夜雨聆风毫无悬念，长鑫科技科创板IPO上会通过了，快的话估计6月份就会亮相，一个超级IPO，预祝大家都能中签。
存储DRAM一季度数据公布，三星全球占比40.5%，海力士占比29.6%，美光占比19.9%，长鑫科技全球第四，占比7.7%，威武。
近期大摩对英伟达下一代Rubin机架的BOM进行了拆解，有一个环节的价值增幅远超PCB、MLCC和ABF基板等。
它正是内存——BOM价值暴增435%，从GB300的约37万美元飙升至VR200的约200万美元，是整份报告中增幅最大的单项。
更关键的是结构层面的变化。
内存占比从上一代的5%–10%跃升至25%–30%，直接压缩了GPU在BOM中的份额，从约65%降至约51%。这标志着AI服务器价值体系正从“唯GPU论”向“存算并重”转变——内存不再只是配套的“配角”，而是整个机架中成本占比最高的单项品类之一。
从配置参数来看，每颗Rubin GPU搭载288GB HBM4内存，每颗Vera CPU配备1.5TB内存，单机架内存总容量达到数十TB级别，相较前代产品实现了跨越式增长。
01 技术驱动：HBM4时代全面开启
1.从HBM3E到HBM4：英伟达GPU的存力跃迁
英伟达GPU路线图清晰地展示了HBM的迭代路径。2025年推出的Blackwell Ultra GPU采用8颗HBM3E 12H；2026年推出的Rubin GPU将首次搭载8颗HBM4；2027年推出的Rubin Ultra GPU则将集成12颗HBM4。Rubin Ultra还将进一步升级为加强版HBM4E内存，每个节点包含四颗Rubin GPU，升级至1TB HBM4E内存，FP4浮点性能高达100PFlops。
HBM4单颗堆叠层数增至12层乃至16层，容量翻倍至48GB–64GB，带宽跃升至1.5TB/s以上。GPU的算力提升必须匹配等比例的“存力”，否则数据供给跟不上计算速度，算力即是空转。
与HBM3E 8层相比，HBM4 12层在核心指标上实现了全面跃升：单颗容量从24GB翻倍至48GB以上，带宽从约1.2TB/s提升至超过1.5TB/s，堆叠层数从8层增至12层乃至16层。层数增加意味着晶圆消耗量翻倍，单颗价值量随之跃升，进一步推高了内存在整个机架BOM中的成本占比。
2.为什么AI服务器“吃内存”这么凶？
AI大模型训练是一个“数据饥渴”的过程。在万亿级参数规模下，模型参数、优化器状态、KV Cache均需常驻内存。GPU算力每提升一倍，所需内存容量和带宽必须以同等甚至更高比例同步增长。
以GB200 NVL72为例，单机架HBM总容量约150GB×72颗≈10.8TB。而VR200每颗GPU搭载288GB HBM4，同样72颗GPU下总容量超过20TB，翻了一倍。SemiAnalysis指出，内存目前已占超大规模数据中心新增资本支出的很大一部分，这一趋势仍在加速。
02 供需格局：结构性缺口持续扩大，“HBM黑洞效应”加剧
1.三大品类缺口齐创15年之最
高盛在多次研报中持续强化“超级周期”判断，认为2026–2027年存储芯片行业供需缺口将持续扩大，DRAM、NAND、HBM三大品类的缺口均达到近15年以来最严重水平。高盛将2026年DRAM供需缺口预期从3.3%大幅上调至4.9%，2027年缺口将维持在2.5%。
HBM缺口更为突出。据SemiAnalysis数据，2026年HBM供给缺口约6%，2027年扩大至9%。SEMI中国总裁在公开演讲中进一步指出，尽管三星、SK海力士、美光三大原厂已将70%的新增/可调配产能倾斜至HBM，但HBM产能缺口仍高达50%–60%。换言之，即使三大厂全力扩产，短期仍远不能满足AI芯片对HBM的爆发式需求。
2.“产线黑洞”效应：HBM吞噬通用DRAM产能
HBM之所以造成如此严重的供给冲击，根源在于其极低的晶圆效率。
HBM是通过硅通孔（TSV）将多层DRAM芯片垂直堆叠而成，单颗HBM4消耗的晶圆面积是等容量DDR5的3至4倍。美光明确表示HBM的晶圆消耗是DDR5的三倍以上。到2026年底，全球DRAM前端HBM专属产能将达到50万片/月。
这些产能几乎全部从通用DRAM产线“挤占”而来。因此，AI推动的HBM需求激增，其影响远超HBM本身——它不断吞噬晶圆产能，从而挤压DDR5、LPDDR等通用DRAM的供给，引发全品类的供应紧张。这正是本轮“存储超级周期”的根本特征：AI挤占高端产能→通用产能被压缩→全品类涨价。
3.产能扩张节奏滞后
三大原厂正在加速扩产，但几乎所有新增产能至少要等到2027年甚至2028年才能投入使用。SK海力士清州M15X工厂已于2026年2月量产HBM，年底月产能预计达5.5万至6万片，但这是2026年唯一投产的新产线。三星和美光的新增产能预计要到2027–2028年才能释放。
美光计划2027年在美国爱达荷州和新加坡启动HBM生产，并于5月在日本广岛建设新厂，目标2028年实现量产。三星龙仁新生产基地首座工厂将于2027年2月投产。
日产经数据显示，2026年和2027年的DRAM产量须保持每年12%的增长才能满足市场需求，但据Counterpoint Research数据，实际产量的增幅仅为8%左右。产能释放的节奏远跟不上需求的增速。
国产HBM核心力量：长鑫科技的加速追赶。
国产存储龙头长鑫科技2023年进入HBM领域，仅三年便实现12层堆叠HBM量产，与三星、SK海力士的技术差距缩短至不到三年。公司月产能可达6万片晶圆，已向华为等客户交付HBM3样品。
长鑫科技正在推进科创板IPO，拟募资295亿元专项用于新建HBM生产设施。其崛起正带动北方华创、拓荆科技、雅克科技、深科技等A股企业形成完整的国产存储产业链生态。
03 涨价周期：HBM4大幅涨价，长单锁价常态化
1.价格全面上行
供需错配的最直接后果就是涨价。据韩媒报道，HBM4内存价格较上一代产品大幅上涨约三成。三星电子2026年Q2 DRAM合约价平均上调30%，覆盖HBM、服务器、PC及移动全品类，这是继一季度近翻倍暴涨后的再度大幅提价。
英伟达已提前锁定2026年的HBM价格与产能。摩根士丹利指出，即便内存价格急速上升，英伟达毛利率仍相对有支撑，供应端的涨价压力更多转嫁到谈判能力较弱的其他终端产品上。
2.长协锁价成为行业常态
云厂商和AI公司“抢产能、签长单”已成为行业新常态。2026年三大原厂资本开支虽同比大幅增长，但新增晶圆产能高度集中于HBM，几乎全部集中在三星P4、SK海力士M15X、美光A3三大基地。内存厂商已从过去的“客户议价”转向“分配产能”模式。
3.超级周期延续至2028年
美光CEO在2026年4月的表态进一步坐实了“超级周期”的长期性：2027年全年仍严重供不应求，2028年才可能缓和，DRAM价格强势将贯穿2026–2027年，不会快速见顶。
五大投行形成了罕见共识：史上最强存储周期已全面到来。2026年存储产业总产值预计同比增长134%至5516亿美元；HBM市场规模2026年预计达540亿美元（同比增长62%），2027年将增至750亿美元。
04 市场规模与机构展望
瑞银：大幅上调HBM需求预测
瑞银在最新报告中将2026年HBM终端比特需求从315亿Gb上调至329亿Gb（同比增长88%），2027年从539亿Gb大幅上调至580亿Gb（同比增长76%），主要修正来源是谷歌TPU采购量假设的提升。瑞银预测三星2026年HBM出货97亿Gb（同比+124%），2027年上调至230亿Gb（同比+137%），三星市占率有望追平SK海力士。
广发证券：AI服务器用DRAM为下游最大增量
据TrendForce数据，受益于AI服务器部署节奏加快，预计2026年DRAM需求增速为26%。若VR200出货量达1400万颗，对应DRAM容量需求约14.78EB，AI服务器正成为DRAM需求增长的最大下游应用。
招商证券：行业景气有望延续至2027年
招商证券指出，长协锁单彰显紧缺延续，2026年DRAM供给低于需求约7%。新增晶圆产能高度集中于HBM，NAND几乎无实际晶圆增量。这一判断与高盛、美光的观点高度一致。
市场规模
据五大投行共识预测及TrendForce、广发证券、SEMI等机构数据，HBM市场规模预计将从2026年的约540亿美元，同比增长62%后，在2027年进一步增至约750亿美元，同比增速约39%。同期，受益于AI服务器部署节奏加快，DRAM总需求增速预计在2026年达到约26%。
05 产业链核心标的
1.国产HBM制造核心——长鑫科技
长鑫科技：国内唯一实现通用型DRAM大规模量产的IDM企业，DRAM全球市场份额约7.67%，位列全球第四、中国第一。2023年进入HBM领域，仅三年便实现12层堆叠HBM量产，月产能可达6万片晶圆。成功上市后，将成为A股“存储芯片第一股”。
兆易创新：国内NOR Flash和DRAM龙头，DRAM产品线加速向服务器领域拓展，受益于通用DRAM涨价周期。
北京君正：国内车载DRAM龙头，DRAM产品覆盖DDR2/DDR3/DDR4，受益于AI边缘计算及通用DRAM涨价。
2.存储模组
江波龙：国内存储品牌与模组龙头，产品覆盖企业级SSD、服务器内存条，直接受益于AI服务器存储扩容。
佰维存储：嵌入式存储与工控存储模组厂商，受益于通用DRAM与NAND涨价周期。
3.先进封装——HBM的“钢筋水泥”
HBM通过TSV硅通孔技术将多层DRAM芯片垂直堆叠，先进封装是HBM制造的核心瓶颈。
长电科技：国内封测龙头，2026年固定资产投资预算约100亿元，重点投向2.5D/3D晶圆级封装及高密度异构集成，精准卡位HBM封装需求。
通富微电：与AMD深度合作的先进封装厂商，布局2.5D/3D封装技术，受益于AI芯片与HBM封装协同需求。
甬矽电子：先进封装新锐，聚焦晶圆级封装与系统级封装，受益于HBM封装技术迭代。
深科技子公司沛顿科技是国内最大的独立DRAM内存芯片封测企业，也是长鑫存储最大的委外封测供应商。
4.封装材料——HBM的核心耗材
宏昌电子：ABF增层膜材料布局者，同时切入HBM封装所用的环氧树脂材料领域。
联瑞新材：硅微粉龙头，产品用于先进封装底部填充材料，是HBM封装核心耗材之一。
德邦科技：电子级环氧树脂与封装材料供应商，受益于HBM封装对高端材料需求增长。
雅克科技：前驱体/SOD材料龙头，HBM堆叠层数增加直接拉动前驱体用量，受益弹性显著。
5.封装设备与前道设备
拓荆科技：国内PECVD/CVD设备龙头，薄膜沉积设备是TSV工艺关键设备。
精智达：国内DRAM制程测试和后道测试龙头，与长鑫存储建立了良好合作。
芯碁微装：LDI激光直接成像设备龙头，先进封装光刻环节核心设备供应商。
华峰测控：半导体测试设备龙头，HBM堆叠层数增加带动测试环节价值量提升。
北方华创：国内半导体设备龙头，是长鑫科技刻蚀与薄膜沉积设备的核心供应商之一。
6.接口芯片——连接GPU与HBM的关键桥梁
澜起科技：全球内存接口芯片龙头。DDR5 RCD和MDB芯片直接受益于AI服务器DDR5渗透率提升。
聚辰股份：SPD EEPROM供应商，与澜起科技形成互补，受益于DDR5升级周期。
7.CXL方向——打破“内存墙”的未来方案
CXL（Compute Express Link）是实现内存池化和扩展的关键互连技术，被视为突破AI“内存墙”的重要方向。Marvell已推出下一代CXL交换芯片，支持16或32个CPU/GPU、最高48TB共享内存和4TB/秒累计带宽，预计2026年Q3开始送样。
三星计划2026年Q4推出下一代CXL内存模块，面向AI服务器应用。CXL允许多个处理器更高效地共享池化内存资源，对AI基础设施日益重要。
06 关键时间窗口
2026年H1：HBM3E 12H在Blackwell Ultra上量产出货，HBM需求进入集中释放期。
2026年H2：英伟达Rubin平台搭载HBM4量产出货，单机架内存容量翻倍，供需缺口加速扩大；长鑫科技12层HBM计划全面量产，国产HBM正式进入市场。
2027年：Rubin Ultra搭载12颗HBM4/4E，单GPU内存容量达1TB，HBM需求再上台阶，三星、美光新增产能开始释放但难以填补缺口。
2028年：HBM5有望在Feynman架构中首次采用，供需紧张格局预计开始缓和。
07 风险提示
地缘政治风险：HBM产能高度集中于韩国和中国台湾，地缘政治因素可能影响全球供应链稳定性。
技术迭代风险：HBM4向HBM4E再到HBM5的代际升级涉及TSV精度、堆叠层数、散热方案等多个技术瓶颈，良率爬坡周期可能长于预期。
下游资本支出周期性波动：若AI应用商业化进程低于预期，云厂商资本支出节奏存在回调可能，将直接影响存储芯片需求。
国产替代进展不确定：国内企业在HBM核心领域与国际龙头仍有代际差距。长鑫科技虽已启动12层HBM量产，但当前生产良率仍低于韩国竞争对手，后续量产节奏及良率爬坡情况仍需持续跟踪。
08 结语
内存是AI算力竞赛中增长最猛、缺口最大、涨价最确定的一环。
这轮元器件板块中，“PCB弹性最大，MLCC增量最强，ABF最吃大芯片升级，内存则是BOM占比跃升最大的底层硬件”。
从大摩BOM报告中435%的惊人价值增量，到高盛与美光判断的“超级周期延续至2028年”；从HBM4全面量产开启新一轮技术迭代，到三星Q2合约价再涨30%；从长鑫科技三年内实现12层HBM量产突破，到其即将登陆科创板开启新一轮扩产周期——多重推力正在将内存推向一个比此前任何一轮周期都更为强劲的景气上行阶段。
当前全球HBM市场竞争格局高度集中：SK海力士约45%、三星约38%、美光约12%，三家合计掌握约95%份额。
国内厂商方面，长鑫科技作为国产DRAM龙头，正以12层HBM量产为起点加速追赶。
与此同时，A股中围绕先进封装、封装材料、封装设备、前道设备及接口芯片等环节的本土企业，正随着长鑫科技的扩产步伐，构建起日益完整的国产存储产业链生态。
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