
【AI算力链_半导体设备纪要_260513】
一、核心问题与市场担忧
扩产空间问题:市场担心未来存储芯片扩产的空间是否有限,尤其是国内厂商。 竞争格局与盈利能力问题:市场担忧国内半导体设备公司毛利率下滑,以及平台化拓展(如刻蚀、薄膜沉积设备领域)带来的竞争加剧。
二、关于扩产空间:全球与国内视角
1. 全球存储市场高景气度
需求侧:AI需求改变了存储市场结构,已占存储需求近一半。存储价格自2023年三季度起超预期上涨(如NAND合约价涨幅从55-60%上修至85-90%),预计2027年全球存储市场规模有望从2025年的2000多亿美元突破至万亿美金,增长超4倍。 资本开支(Capex): 海外存储原厂(美光、三星、海力士)正持续上修资本开支。美光2026年Capex从200亿美金上调至250亿美金,2027年预计至少350亿美金(或达400亿美金)。 核心催化剂是长期协议(长协)落地:CSP厂商与存储原厂签订3-5年长协,锁定了长期需求,使存储扩产从周期驱动转向“长期需求锁定+技术迭代”双轮驱动,大幅提升了扩产的确定性与规模。 估算2026年全球存储Capex有望达1000亿美金,2027年或超1600亿美金,两年接近翻倍。
2. 国内存储扩产空间巨大
现状:国内存储厂商(CX存储、CJ存储)在全球市占率极低(收入/产出角度不足10%,甚至仅5-8%),而中国大陆需求占全球30-35%,供需严重不匹配。 潜在空间:按2027年全球需求测算,为达到30-35%的自给率,国内NAND(CJ存储)和DRAM(CX存储)的扩产空间均高达4倍以上(从当前20万片/月产能或1.9亿B产出,分别提升至90万片/月或更高)。 国产存储的扩产强度:CX存储等厂商历年资本开支占收入比例极高(如2023年达480%,2024年也超200%),远高于海外30%的水平,显示出强烈的追赶意愿。结合AI景气周期、技术突破(HBM零到一、3D NAND向200-300层迈进),2026年是国内存储资本开支加速的关键拐点,未来2-3年自给率将快速提升。
三、关于竞争格局与盈利能力:不必过度担忧
1. 毛利率短期波动的解释
会计准则变更:2024-2025年质保费用计入主营业务成本,导致毛利率统计性下滑。 研发机台集中确认:2023-2024年国产线拉通阶段,集中确认的研发机台耗材成本高,拉低了部分公司(如中微、拓荆)毛利率。目前研发机台占比已降低,2026年一季度多家头部公司毛利率已修复至40%以上。
2. 长期竞争格局:强者恒强,马太效应显著
行业特性决定壁垒:半导体行业技术迭代快(2-3年一代),且每次迭代工艺结构变化大,产线投资额呈指数级增长,导致下游晶圆厂对设备商的转化成本极高、客户粘性极强(「一代工艺,一代设备」)。 头部公司研发优势:国内头部设备公司研发投入极高(占收入20-30%),2025年合计研发投入已超140亿。缺乏客户支持与资金的小公司难以跟上高强度研发,市场份额将向龙头集中。 下游逻辑:在景气上行周期,晶圆厂更关注设备交付能力和工艺迭代能力,而非短期价格。供应商多元化(从一家扩充至两三家)是正常商业行为,但引入更多供应商“卷价格”对客户不切实际,技术突破仍是首要任务。
四、主要受益方向
高存储敞口设备:拓荆科技、微导纳米。 国产化率低的设备:精测电子、中科飞测。 材料领域:广钢气体、鼎龙股份。 设备零部件(兼具耗材属性):科玛科技、神工股份。 HBM突破相关:精智达、骄成超声(关注今年零到一突破)。
五、总结观点
扩产空间:全球存储资本开支未来2年有望翻倍,国内市场基于极低的全球份额和极强的自给率需求,仍有4倍以上扩产空间,景气度将持续2-3年,无需担忧短期高点。 竞争与盈利:基于半导体行业高壁垒、高迭代、高客户粘性的特性,头部设备公司长期毛利率和盈利能力将由工艺迭代能力决定,强者恒强。短期毛利率波动已见修复,在景气上行周期中无需过度担忧竞争格局和价格压力。
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