全球扩产,AI存储迎“超级周期”:设备先行,材料随后,扩产周期及受益公司一览

提示：存储产业链是近期最重要、最突出的市场主线，本报告根据存储原产扩产最终受益的必然是设备和材料的逻辑，力求全面梳理相关受益的上市公司。部分公司已经涨高，大家如果还未介入，做投资决策时，务必对每个相关上市公司进行深入细致的复盘和分析，挖掘那些具有很硬逻辑、很强实力、具有业绩爆发潜力、还未被市场充分定价的上市公司。本报告仅作抛砖引玉，不构成任何投资建议。

一、引言

2026年，全球半导体产业正经历一场由AI算力需求引爆的"史诗级"扩产周期，但需先厘清一个关键误读——三大存储原厂的"扩产"本质是"产能换挡"，而非全盘放水。三星2026年资本开支虽创历史新高，但DRAM总晶圆投入量基本持平，通用产品产能增幅被压到3%以内，新增资源几乎全部砸向HBM（HBM产能计划翻三倍）。SK海力士、美光节奏类似：HBM3E/4、1γ/1c先进制程吃下绝大部分CAPEX，消费级DDR4甚至关停部分产线。

这种结构性腾挪的结果是：全球通用DRAM有效供给不增反降，供需缺口拉到4.9%，是近十五年最紧的时刻；HBM则进入"产能即订单"的卖方市场。

WSTS在2026年春季预测中把全球半导体市场规模上调到1.511万亿美元（同比+89.9%），其中存储芯片营收同比暴涨249.5%、产值突破8039亿美元，一举超过2025年全行业规模。SEMI同步把前段设备市场规模增速从16.5%上调至23.5%（1522亿美元）；存储12英寸晶圆厂设备投资首破520亿美元（+29% YoY），其中DRAM设备370亿、NAND约150亿。

三星、SK海力士、美光三大巨头抛出十年期万亿级计划，韩国双雄存储扩产部分合计投资约8.2万亿人民币（SK 1100万亿韩元≈5.8万亿+三星光州400万亿+天安温阳56万亿≈2.4万亿），SK集团另有一笔1000万亿韩元的AI数据中心投资单独列支，勿与半导体扩产混算。同期长鑫、长存以超预期速度推进，国产双雄恰好踩在"三大厂抽走通用产能"的窗口期上——这不是巧合，是本轮最关键的产业逻辑。

二、全球存储扩产总体概况

2.1 资本开支规模

2026年全球半导体CAPEX约2000亿美元（全产业链口径，含逻辑/代工），存储原厂占最大头。美银口径下DRAM+NAND合计CAPEX约1192亿美元（+63% YoY）：DRAM约752亿（+65%）、NAND约440亿（+56%）。两口径差异源于前者含封装/HBM全产业链、后者仅晶圆厂，需区分看待。

三星：2026年CAPEX+研发合计110万亿韩元（约733亿美元），同比+21.7%，创历史新高；未来5年国内投资450万亿韩元，其中171万亿投向系统LSI和代工。

SK海力士：SK集团半导体扩产1100万亿韩元（龙仁600+清州100+西南400），另AI数据中心单独投入1000万亿韩元。

美光：2026财年CAPEX约270亿美元（Q4单季100亿），2027财年每季均超100亿；其中HBM扩产70-80亿、1γ制程60亿、纽约厂45亿、弗吉尼亚14亿；已签16份SCA长协，客户预付款约180亿美元，财务承诺220亿，剩余履约义务RPO约1000亿美元。

设备商已主动提出涨价3-4%（SK海力士已收到供应商涨价申请），买方市场转卖方市场确立。

2.2 产能释放节奏

建厂到量产约两年周期，新增产能大规模释放集中在2027H2-2030年，但需分层看待：

HBM/先进DRAM：2026年就开始爬坡（三星HBM4已于2026年2月量产，SK海力士M15X 2026年7月HBM量产）。

通用DRAM：三大厂主动克制，2026-2027增量极小，紧张格局至少持续到2027年底。

2028年风险点：三星P4/P5、SK龙仁一期、美光ID1/新加坡集中出片，供需可能逆转，三星DS事业部已在内部研判此事。

美银预计2026年DRAM产能仅+11%、2027年+9%；NAND 2026年+5%、2027年+4%——"高CAPEX、低有效供给增长"是本轮价格维持高位的核心支撑。

2.3 当前市场格局（Counterpoint 2026Q1 / Omdia口径）

DRAM：三星38% / SK海力士29% / 美光22% /长鑫8%（收入口径，Omdia销量口径7.67%）。长鑫2026Q1营收508亿元、同比+719%，归母247.62亿元、同比+1688%，营业利润率约70%，已追平三巨头。

NAND：三星29% / SK海力士18% / 铠侠14% / 闪迪13% /长江存储13%。

HBM 2025份额：SK海力士61% / 美光21% / 三星17%（三星较2024年初40%+大幅下滑）。

三、各存储原厂扩产计划及量产时间

（一）三星电子

平泽P4：工期缩短3个月，2026Q4投产，承担1c nm DRAM量产任务并为HBM4提供晶圆支持。

平泽P5：2027H2量产，聚焦1c nm DRAM生产，兼顾高性能通用DRAM与HBM。

光州及龙仁集群：光州新建晶圆厂规划400万亿韩元，天安、温阳投入56万亿韩元新建HBM厂；龙仁集群按调整后的加速节奏推进。

HBM进展：HBM4于2026年2月启动大规模量产，累计销售额已突破10亿美元；HBM4E预计2027年量产；企业内部预测，自2026Q3起HBM4占全部HBM系列销售比重超50%。

设备采购：向ASML订购约20台EUV+50台DUV，订单总额超10万亿韩元。

战略取向：三星明确将"避免过度投资"列为关切，通用DRAM扩产审慎，产能主要倾斜给HBM4和高阶1c。

（二）SK海力士

清州M15X：2026H2运营，2026年7月起正式启动HBM芯片量产，初始月产能4万片，2027年扩充至8万片。

龙仁一期：首座工厂投产从2027年5月提前至2027年2月，首洁净室释放约6万片/月，一期整体月产能可达36万片。

NAND Flash：2026年底量产375层3D NAND；2027H2中国大连Fab 68量产200层+QLC。

美国封装厂：印第安纳州HBM先进封装厂2028年投产。

设备采购：清州检测设备约200台、总价最高4000亿韩元；向ASML采购EUV约80亿美元（11.95万亿韩元，2027年底前交付）。

中长期目标：DRAM月产能从当前约55万片（含无锡20万）→2030-2031年100万片，五年翻倍。

（三）美光科技

爱达荷ID1：晶圆产出从2027H2提前至2027年中，但"可观产能增量"要到2028年。

爱达荷ID2：2028年底投产。

纽约锡拉丘兹：2026年1月破土，首座晶圆厂计划2030年投产，2026财年投45亿。

日本广岛：96亿美元（1.5万亿日元）新建DRAM晶圆厂+EUV，HBM出货目标2028年前后。

台湾铜锣P5：18亿美元收购力积电P5晶圆厂，2028财年规模化DRAM出货。

新加坡：两项目合计超300亿美元，其中HBM厂40亿美元扩建，2027年HBM产能翻倍。

HBM4：12层产品爬坡效率达前代2倍，累计交付超10亿美元；HBM4E 2027年量产。

（四）长江存储（中国NAND）

武汉三期：核心扩产项目提前至2026H2量产（原2027），当前合计月产能约20万片，三期新增10万片12英寸→达产30万片/月，2027年阶段性目标5万片/月。新厂房已完工，处于设备安装收尾。

国产设备比例：三期工厂超50%设备来自本土供应商，包括层垂直堆叠等关键制程设备。

层数：三期导入294层Xtacking，与海外321层代差约1代。

远期规划：再建两座全新晶圆厂，每座10万片/月，总产能翻番。

全球份额：2025年约7-8%，2026年有望超10%。

（五）长鑫存储（中国DRAM）

现有产能：官方指引2026年末月产能30万片12英寸晶圆，SemiAnalytics销量口径已到35万片，2028年目标50万片，全球产能占比约17%——双口径并存，建议区分"官方指引"与"第三方销量口径"。

扩产节奏：2026Q2启动多轮设备招标，配套设备采购预算50-60亿美元，HBM3技术节点2026Q2有望突破。

HBM布局：启动HBM产线建设，2026年底开始投产（HBM3样品级）。

IPO进展：长鑫科技IPO已获证监会注册批复，拟募295亿元——75亿量产升级+130亿DRAM技术升级+90亿前瞻技术。

客户突破：苹果破例申请采购长鑫DRAM，腾讯签多年长单，阿里/字节/小米/OPPO全覆盖；2026Q1营收508亿、同比+719%，全球DRAM份额7.67%，稳居第四。

四、受益的存储设备及相关上市公司

4.1 全球设备供应商

存储扩产从CAPEX加速传导至设备采购端，摩根士丹利将2026年DRAM设备支出从446亿上调至486亿美元。

ASML（荷兰）：三星订购70台（20台EUV+50台DUV，总额超10万亿韩元）；SK海力士EUV订单约80亿美元。

泛林半导体、应用材料（美国）：美光、三星、SK海力士扩产拉动刻蚀、沉积主设备需求。

韩美半导体（韩国）、ASMPT：TC键合设备为HBM堆叠刚需，HBM产能扩张直接受益。

4.2 国内前道核心设备（A股）

国产替代加速推进，东吴证券指出随着逻辑与存储制程迭代，新设备与新材料工艺需求持续放量。

北方华创 002371：半导体设备平台龙头，刻蚀+沉积+PVD全覆盖，全球存储大厂CAPEX外溢+长鑫长存招标双逻辑。

中微公司 688012：国内刻蚀领军，高端ICP/CCP进入先进制程产线，存储扩产拉动刻蚀需求激增。

拓荆科技 688072：薄膜沉积（PECVD/ALD/SACVD），46亿定增加码高端设备。

华海清科 688120：CMP设备龙头，IC+先进封装。

芯源微 688037：涂胶显影设备，存储产线渗透率提升。

盛美上海 688082：清洗设备，长存三期国产化率60-80%核心受益。

微导纳米 688147：薄膜沉积（ALD为主）。

屹唐股份 688260：去胶+热处理设备。

赛腾股份：收购切入SK海力士HBM晶圆检测设备供应链。

4.3 检测与测试设备

精测电子 300567：量检测设备，HBM量检测批量出货。

中科飞测 688361：量检测设备，HBM产线切入。

精智达 688627：存储测试核心供应商，晶圆测试/老化/修复，部分产线替代海外。

长川科技 300604：存储测试机，2026H1盈利9-10亿、同比+110%~134%。

华峰测控 688200：模拟/混合测试设备。

4.4 封测设备

深科达 688328：封测设备核心供应商，长电/通富/华天深度服务，2026Q1净利+89%。

迈为股份 300751：封装设备。

先导智能 300450：设备零部件。

4.5 设备零部件

富创精密 688409 / 新莱应材 300260 / 晶盛机电 300316 / 正帆科技 688596 / 京仪装备 688652（半导体温控+废气处理）。

五、受益的存储材料及相关上市公司

国内存储厂商持续扩产带动半导体耗材需求同步增长，头部企业有望受益于国产化与需求增长双重驱动。HBM因多层堆叠（8-16层）+ MR-MUF/TCB工艺，催生一批"普通DRAM没有"的专属耗材，是本轮最具弹性的细分线。

5.1 硅片

沪硅产业 688126：国内12寸半导体硅片主力，上海+太原合计产能85万片/月。

西安奕材：西安一二期12寸硅片产能50万片/月，已批量供长存、长鑫；拟登陆科创板。

立昂微 605358：硅片供应商。

5.2 前驱体/电子特气（HBM最肥赛道）

雅克科技 002409：全资子公司UP Chemical是SK海力士持约15%股权的深度绑定标的，为SK海力士HBM4介电层前驱体核心供应商（份额约70%），订单锁到2031年；同时进入三星、美光三大HBM供应链；长鑫一供份额超60%，长存2026年订单22亿+。A股HBM材料端最硬标的。

中船特气 688146：7N六氟化钨全球稳定量产，三大存储原厂独家供货，HBM刻蚀/沉积刚需。

华特气体 688268 / 金宏气体 688106：高纯特气，西安三星、无锡海力士持续采购。

广钢气体 688548：电子大宗气龙头，存储扩产+氦气涨价双弹性。

南大光电 300346：前驱体材料。

多氟多 002407：高纯电子氢氟酸导入韩系先进存储。

5.3 CMP抛光材料

鼎龙股份 300054：CMP抛光垫国内近八成份额，抛光液/清洗液全系列切入主流晶圆厂；年产300吨KrF/ArF高端晶圆光刻胶产线2026年3月投产，8款光刻胶获主流晶圆厂批量订单。

安集科技 688019：抛光液龙头，进入SK海力士等海外存储大厂供应链。

5.4 光刻胶

鼎龙股份 300054（同上，已覆盖）。

八亿时空 688181：光刻胶树脂，2025年吨级出货、千万级营收，2026年底建成400吨/年产能。

5.5 靶材

江丰电子 300666：先端存储用高纯300mm硅靶批量供货，钨靶/铜锰合金进先进存储；HBM靶材消耗是普通DRAM的3-5倍。

有研新材 600206：高纯靶材，批量供SK海力士、三星。

隆华科技 300263：子公司四丰电子是A股唯一批量供三星的6N高纯钼靶，SK海力士375层NAND钼靶已完成验证，2026Q3批量交付。

5.6 HBM封装专属材料

📌HBM封装专属材料是HBM多层堆叠（8-16层）+ MR-MUF/TCB工艺催生，普通DRAM没有的耗材群。

华海诚科 688535：国内唯一量产HBM专用GMC塑封料，三星+SK双认证。

联瑞新材 688300：Low-α球硅，国内唯一批量供三星/SK海力士HBM，GMC中占比70-90%，单颗16层HBM耗材量跳升。

壹石通 688733：Low-α球硅+球铝双布局，配套华海诚科GMC，解决HBM堆叠散热。

雅克科技 002409（华飞电子）：自有球硅产能，协同前驱体全产业链绑定。

宏昌电子 603002：环氧树脂龙头，供华海诚科GMC基础树脂，同步ABF膜材，横跨HBM两大材料。

德邦科技 688325：DAF芯片粘接膜，HBM多层堆叠层间绝缘粘接。

飞凯材料 300398：临时键合胶（超薄DRAM减薄国内唯一量产）+ LMC液态模塑料。

回天新材 300041：FC底部填充胶，缓冲HBM微凸点热应力。

5.7 封装载板/中介层（原报告空白线）

兴森科技 002436：国产HBM中介层ABF载板核心量产标的，打破海外垄断。

生益科技 600183：高端ABF载板基材，2.5D/HBM上游。

东材科技 601208：内资唯一量产BT树脂，ABF载板核心基材，打破日本垄断。

5.8 封测服务

长电科技 600584：XDFOI平台，8层HBM3E良率98.5%，完成HBM4验证，12层堆叠量产。

通富微电 002156：国内最早突破HBM 2.5D/TSV，AMD MI300配套，切入三星+长鑫HBM外协。

太极实业 600667（A股绑定SK海力士最深、最被低估标的）：子公司海太半导体（太极55%/SK海力士45%）是SK海力士在华唯一DRAM后道封测基地，第四期合同2025年7月生效锁到2030年6月，年保底收益约2.7亿；包揽SK海力士国内70%以上DRAM/HBM封测订单；HBM3E月产能12万片、8层良率99%、TSV良率99.5%，大陆唯一实现HBM3E大批量稳定量产；已完成HBM4 16层全流程验证；十一科技还承接三星/海力士/长存/中芯洁净厂房EPC——双重受益。

深科技 000021：子公司沛顿，三星DRAM封测主力，已通过SK海力士HBM3认证，长鑫核心配套。

华天科技 002185：HBM工艺认证完成，小批量，配套SK海力士中端HBM。

5.9 模组/分销/国产替代（补充主线）

兆易创新 002409：通用DRAM国产替代龙头，韩厂放弃中低端直接受益。

佰维存储 688525 / 江波龙 301308：消费/工业级模组抢份额，佰维签18.6亿美元闪存长单锁24个月。

香农芯创 301308：SK海力士HBM+DDR5中国大陆授权独家分销商，库存重估弹性大。

六、总结

2026-2028是全球存储产能建设最密集窗口，但"扩产"二字必须拆开看：

DRAM侧：三星P4(2026Q4)、P5(2027H2)；SK海力士M15X(2026H2)、龙仁(2027年2月)；美光ID1(2027年中)——但三大厂DRAM总晶圆投入基本持平，新增全是HBM/1c先进制程，通用DRAM增量仅3%以内。这给长鑫让出黄金两年：官方指引2026末30万片/月（第三方销量口径35万片）→2028年50万片，全球份额有望破15%，苹果/腾讯长单已落地。

NAND侧：三大厂本轮基本不扩物理晶圆，只靠层数堆叠挤位元；长存武汉三期2026H2提前量产（294层）、国产化率60-80%，正好撞上企业级QLC被AI服务器抢货的窗口。

设备端：全球ASML/泛林/AMAT；国内北方华创、中微、拓荆、华海清科、精智达、长川、赛腾（HBM检测）直接吃订单，设备商已涨价3-4%，卖方市场确立。

材料端：雅克（前驱体+SK持股绑定）、华海诚科（GMC）、联瑞（Low-α球硅）、江丰（靶材）、安集/鼎龙（CMP）、兴森（ABF载板）是HBM专属弹性最大几条线；太极实业是封测端绑定SK海力士最深、最被低估标的。

扩产总盘：韩国双雄存储扩产合计约8.2万亿人民币（SK 1100万亿+三星光州400+天安温阳56），SK另有1000万亿数据中心投资另计。

风险提示

2028年供需逆转风险：三星P4/P5、SK龙仁一期、美光ID1/新加坡集中出片，通用DRAM若被HBM过剩产能倒灌，长鑫基本盘承压。

HBM认证周期长、客户集中度高：雅克/华海诚科/联瑞/太极等多数标的业绩兑现节奏可能低于预期，需区分"已批量供货"（雅克UP、华海诚科、联瑞、太极海太）vs"验证中"（壹石通、德邦等）。

板块涨幅已较大+贸易政策：半导体设备与材料板块2026年以来累积较大涨幅，存在高位回调风险；国际贸易政策变化可能影响设备进口与国产替代进程。

免责声明：本报告基于公开信息及权威机构研究数据编制，仅供信息参考，不构成投资建议或买卖依据。报告中所涉上市公司仅为产业链受益主体客观梳理，不代表对其投资价值推荐或背书。半导体行业受宏观经济、技术迭代、国际贸易政策等多重因素影响，存在较大不确定性。投资者应基于自身风险承受能力独立判断并自担风险。