRAM 边缘 AI芯片流片。很多人问:寒序科技是谁?为什么是它第一个做出了 8nm eMRAM AI 芯片?它的技术到底有多强?

今天的第五期,我们一起来做一个全面的深度拆解。


一、寒序科技基本概况

  • 成立时间:2023 年 8 月 18 日(至今不到3年
  • 技术源头北京大学物理学院应用磁学研究中心(前身是 1955 年成立的北京大学磁学教研室,拥有近 70 年磁学研究积淀
  • 总部与研发中心:北京总部,粤澳横琴深度合作区研发中心,威海测试中心
  • 团队规模:约 20 余人,核心成员多为 90 后,横跨凝聚态物理电子科学计算机技术人工智能等多领域。
  • 核心团队

  1. CEO 朱欣岳:北京大学物理学院光电磁材料与器件硕士,兼具凝聚态物理人工智能算法集成电路交叉背景。
  2. 首席科学家罗昭初:MIT TR35 入选者,曾于清华大学、苏黎世联邦理工学院从事自旋电子学与磁性计算研究
  • 融资历史(截至 2026 年 5 月):

  1. 2023 年:种子轮,数百万元。
  2. 2025 年 5 月:天使轮,数千万元,彼岸时代、源合资本。
  3. 2025 年 9 月:Pre-A 轮,数千万元,启高资本、赛意产业基金。
  4. 2026 年 3 月:A 轮,数千万元,启高资本、赛意产业基金。


二、寒序科技的核心技术体系

寒序科技国内唯一拥有从物理、材料、器件到异质集成、芯片设计、算法全链条研发能力磁计算企业。

  • 自主可控的 MRAM 底层技术:
  1. 完全自主研发 MRAM 比特单元,针对 AI 推理场景进行了高度定制化优化。
  2. 自主设计低功耗驱动电路和高带宽读出电路解决了 MRAM 读取速度慢的传统短板
  • "MRAM+SRAM" 混合存储架构,这是寒序科技 8nm 芯片最核心的技术创新:
  1. 用 eMRAM 替代传统 AI 芯片中占比超过 70% 的片上 SRAM
  2. 保留少量高速 SRAM 作为计算缓存。
  3. 相同芯片面积下,存储容量提升 3 倍以上
  • 近内存处理 (PNM) 架构:
  1. 将计算单元与 eMRAM 存储单元物理上紧密集成。
  2. 大幅减少数据搬运的距离和能耗
  3. 专门加速 Transformer 推理中的关键算子。
  4. 数据搬运能耗比传统冯・诺依曼架构降低 30% 以上


三、最新里程碑:亚洲首个 8nm eMRAM AI 芯片

  • 发布时间:2026 年 5 月 7 日
  • 合作方韩国三星生态设计伙伴 SEMIFIVE
  • 代工工艺:三星 8LPU(8nm 低功耗)eMRAM 工艺
  • 行业地位亚洲首个 8nm eMRAM 商业化部署案例
  • 技术分工(创新合作模式):

  1. 寒序科技技术主导方):全程主导 MRAM 比特单元、外围电路、高带宽读出电路以及大模型推理算子加速等所有底层核心技术研发
  2. SEMIFIVE负责后端硅实现与 MPW(多项目晶圆)流片支持。
  3. 三星电子:提供 8nm eMRAM 工艺代工
  • 核心性能参数

  1. 支持20 亿参数大模型端侧本地运行无需连接云端
  2. 流畅完成文本摘要、机器翻译、对话推理等实用 AI 任务
  3. 相同推理任务下,功耗比传统基于 SRAM 的边缘 AI 芯片降低 30% 以上
  4. 断电后数据不丢失,设备启动速度提升 10 倍以上。
  • 量产计划

  1. 2026 年 5 月:已完成流片,交付 MPW 原型,进入功能和性能验证阶段
  2. 2026 年 Q4-2027 年 Q1:预计实现小批量量产
  3. 2027 年 Q2:开始大规模供货


四、目标应用场景

寒序科技的 8nm eMRAM AI 芯片主要面向以下高价值边缘 AI 场景

  1. 人形机器人本地决策系统
  2. AI PC 与智能终端私人 AI代理。
  3. 车载半导体(自动驾驶感知与决策、智能座舱语音交互)。
  4. 工业物联网(工业机器人、智能传感器、边缘计算网关)。
  5. 智能家居(离线语音识别、本地人脸识别)。


五、未来技术路线图

1. 短期 (2026-2027 年):完成 8nm 芯片验证和量产,推出 SpinPU-E 系列衍生产品
2. 中期 (2028-2029 年):基于三星 5nm eMRAM 工艺开发下一代芯片,支持 70 亿参数大模型端侧运行
3. 长期 (2030 年后):研发 SOT-MRAM 技术,实现真正的存内计算,成为下一代通用人工智能的核心硬件基础

  • 结语

寒序科技的突破,标志着中国在先进存储与存算架构领域首次实现与国际巨头并跑

  • 参考资料

  1. 寒序科技官方公告. 《寒序科技完成亚洲首个 8nm eMRAM 边缘 AI 芯片流片》, 2026 年 5 月 7 日

  2. 北京大学物理学院官网. 《应用磁学研究中心成果转化》, 2026 年 5 月

  3. 企查查。寒序科技工商信息与融资历史,2026 年 5 月

  4. SEMIFIVE 官方新闻. 《SEMIFIVE 与寒序科技合作完成 8nm eMRAM AI 芯片流片》, 2026 年 5 月 7 日

  5. 赛意产业基金官方公众号. 《投资寒序科技:布局磁计算与存算一体》, 2026 年 3 月

关键词:eMRAM AI芯片 存算一体 内存墙 寒序科技

标签:#AI资讯#eMRAM#AI芯片#内存墙#寒序科技


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