夜雨聆风导读
一、国际巨头阵营：三星电子、台积电、英特尔 / 美光、Everspin
1. 三星电子：
【公司类型】IDM (设计 + 制造)
【核心技术路线】STT-MRAM 为主，SOT-MRAM 研发中
【最先进工艺节点】8nm eMRAM（2026Q3 量产）
【产品类型】eMRAM IP、代工服务、自有存储芯片
【单芯片最大容量】1GB (独立式)
【量产状态】28nm/14nm 大规模量产，8nm 即将量产
【核心应用领域】汽车电子、消费电子、边缘 AI
【核心优势】工艺最成熟、产能最大、生态最完善
【主要挑战】SOT-MRAM 研发进度落后于预期
2026 年最新里程碑：5 月宣布 8nm eMRAM 通过 0.6V 超低电压验证，Q3 正式量产。
2. 台积电：
【公司类型】纯晶圆代工厂
【核心技术路线】STT-MRAM
【最先进工艺节点】7nm eMRAM（客户验证中）
【产品类型】eMRAM IP、代工服务
【单芯片最大容量】512MB (嵌入式)
【量产状态】22nm 大规模量产，7nm 客户试产
【核心应用领域】汽车电子、工业控制、高端消费电子
【核心优势】代工技术领先、高端客户资源丰富
【主要挑战】eMRAM 良率低于三星，价格较高
2026 年最新里程碑：3 月宣布 7nm eMRAM 进入客户试产阶段。
3. 英特尔 / 美光：
【公司类型】IDM
【核心技术路线】STT-MRAM、SOT-MRAM
【最先进工艺节点】14nm eMRAM
【产品类型】独立式 MRAM 芯片、eMRAM IP
【单芯片最大容量】4GB (独立式)
【量产状态】14nm 小批量量产
【核心应用领域】数据中心缓存、工业控制
【核心优势】大容量独立式 MRAM 技术领先
【主要挑战】嵌入式 eMRAM 进展缓慢，市场份额被三星抢占
2026 年最新里程碑：4 月推出新一代 1GB STT-MRAM 芯片，用于数据中心 SSD 缓存
4. Everspin
【公司类型】Fabless 设计公司
【核心技术路线】Toggle MRAM、STT-MRAM
【最先进工艺节点】28nm
【产品类型】独立式 MRAM 芯片
【单芯片最大容量】1GB
【量产状态】28nm 大规模量产
【核心应用领域】工业控制、航空航天、医疗设备
【核心优势】高可靠性 MRAM 全球领先，抗辐射能力极强
【主要挑战】工艺节点落后，不具备先进工艺能力
2026 年最新里程碑：4 月与 Microchip 达成 10 年制造协议，扩大美国本土产能
二、中国本土阵营：寒序科技、兆易创新、致真存储、磁宇信息
1. 寒序科技：
【公司类型】Fabless 设计公司（AI 专用）
【核心技术路线】STT-MRAM + 近存计算 / 存算一体
【最先进工艺节点】8nm eMRAM（流片成功）
【产品类型】eMRAM AI 加速芯片
【单芯片最大容量】256MB (嵌入式)
【量产状态】8nm 流片成功，2026Q4-2027Q1 小批量
【核心应用领域】边缘 AI、人形机器人、AI PC、车载半导体
【核心优势】AI 专用 eMRAM 架构全球领先，全栈技术能力，产学研深度融合
【主要挑战】量产经验不足，生态建设刚起步，良率有待提升
2026 年最新里程碑：5 月 7 日完成亚洲首个 8nm eMRAM 边缘 AI 芯片流片，支持 20 亿参数大模型端侧运行
2. 兆易创新
【公司类型】Fabless 设计公司（通用存储）
【核心技术路线】STT-MRAM
【最先进工艺节点】28nm
【产品类型】工业级 / 车规级 eMRAM 芯片
【单芯片最大容量】256Mb
【量产状态】28nm 工业级大规模量产，车规级小批量
【核心应用领域】工业物联网、汽车电子、智能家居
【核心优势】国内唯一实现大容量 STT-MRAM 工程化并向大客户送样的企业
【主要挑战】先进工艺进展缓慢，AI 专用芯片布局较晚
2026 年最新里程碑：2025 年 12 月车规级 eMRAM 进入比亚迪、蔚来供应链
3. 致真存储
【公司类型】IDM (设计 + 制造)
【核心技术路线】SOT-MRAM(TST-MRAM)
【最先进工艺节点】80nm
【产品类型】工业级 SOT-MRAM 芯片
【单芯片最大容量】256Kb
【量产状态】80nm 小批量量产
【核心应用领域】工业控制、无人机、军工
【核心优势】国内唯一掌握 SOT-MRAM 完整知识产权并拥有 8 英寸产线的厂商
【主要挑战】容量小，工艺节点落后，市场规模有限
2026 年最新里程碑：3 月 SOT-MRAM 芯片成功应用于 "天目山十三号" 工业无人机飞控系统
4. 磁宇信息
【公司类型】Fabless 设计公司
【核心技术路线】STT-MRAM、SOT-MRAM
【最先进工艺节点】28nm
【产品类型】eMRAM IP、车规级 MRAM 芯片
【单芯片最大容量】128Mb
【量产状态】28nm 原型验证，车规级认证中
【核心应用领域】汽车电子、工业控制
【核心优势】IP 授权模式灵活，车规认证进展较快
【主要挑战】尚未实现大规模量产，客户资源有限
2026 年最新里程碑：2025 年完成车规级 STT-MRAM 原型开发
三、国内外 eMRAM 厂商的关键对比说明
1. 技术路线分化明显
国际巨头：以 STT-MRAM 为主，同时布局 SOT-MRAM，追求工艺节点微缩和容量提升。
国内厂商：呈现差异化竞争格局。
寒序科技：AI 专用路线，将 eMRAM 与近存计算 / 存算一体结合，直击 AI"内存墙" 痛点。
兆易创新：通用存储路线，专注工业级和车规级市场，走进口替代道路。
致真存储：SOT-MRAM 路线，在下一代写入技术上提前布局，主打超低功耗和高可靠性。
附：寒序科技的独特定位
是全球唯一一家专注于 eMRAM AI 加速芯片的企业，其他厂商主要提供通用存储 IP 或芯片。
首次实现了 **"MRAM+SRAM 混合存储 + 近内存处理"** 架构的商业化验证。
采用 "底层架构自研 + 国际生态落地" 的创新模式，既保证了技术自主可控，又解决了先进工艺代工问题。
2. 国内外差距分析
工艺节点：国际巨头已进入 8nm/7nm 时代，国内除寒序科技通过三星代工实现 8nm 流片外，其他厂商仍停留在 28nm 及以上。
产品容量：国际巨头已实现 GB 级独立式 MRAM 量产，国内厂商最大容量仅为 256MB (嵌入式)。
市场份额：2026 年全球 eMRAM 市场中，三星、台积电、英特尔合计占比超过 85%，中国本土企业占比不足 5%。
技术创新：中国企业在AI 专用存算架构和SOT-MRAM等细分领域已实现局部突破，具备弯道超车的潜力。
结语：
eMRAM 赛道还处于早期阶段，格局尚未完全定型。
参考资料：
各公司官方公告与技术白皮书（三星、台积电、英特尔、寒序科技、兆易创新等）, 2025-2026 年
Yole Développement. 《MRAM Competitive Landscape Report 2026》, 2026 年 2 月
国盛证券. 《国内外 MRAM 厂商对比分析》, 2026 年 3 月
中国半导体行业协会. 《中国 MRAM 产业发展白皮书 (2026)》, 2026 年 4 月
关键词：eMRAM AI芯片 存算一体 内存墙 寒序科技
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