夜雨聆风半导体分析机构SemiAnalysis近日发布首份来自其新设拆解实验室的深度报告，对象是华为Mate 80系列搭载的海思Kirin 9030处理器。该芯片基于中芯国际（SMIC）N+3工艺制造，是SMIC第三代7nm级制程。拆解发现，其最小局部金属间距为32.5nm，优于英特尔18A工艺在Panther Lake芯片上采用的36nm间距。
然而，金属间距的领先并未转化为整体密度优势。SemiAnalysis测算，N+3工艺的晶体管密度为每平方毫米1.134亿个，仅略高于台积电成熟N6工艺的1.077亿个，但落后英特尔18A高密度库38%。18A工艺虽然选择了更宽松的金属间距，但借助GAA RibbonFET晶体管和背面供电技术（PowerVia），仍实现了显著的密度优势。
SMIC在不使用极紫外（EUV）光刻设备的情况下，依靠深紫外（DUV）工具和四重图案化技术达到32.5nm间距，代价是额外的掩模和刻蚀步骤带来的复杂性和成本上升。N+3工艺采用了每晶体管双鳍、有源栅极上直接触点接触、单元间单扩散中断等密度优化手段。
性能方面，Kirin 9030 Pro的大核心主频为2.75GHz，每时钟性能接近Arm 2021年时期的Cortex-X2，整体性能与三年前的安卓旗舰相当，落后于苹果、高通、联发科和三星的当前产品。华为的路线图显示其目标是在2031年前达到5GHz，但SemiAnalysis指出，这“远超单纯平面微缩所能实现的范围”。
SemiAnalysis在俄勒冈州希尔斯伯勒设立的拆解工程与评估实验室（STEEL），旨在与加拿大TechInsights在先进节点逆向工程领域展开竞争。该实验室经过18个月建设，已通过数据中心芯片拆解产生收入。拆解还发现Kirin 9030 Pro搭载了三星LPDDR5X内存。
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