【AI算力链_半导体设备纪要_260513】

一、核心问题与市场担忧

1. 扩产空间问题：市场担心未来存储芯片扩产的空间是否有限，尤其是国内厂商。
2. 竞争格局与盈利能力问题：市场担忧国内半导体设备公司毛利率下滑，以及平台化拓展（如刻蚀、薄膜沉积设备领域）带来的竞争加剧。

二、关于扩产空间：全球与国内视角

1. 全球存储市场高景气度

• 需求侧：AI需求改变了存储市场结构，已占存储需求近一半。存储价格自2023年三季度起超预期上涨（如NAND合约价涨幅从55-60%上修至85-90%），预计2027年全球存储市场规模有望从2025年的2000多亿美元突破至万亿美金，增长超4倍。
• 资本开支（Capex）：
• 海外存储原厂（美光、三星、海力士）正持续上修资本开支。美光2026年Capex从200亿美金上调至250亿美金，2027年预计至少350亿美金（或达400亿美金）。
• 核心催化剂是长期协议（长协）落地：CSP厂商与存储原厂签订3-5年长协，锁定了长期需求，使存储扩产从周期驱动转向“长期需求锁定+技术迭代”双轮驱动，大幅提升了扩产的确定性与规模。
• 估算2026年全球存储Capex有望达1000亿美金，2027年或超1600亿美金，两年接近翻倍。

2. 国内存储扩产空间巨大

• 现状：国内存储厂商（CX存储、CJ存储）在全球市占率极低（收入/产出角度不足10%，甚至仅5-8%），而中国大陆需求占全球30-35%，供需严重不匹配。
• 潜在空间：按2027年全球需求测算，为达到30-35%的自给率，国内NAND（CJ存储）和DRAM（CX存储）的扩产空间均高达4倍以上（从当前20万片/月产能或1.9亿B产出，分别提升至90万片/月或更高）。
• 国产存储的扩产强度：CX存储等厂商历年资本开支占收入比例极高（如2023年达480%，2024年也超200%），远高于海外30%的水平，显示出强烈的追赶意愿。结合AI景气周期、技术突破（HBM零到一、3D NAND向200-300层迈进），2026年是国内存储资本开支加速的关键拐点，未来2-3年自给率将快速提升。

三、关于竞争格局与盈利能力：不必过度担忧

1. 毛利率短期波动的解释

• 会计准则变更：2024-2025年质保费用计入主营业务成本，导致毛利率统计性下滑。
• 研发机台集中确认：2023-2024年国产线拉通阶段，集中确认的研发机台耗材成本高，拉低了部分公司（如中微、拓荆）毛利率。目前研发机台占比已降低，2026年一季度多家头部公司毛利率已修复至40%以上。

2. 长期竞争格局：强者恒强，马太效应显著

• 行业特性决定壁垒：半导体行业技术迭代快（2-3年一代），且每次迭代工艺结构变化大，产线投资额呈指数级增长，导致下游晶圆厂对设备商的转化成本极高、客户粘性极强（「一代工艺，一代设备」）。
• 头部公司研发优势：国内头部设备公司研发投入极高（占收入20-30%），2025年合计研发投入已超140亿。缺乏客户支持与资金的小公司难以跟上高强度研发，市场份额将向龙头集中。
• 下游逻辑：在景气上行周期，晶圆厂更关注设备交付能力和工艺迭代能力，而非短期价格。供应商多元化（从一家扩充至两三家）是正常商业行为，但引入更多供应商“卷价格”对客户不切实际，技术突破仍是首要任务。

四、主要受益方向

• 高存储敞口设备：拓荆科技、微导纳米。
• 国产化率低的设备：精测电子、中科飞测。
• 材料领域：广钢气体、鼎龙股份。
• 设备零部件（兼具耗材属性）：科玛科技、神工股份。
• HBM突破相关：精智达、骄成超声（关注今年零到一突破）。

五、总结观点

• 扩产空间：全球存储资本开支未来2年有望翻倍，国内市场基于极低的全球份额和极强的自给率需求，仍有4倍以上扩产空间，景气度将持续2-3年，无需担忧短期高点。
• 竞争与盈利：基于半导体行业高壁垒、高迭代、高客户粘性的特性，头部设备公司长期毛利率和盈利能力将由工艺迭代能力决定，强者恒强。短期毛利率波动已见修复，在景气上行周期中无需过度担忧竞争格局和价格压力。

END