当市场目光全部聚焦 GPU 算力的时候，存储芯片已经悄悄成为 AI 产业真正的 “卡脖子环节”。2026 年整个半导体行业最大的变化，就是存储的逻辑彻底被 AI 改写。

近期一条产业新闻刷屏：HBM 现货价格半年暴涨 300%，交付周期拉长到 20 周以上，海外云厂商直接改用 3‑5 年长期锁价协议抢夺产能，“拿得到货” 比价格更重要。过去 DRAM 是典型周期行业，涨涨跌跌跟随手机 PC 消费电子景气度；但现在游戏规则变了，AI 服务器吃掉大量存储产能，三星、SK 海力士、美光把绝大多数先进产能倾斜到 HBM、高端 DDR5，普通消费级 DRAM 供给被挤压，行业从 “消费驱动” 切换为算力驱动的超级景气周期。

供给端的矛盾格外突出。全球 HBM 市场几乎被三家海外厂商垄断，新增产能释放节奏缓慢，即便大规模扩产，新工厂产能落地也要等到 2027 年之后，远水解不了近渴。国内云厂商、AI 企业同样面临 “抢内存” 难题，海外原厂优先供给海外大客户，国内企业拿不到充足稳定货源。在此背景下，供应链多元化、国产存储导入已经不是选择题，而是生存题。腾讯云、字节、阿里云都已经和国内存储原厂开展深度合作，把国产颗粒纳入核心采购框架，尽可能对冲海外供给的不确定性。

行业红利之下，国内 DRAM 龙头长鑫科技登陆科创板之后业绩爆发力被市场高度关注。全球 DRAM 市场格局正在发生微妙转变，长鑫存储份额持续提升，从过去的备选供应商，逐步向主流供应商切换。一边是 AI 带来的海量增量市场，一边是国内客户供应链安全诉求，叠加自身产能持续扩张、高端产品迭代，多重利好共振，国产 DRAM 赛道迎来历史性机遇。但同时也要客观看到，HBM 等高阶产品上我们和海外巨头仍存在差距，行业高景气背后，竞争加剧、地缘扰动、需求不及预期等风险同样不可忽视。

高盛最新研报拆解：长鑫二季度业绩大幅超预期

高盛 8 月 29 日发布针对长鑫科技（688825.SH）的最新研报，核心结论：AI 需求爆发 + 客户供应链多元化 + 产能扩张 + 产品结构升级，四大引擎驱动公司业绩高速增长，维持买入评级，目标价 129 元，当前股价 58.6 元，测算上行空间约 120%。

🔹微观：二季度财报，各项数据全面超出市场预期

核心营收数据2026 年第二季度长鑫实现营收995.1 亿元，同比暴涨 977%，环比增长 96%；对比高盛原有预期高出 52%，对比市场一致预期高出 54%，业绩大幅爆表。

• 驱动来源：AI 拉动 DRAM 服务器需求爆发、国内客户供应链分散采购、DRAM 产品价格维持高位，多重因素共振。
• 费用端：二季度运营费用率优化至5.4%，好于机构与市场一致预期，规模效应持续显现。
• 利润端：二季度净利润，较高盛预期高出 75%，较市场一致预期高出 260%，盈利弹性充分释放。

✅重点标记：规模效应是这一轮长鑫盈利爆发的关键，随着产能爬坡，单位制造费用被摊薄，费用率持续下行，毛利率、净利率同步抬升。

🔹宏观：国内 DRAM 市场空间测算，HBM 增速一骑绝尘

研报给出中国 DRAM 市场 TAM 预测：2026‑2028 年国内 DRAM 整体市场规模复合增速50%，2028 年市场规模将达到 2573 亿美元。 细分赛道拆分：

1. 传统 DRAM
   ：2026‑2028 复合增速 43%，是算力、消费、工控的基础底座；
2. HBM 高带宽内存
   ：2026‑2028 复合增速高达188%，2028 年市场规模 321 亿美元，是整个存储赛道增速最高的细分赛道，完全由 AI 服务器需求拉动。

简单理解：未来两年，国内存储市场总量高速扩张，而 HBM 将是增长最猛的板块。虽然当前 HBM 主要还是海外三家厂商主导，但巨大的市场空间，也为国内厂商后续技术追赶留下巨大想象空间。

🔹三大核心增长逻辑，机构看好长鑫长期成长

1. 国内 AI 算力建设浪潮，服务器 DRAM 与 HBM 需求双爆发
   国内大模型、AI 服务器大规模部署，不管是训练还是推理，都需要海量 DRAM。大模型的 KV 缓存会持续消耗内存资源，单台 AI 服务器内存用量是传统服务器数倍，直接拉动服务器 DRAM 刚需。
2. 客户供应链多元化，国产存储从备选走向主流
   海外 HBM、高端 DRAM 产能被海外大厂长协锁定，国内云厂商、服务器厂商为保障供货安全，主动分散供应商，加大对长鑫的采购，这是区别于周期上行的额外增量。不是单纯靠涨价，而是实实在在拿到新增客户订单。
3. 产能持续扩张 + 产品组合升级
   产线持续扩产，同时产品迭代加速，从普通 DDR 向 DDR5、LPDDR6 高端产品切换，产品结构上移带动整体毛利率抬升。

🔹重磅产品进展：LPDDR6 已经送样客户，加速量产

研报重点提及长鑫自研LPDDR6进展： 相比上代 LPDDR5X 性能进一步提升，架构创新优化数据传输，峰值速率达到 12800Mbps，最大容量 16GB。目前样品已经给到重点客户验证，正在加速推进大规模量产。

✅重点标记：LPDDR6 面向高端手机、AI 端侧设备，是移动存储新一代标准，该产品落地，代表长鑫正式切入高端移动存储赛道，打开第二增长曲线。

🔹盈利预测调整与估值逻辑

基于二季度超预期财报，高盛上调长鑫 2026 年净利润预期 14%，而 2026 下半年‑2030 年的预测基本保持不变，说明超预期主要来自二季度短期业绩释放，长期成长节奏没有改变。

估值方式采用贴现 PE 法：参考半导体同业净利润增速和 PE 的相关性，设定 2030 年目标 PE 倍数 16.6 倍，以 12.7% 股权成本折现回 2027 年，得到 129 元目标价，维持买入评级。

⚠️研报明确提示三大下行风险

1. 市场竞争激烈程度超预期；
2. AI 及终端存储需求弱于预期；
3. 地缘政治局势不稳定。

风险提示需要高度重视：存储行业同时具备周期属性，一旦 AI 资本开支放缓，价格回落，会直接影响企业盈利水平。

产业链全梳理：景气周期下，哪些环节直接受益？

长鑫作为 DRAM IDM 原厂是行情核心，随着产能扩张、新品落地，上游设备、材料、下游模组环节都将同步受益，整理 A 股相关受益公司（仅产业链客观梳理，非推荐）：

1、存储原厂 & 设计环节

✅长鑫科技（688825.SH）：国内唯一大规模量产 DRAM 的 IDM 企业，LPDDR6 研发主体，直接受益 AI 需求 + 供应链国产替代。 ✅兆易创新（603986）：股权绑定长鑫，NOR 龙头，利基 DRAM 委托长鑫代工，代销长鑫颗粒。 ✅澜起科技（688008）：DDR5 内存接口芯片龙头，服务器 DRAM 模组刚需配套。

2、半导体设备（长鑫扩产核心受益）

✅北方华创（002371）：刻蚀、PVD、清洗、炉管设备批量导入长鑫产线； 

✅中微公司（688012）：DRAM 深孔刻蚀设备主力供应商； 

✅拓荆科技（688072）：薄膜沉积设备； 

✅华海清科（688120）：CMP 化学机械抛光设备。

3、半导体材料

✅雅克科技（002409）：DRAM/HBM 前驱体核心供应商； 

✅鼎龙股份（300054）：CMP 抛光耗材，适配存储先进制程；

4、下游模组、封测环节

✅江波龙（301308）、佰维存储（688525）：存储模组龙头，采购国产颗粒做模组；

 ✅长电科技（600584）、通富微电（002156）：先进封测，面向未来 HBM 堆叠封装需求。

写在最后：国产存储的机遇与现实

AI 浪潮把存储推到台前，我们看到量价齐升的超级周期，但也要清醒认清现实。HBM 赛道依旧被海外三巨头牢牢把控，国内还处于追赶阶段；传统 DRAM 领域，长鑫实现突破，但技术迭代、良率爬坡、客户认证依然需要时间。

这一轮景气，是AI 需求红利 + 供应链安全诉求 + 国产技术突破三者叠加的结果。未来行业不会一直单边上行，AI 资本开支、全球供给释放、地缘环境，都会成为扰动变量。对于产业来说，当下是难得的发展窗口期；对于投资者，既要看见成长空间，也要敬畏周期波动的风险。