夜雨聆风一、光刻技术整体概述
公司提供覆盖全场景的光刻技术解决方案，可支撑光刻技术的各类创新应用需求。
1.1 光学光刻技术定位
光刻技术是通过掩模版定义光源对光敏材料进行图形结构化，是支撑后续半导体工艺的成熟技术，目前已成为半导体制造的核心基础工艺之一。
当前光学光刻的核心性能要求主要围绕以下关键指标展开：
·亚微米级对准精度
·掩模版与晶圆间可控的均匀近间距间隙
·与光刻胶敏感度匹配的、清晰定义且精准可控的曝光光谱
始终坚持以客户为核心的定制化解决方案思路，能够精准理解各类特殊工艺需求，灵活适配产线定制化需求，这也是EV集团在光刻领域的核心竞争优势之一。
1.2 光学光刻技术发展与核心功能
多年来，光学光刻技术持续演进，不断满足新型半导体器件设计的尺寸缩小需求。在光学光刻领域持续创新：
·1985年，EV集团发明全球首款双面掩模版对准系统
·至今，IQ Aligner NT实现顶部对准精度低至250nm
·集成多项高级对准功能，包括带温控刀架的跳动控制、自动十字校正、全清场掩模版移动、边缘对准及动态对准
掩模版对准产品家族最新集成的UV-LED技术，为用户带来更灵活的应用适配能力：
·可单独调节光谱线，不再需要额外特殊光学滤光片
·大幅降低UV-LED灯组的维护需求
还具备其他核心技术能力，包括键合对准、透射式/反射式IR对准，以及自研的SmartNIL纳米压印技术，这些功能让EVG的掩模版对准设备适配性更强、技术更领先。
当前该技术已在全球市场广泛落地，覆盖所有关键工艺环节，可支撑多种应用场景，包括晶圆凸点成型、再分布层（RDL）制备、通孔刻蚀掩模版、通孔底部开口工艺，以及薄晶圆或临时键合晶圆的光刻工艺。
该系列设备可灵活配置，既可以是面向研发的半自动化机型，也可以是面向大批量量产的全自动cassette-to-cassette流程机型。
1.3 核心工艺特性
·对准模式：支持顶部对准、底部对准、IR透射/反射对准、键合对准、纳米压印对准
·曝光光源：支持汞灯光源、UV LED光源
·曝光模式：支持真空接触、硬接触、软接触、近距模式，Flex模式支持曝光过程中载物台/掩模版移动
·均匀曝光保障：集成楔形补偿功能，确保曝光结果均匀一致
·全自动化控制：软件控制，支持多种控制选项，支持带间隔器的非接触模式，配方可控接触力（5N-80N）
·高级对准功能：集成先进算法，可实现250nm级对准精度，支持偏移校正、跳动控制、边缘对准
·系统控制能力：支持文件共享与备份，无限配方数量，多语言用户界面与支持，实时远程访问、诊断与故障排除
·工业自动化适配：支持cassette、SMIF、FOUP、SECS/GEM标准接口，支持薄晶圆、翘曲晶圆、边缘晶圆的处理
·纳米压印光刻兼容性：完整支持纳米压印光刻工艺需求
·智能工艺控制：集成工艺与设备控制的分析功能，支持并行任务/排队任务处理，设备与工艺性能追踪，智能物料传输，事件与告警分析，以及智能维护管理与追踪
二、UV LED曝光技术
UV LED曝光技术是EVG曝光光学系统的最新升级方案。
2.1 技术定位与发展
LED凭借低能耗、长寿命的特性，已在多个领域广泛应用。多年来，汞灯是唯一能为掩模版对准设备提供足够强度的光源。但随着UV-LED技术的进步，结合精密光学设计，该方案已经超越传统汞灯，并且具备更多优势。
EVG自2005年就开始评估LED技术，2006年将全球首款功能性UV-LED灯组推向市场。当时UV-LED技术在量产应用中仍存在一定限制。2016年，随着UV-LED技术的大幅进步，EVG重新推出UV-LED灯组方案，性能已全面超越传统汞灯光源。
2.2 技术优势
该技术为用户带来更灵活的UV曝光光谱设置能力：
·可单独调节光谱线，不再需要额外的特殊光学滤光片
·低能耗、长寿命，无需预热或冷却阶段
·仅在曝光过程中需要供电，无需汞弧灯定期更换的额外设施（排气、冷却气体）
·可大幅降低运行与维护成本，提升操作人员安全性，更符合环保要求
最新的UV-LED技术可保障安全运行，避免汞灯安装、更换或操作过程中的中毒风险。
2.3 核心特性
·运行成本大幅降低
·无需专业人员定期更换灯管
·清洁密封的灯组设计
·最低设施要求（无需排气或冷却系统）
·光源长寿命
·即开即关
·光谱线可单独调节
·无需额外的滤光片与耗材成本
·不会污染光学元件
·配方可控的自定义波长强度设置
·绿色环保工艺
·无汞设计
·无臭氧产生
·低功耗
·无危险操作与有毒废料处理需求
三、 汞灯与UV LED曝光技术对比表
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