AI 产业链投研系列
总纲 · 硬件与基础设施层 · 研究框架与路线图
内部研究备忘录(Series Charter)编制:于一日期:2026-06-14
使用说明 本文件为整个 AI 算力产业链投研系列的纲领,定义组织逻辑、模块边界、子报告拆分与研究顺序,本身不构成对单一环节的结论。 后续每篇深度报告沿用本文件第四节的统一模板,并落到一个可证伪的核心判断。系列内容基于公开信息与第一性原理推演,不构成投资建议。 |
一 研究纲领:这个系列为什么这样组织
产业链梳理最大的失败模式,是变成一张漂亮但不产生任何决策的地图——读完很充实,却推不出任何买卖判断。本系列只服从一条组织原则,以避开它:
关键判断 本系列的目的不是画全产业链,而是系统性定位“市场共识可能错”的环节。描述性内容只是背景;每一篇必须落到一个可证伪的核心判断,并写明该判断的失效条件。 |
由此,每个环节用两个轴定位,决定它是否值得深挖、以及挖出来是否有 α:
PCB 先导篇已验证这套框架:制造成板端价值低但确定性高,载板/树脂端价值高但替代极难——把“做得最多”当成“做得最难”,正是这一层叙事错误的根源。这条逻辑贯穿全系列。
二 系列范围与模块地图
范围:接下来的几篇文章将覆盖硬件层(模块 1–7)与基础设施层(模块 8–9),共九个模块。暂不纳入软件/模型/应用层——后者更完整但更偏定性、更难证伪,留待硬件与基础设施铺完后另立系列。
α 评级说明:高=信息不对称大且有活跃争议,可即刻产出可交易判断;中=被市场低估的纵深,需铺垫后显现预期差;低=共识充分、定价透明,深挖性价比低,做成结构/背景篇即可。
模块 | 环节 | 价值链定位(价值/护城河落点) | 中国卡位 | α 评级 |
1 | 算力芯片 | 全链价值与护城河最高(CUDA 生态) | 受制于制造与 HBM,差距大 | 低(做轻) |
2 | 先进制造与封装 | 卡产能而非卡技术(CoWoS 瓶颈) | 封装可替代,制程受限 | 低 |
3 | 存储 / HBM | 第二咽喉,三巨头垄断 | 起步,HBM 差距显著 | 高 |
4 | 互联 | 价值分散,光模块价值上行 | 光模块全球领先 | 高 |
5 | 基板 / PCB / CCL / 材料 | 中等卡位,越上游越值钱 | 成板主导,材料在突破 | 高(主场) |
6 | 供电与散热 | 功率密度催生的新增价值 | 液冷卡位较好 | 中 |
7 | 上游设备 / EDA | 护城河最深(EUV / EDA) | 最硬约束所在 | 低(结构篇) |
8 | 数据中心 / IDC | 重资产,回报取决于利用率 | 运营与建设链具规模 | 中 |
9 | 电力与能源 | 被低估的真实约束 | 发电与电网具优势 | 中 |
三 按 α 排序的研究路线
硬件内部不按物理栈顺序推进,而按 α 可得性排序:先做认知优势大、且当前有活跃争议的环节,把共识最充分的算力芯片层做轻。
批次 | 模块 | 选择理由 |
第一批 | 5 材料 → 4 互联 → 3 HBM | 认知优势 × 活跃争议;材料层手握 M9 认证等未解渠道问题,能即刻产出可交易判断。 |
第二批 | 6 散热 → 8 IDC → 9 电力 | 被市场低估的纵深;功率与电力约束往往藏着最大预期差。 |
背景篇 | 1 芯片 → 2 制造封装 → 7 设备/EDA | 共识充分、定价透明(或中国侧短期变化慢);做成结构/背景篇,不投入最大精力。 |
风险提示 把算力芯片层做轻,是因为其共识最充分、定价最透明,不是因为它不重要——若 CUDA 护城河或自研 ASIC 趋势出现拐点,需立即回补该模块。 研究顺序应服从认知优势而非市场热度。最热的环节通常预期差最薄;警惕被叙事节奏带着跑、在高共识处投入过多精力。 |
四 每篇的统一报告模板(八问)
为保证系列是一个整体而非散文集,每篇深度报告均按同一套八问展开,使各篇可横向对比、最终拼出全局价值分布图:
# | 环节 | 要求 |
1 | 这一层是什么 / 技术瓶颈在哪 | 第一性原理拆解,不抄定义。 |
2 | 价值链定位 | 价值在哪沉淀,谁拿走利润。 |
3 | 竞争格局与护城河厚度 | 集中度、替代难度、转换成本。 |
4 | 中国卡位与国产化真实进度 | 主动证伪营销叙事,区分“在突破”与“已突破”。 |
5 | 核心可证伪判断 + 失效条件 | 本篇落点;写明什么证据会推翻它。 |
6 | 关键催化剂 / 验证 checkpoint | 要追踪的数据与时间节点。 |
7 | 估值与错误定价 | 共识在哪可能错,α 从何而来。 |
8 | 标的与风险 | 受益标的、相对卡位与下行风险。 |
五 三条纵贯线(贯穿每一篇)
以下三个问题不单独成篇,而在每一篇里反复回答——它们才是决定多年持仓方向的结构性变量:
六 各模块子报告拆分(研究路线图)
下表是系列的执行蓝图。模块按 α 优先级排列(第一批在前),每个模块拆为多篇子报告,逐篇落地。
第一批 · 认知优势 × 活跃争议
模块 5 · 基板 / PCB / CCL / 材料 [α 高 · 主场 · 拆分最细]
本系列的认知主场。越往上游(材料)信息不对称越大、价值越高、替代越难,也最可能存在被低估的结构性 α。
子报告 | 核心研究落点 |
5.1 高多层 PCB | 沪电股份、生益电子;AI 主板与加速卡用板的层数升级与价值量跃升。 |
5.2 高速 CCL | 生益科技、南亚新材、台光电子;M8→M9 代际切换的卡位与认证壁垒。 |
5.3 上游材料 I:石英电子布(Q布)/ 玻纤布 | 菲利华、东材科技、宏和;Q布 是否取得 M9 CCL 正式认证为最高优先级未解问题。 |
5.4 上游材料 II:树脂 / 铜箔 | M9 树脂、电子级树脂、高端电解/载体铜箔的国产化边界。 |
5.5 ABF 载板与味之素树脂 | 真正的咽喉:日台韩垄断载板、味之素垄断树脂;逐条证伪“国产替代已突破”叙事。 |
模块 4 · 互联 [α 高 · 中国全球领先]
价值分散但快速上行的一层,且是中国少数在全球处于领先地位的环节,预期差与可验证性兼具。
子报告 | 核心研究落点 |
4.1 光模块 | 中际旭创、新易盛、天孚通信;800G→1.6T 节奏与中国全球份额的持续性。 |
4.2 光芯片与上游 | EML、硅光、CW 光源;上游芯片国产化是光模块龙头的真实软肋还是已解? |
4.3 交换芯片与 Scale-out | 博通主导;以太网 vs InfiniBand 之争与白盒交换机的价值迁移。 |
4.4 Scale-up 与铜连接 / CPO | NVLink 私有协议、铜缆、共封装光学(CPO)对光模块的潜在替代与时点。 |
模块 3 · 存储 / HBM [α 高 · 第二咽喉]
仅次于 GPU 的供给瓶颈,三巨头垄断、技术代际清晰,国产化争议大,是高信息不对称环节。
子报告 | 核心研究落点 |
3.1 HBM 格局与代际 | SK 海力士 / 三星 / 美光;HBM3E→HBM4 的份额、定价与产能分配。 |
3.2 HBM 工艺上游 | TSV、混合键合、测试与设备;价值是否正从颗粒向工艺与设备迁移。 |
3.3 中国存储国产化 | 长鑫 CXMT、长存;DRAM 进度与 HBM 的真实差距,区分宣传与量产。 |
第二批 · 被低估的纵深
模块 6 · 供电与散热 [α 中]
功率密度爆炸催生的新增价值层。随单机柜功率从风冷拐向液冷,价值份额快速上行。
子报告 | 核心研究落点 |
6.1 液冷 | 英维克等;冷板 / CDU / Manifold;风冷→液冷拐点的渗透节奏与价值量。 |
6.2 供电架构 | BBU、电容、VRM;48V→800V HVDC 演进对供电链价值的重塑。 |
模块 8 · 数据中心 / IDC [α 中]
重资产环节,回报由利用率与折旧节奏决定。市场常误把订单当利润,是经济学最易被低估之处。
子报告 | 核心研究落点 |
8.1 IDC 运营与算力租赁经济学 | capex、折旧、利用率、上架率与真实回报率;租赁模式的久期与定价权。 |
8.2 数据中心建设链 | 机柜、温控、配电与工程总包;建设景气向哪些环节真实兑现。 |
模块 9 · 电力与能源 [α 中 · 易被忽略的约束]
AI 的物理上限往往不是芯片而是电力。这一层是多数算力叙事忽略的真实约束。
子报告 | 核心研究落点 |
9.1 AI 电力需求与电网瓶颈 | 数据中心负荷增长、并网与电网扩容;约束兑现的时间与地域分化。 |
9.2 发电与备电 | 核电、天然气、储能、柴发与 BBU;电力来源结构对成本与久期的影响。 |
背景篇 · 共识充分(做轻 / 结构篇)
模块 1 · 算力芯片 [α 低 · 做轻]
全链价值与护城河最高,但共识最充分、定价最透明。做成背景篇厘清结构,不投入最大精力。
子报告 | 核心研究落点 |
1.1 NVIDIA:CUDA 护城河与路线图 | Blackwell / Rubin 节奏;CUDA 软件生态护城河的可持续性与裂缝。 |
1.2 ASIC 替代路线 | 博通、Google TPU、亚马逊 Trainium;超大厂“去 NVIDIA 化”的边界与节奏。 |
1.3 中国算力芯片 | 昇腾 / 寒武纪 / 海光;制程、HBM、生态三重约束下的真实天花板。 |
模块 2 · 先进制造与封装 [α 低]
卡的是产能而非技术。CoWoS 产能是 GPU 供给的真实闸门,封装可替代性高于制程。
子报告 | 核心研究落点 |
2.1 台积电与先进制程 | 制程领先与定价权;先进节点的客户集中度与议价结构。 |
2.2 CoWoS / SoIC 先进封装 | GPU 供给的真实瓶颈;产能扩张节奏与对上游材料的拉动。 |
2.3 中国封装产业链 | 长电、通富微电、甬矽;先进封装国产替代的可行边界。 |
模块 7 · 上游设备 / EDA [α 低 · 结构篇]
护城河最深的一层(EUV、EDA),也是中国最硬的约束。A 股可投标的覆盖充分,做成结构篇。
子报告 | 核心研究落点 |
7.1 光刻 | ASML 的 EUV 垄断;中国在最先进节点的硬约束与变通路径。 |
7.2 刻蚀 / 沉积 / 量测 | AMAT / Lam / TEL;中微、北方华创的替代边界与天花板。 |
7.3 EDA | Synopsys / Cadence;华大九天、概伦的覆盖度与差距。 |
夜雨聆风