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【重要声明】
本文仅为产业技术与行业趋势科普,不构成任何投资建议。不推荐任何股票、不预测价格、不指导操作。市场有风险,投资需独立判断、自负盈亏。
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后台有朋友留言问:"利基存储价格同比暴涨288%,SLC NAND半年涨130-150%,这跟2017-2018那轮存储涨价有什么本质区别?是周期反弹还是真的结构性长牛?"
这个问题切中了当前存储行情最核心的认知差——这轮涨价不是"周期性反弹",而是"AI虹吸引发的供给绝对刚性":原厂产能向HBM和DDR5倾斜,成熟制程供给被被动压缩,消费终端确认涨价使存储全面进入卖方市场。当苹果CEO库克公开表示"涨价不可避免",当下一代头部智能手机单机存储成本承压约270美元——信号已经非常明确:存储涨价的阻力不再是下游接受度,而是供给端的刚性约束。当前行情正从"涨价预期"切换至"Q2与Q3利润弹性的实质兑现"。👇👇👇

一、核心要点

二、产业逻辑深度拆解
(一)第一条主线:AI虹吸70%先进产能——供给绝对刚性的根源
底层逻辑:这轮利基存储涨价的根源不是"需求爆发",而是"供给被虹吸"。三星、美光、SK海力士三大存储巨头将产能大规模转向HBM和高层数3D NAND等高附加价值产品——AI算力对先进存储的"虹吸效应"直接抽走了70%以上的先进产能,留给NOR Flash、SLC NAND等利基型存储的成熟制程产能被被动压缩。更关键的是,这种产能转移是不可逆的:HBM的资本开支已锁定多年合同(英伟达/谷歌/亚马逊长协),原厂不可能为了利基存储的短期涨价而回拨产能。供给的绝对刚性,是这轮行情与2017-2018周期性反弹的本质区别。
产业验证:
三星、美光、SK海力士大幅削减成熟制程产能,转向HBM及DDR5 AI算力虹吸70%以上先进产能,留给利基存储的成熟制程被动压缩(据今日头条2026年6月15日) 2026年上半年SLC NAND合约价累积涨幅130-150%,NOR Flash涨幅超100%(据集邦咨询2026年6月16日) 利基型存储产品价格同比暴涨288% SK海力士高盛电话会明确:存储行业已全面进入卖方市场,DRAM及NAND库存仅剩约4周(据中国闪存市场2026年2月25日) 原厂停产部分成熟型号,结构性缺货而非全行业缺货
(二)第二条主线:消费终端确认涨价——成本传导阻力消除,卖方市场确立
底层逻辑:存储涨价能否持续,核心取决于下游能否接受。过去,手机厂商对存储涨价有很强的话语权——"你涨我就换供应商"。但现在不同了:三大原厂同步减产利基产品,全球供给收缩是结构性的,不存在"换供应商"的可能。更关键的是,存储芯片在手机BOM成本中占比从12%飙升至20%以上,但下一代头部智能手机单机存储成本承压约270美元——苹果CEO库克公开表示"涨价不可避免",iPhone 18 Pro或涨270美元冲上热搜。当全球最大的消费电子品牌公开接受涨价,意味着成本传导的最后一道阻力被消除,存储全面进入卖方市场。
产业验证:
下一代头部智能手机单机存储成本承压约270美元(据产业调研数据) 苹果CEO库克公开表示**"涨价不可避免",iPhone 18 Pro或涨270美元**(据财联社报道) OPPO、vivo、荣耀等国产主流品牌接连发布调价公告,中端机型普遍上涨300-1000元(据腾讯新闻2026年6月9日) 手机存储成本占比从12%飙升至20%以上 100美元以下手机出货量同比暴跌超50%,白牌品牌数量减少超60%(据今日头条2026年6月14日) 存储芯片涨价627%,低价手机市场正在消失
(三)第三条主线:利润弹性兑现——从涨价预期到Q2/Q3实质兑现
底层逻辑:股价涨了,但利润还没完全兑现——当前行情正从"涨价预期"切换至"Q2与Q3利润弹性的实质兑现"。一季度涨价已反映在营收端,但利润端因库存成本滞后、涨价传导节奏等因素尚未完全体现。Q2开始,低价库存消耗完毕+高价合约逐步执行,利润弹性将集中释放。兆易创新6月17日午后封涨停,股价创历史新高,A+H总市值突破4100亿元——市场正在为Q2/Q3利润爆发做提前定价。
产业验证:
兆易创新6月17日午后封涨停,A+H总市值突破4100亿元(据腾讯新闻2026年6月17日) 香农芯创2025年营收352.51亿元(+45.24%),Q1净利激增78倍(据凤凰网2026年4月24日) 江波龙、德明利、佰维存储三大存储巨头Q1营收同比增速均突破200%,净利润增幅达1500%以上(据同花顺2026年5月15日) 集邦咨询:下半年高端特规产品仍有涨价空间
(四)第四条主线:AI外溢催化——MLCC单板用量+632%,半导体零部件90亿美金缺口
底层逻辑:AI算力的需求外溢不止于存储,周边元器件同样被"需求通胀"裹挟。特定MLCC单板用量从1440颗激增至10544颗,增幅632%——这不是"多放几颗",而是从"标配"到"超配"的数量级跃迁。半导体零部件方面,2026年全球半导体设备出货创历史新高(Q1 365.5亿美元/+14%),但设备厂商却在为零部件掉链子——射频电源、气体流量控制器、精密机械件等核心零部件明显短缺,2026年面临90亿美金供需缺口。存储涨价→AI需求外溢→全产业链通胀,形成"一石激起千层浪"的传导效应。
产业验证:
特定MLCC单板用量从1440颗激增至10544颗,增幅632% 半导体零部件2026年面临90亿美金供需缺口(据东方财富2026年5月16日) 2026年Q1全球半导体设备出货365.5亿美元,同比+14%,创单季新高(据SEMI数据) 核心零部件紧缺:射频电源、气体流量控制器、精密机械件、真空阀门等交期明显拉长
(五)第五条主线:算力架构重构——内存接口芯片技术迭代加速
底层逻辑:AI算力不仅"吃掉"了存储产能,还在重构存储架构。DDR5从第一子代快速迭代至第六子代,数据传输速率从4800 MT/s提升至9200 MT/s——每一代迭代都需要新的内存接口芯片(RCD/MRCD/MDB)。澜起科技作为DDR5 RCD芯片国际标准的牵头制定者,已成功向客户送样第六子代RCD06芯片,毛利率高达71.5%。算力架构重构不是"一次性事件",而是"持续迭代"——每一代升级都为接口芯片厂商创造新的增量需求。
产业验证:
澜起科技已成功送样DDR5第六子代RCD06芯片,支持9200 MT/s数据传输速率(据集邦咨询2026年6月10日) 澜起科技Q1归母净利润约6亿元,内存接口芯片毛利率71.5%(据今日头条2026年6月报道) 澜起科技是DDR5 RCD芯片国际标准牵头制定者(据东方财富2026年6月11日) 第三子代MRCD/MDB芯片工程研发推进,CXL/PCIe互连芯片布局 6月9日超200家机构联合调研澜起科技,包括高盛、摩根士丹利、贝莱德等

三、代表性企业梳理
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后面有朋友不会用,贴下图:在对话框内输入 文中的提示词即可获取。




四、风险提示
- HBM产能释放挤压利基存储价格风险
若HBM扩产不及预期导致原厂回拨部分产能至成熟制程,利基存储供给收缩逻辑将弱化,涨价持续性可能受冲击 - 消费终端需求下滑风险
100美元以下手机市场已暴跌50%+,若涨价持续导致中端手机需求大幅下滑,"量价博弈"可能出现"有价无市" - 国产利基存储品质风险
国产NOR Flash/SLC NAND在制程、可靠性上与美光/三星仍有差距,若终端客户对国产产品反馈不佳,替代进度可能受限 - Q2/Q3利润弹性不及预期风险
市场已为利润爆发做提前定价(兆易创新4100亿市值),若Q2涨价传导节奏慢于预期或成本端上行侵蚀利润,股价存在回调风险 - AI需求增速放缓风险
若全球AI资本开支增速放缓,HBM需求不及预期导致原厂产能重新分配,利基存储的"供给刚性"逻辑可能被动摇
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当苹果CEO公开说"涨价不可避免"的那一刻,存储行业就从"买方定价"切换到了"卖方市场"——而AI虹吸70%先进产能的刚性约束,决定了这轮行情的终点不是价格回落,而是国产利基存储的结构性长牛。
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本报告所有内容均源自对历史数据的分析,结果仅供参考。
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