夜雨聆风
2026年以来，功率半导体行业正在经历新一轮涨价周期。英飞凌、德州仪器等海外厂商率先发布涨价函，随后国内企业陆续跟进。宏微科技、新洁能、捷捷微电等厂商均已对MOSFET、IGBT等产品进行不同幅度调价，部分产品涨幅达到10%至20%。这一轮涨价背后，AI数据中心、新能源汽车需求增长，以及8英寸成熟制程产能紧张，共同推动了行业景气度回升。
其中，MOSFET成为本轮涨价最明显的品类。由于AI服务器对高压MOSFET和电源管理MOSFET需求大幅提升，大量8英寸晶圆产能被AI基础设施消耗。与此同时，上游原材料、贵金属以及晶圆代工、封测价格持续上涨，也进一步推高了产品成本。新洁能表示，其MOSFET产品已自3月起上调价格；捷捷微电此前也已对相关产品提价10%至20%，并加快南通高端功率器件项目扩产，以缓解产能压力。
相比之下，IGBT涨价节奏稍慢，但趋势已经明确。集邦咨询数据显示，部分车规级硅基IGBT芯片涨幅已达到10%至20%。宏微科技表示，目前IGBT低端产品普遍提价约10%，主要原因在于上游成本上涨以及市场需求逐步恢复。芯联集成也判断，未来IGBT供需平衡可能被打破，市场将出现需求大于供给的局面。
需求端方面，AI数据中心成为最核心的新增市场。随着生成式AI快速发展，数据中心服务器功耗持续提升，带动功率器件需求大幅增长。德州仪器2026年第一季度数据显示，其数据中心业务营收同比增长约90%。英飞凌则预计，到2027财年，公司AI数据中心相关营收将达到约25亿欧元。
与此同时，新能源汽车、储能、光伏和充电桩市场也在同步增长。华润微透露，目前部分新能源相关产品已出现满载状态，汽车电子领域的新客户与新项目也开始放量。
供给端的紧张进一步放大了行业涨价趋势。近年来，台积电、三星等晶圆厂持续削减8英寸成熟制程产能，而AI服务器又大量占用相关资源。TrendForce预计，2026年全球8英寸晶圆代工平均产能利用率将提升至85%至90%。部分晶圆代工厂已全面调涨代工价格，涨幅达到5%至20%；封测环节同样趋紧，部分封测企业近期涨价接近30%。
在传统硅基功率器件紧张的同时，以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体，也正在迎来AI数据中心这一全新应用场景。
随着英伟达推动800V HVDC高压直流架构，AI服务器供电系统开始向更高效率和更高功率密度升级。传统54V机架供电方案已难以满足超大规模AI算力中心需求，碳化硅和氮化镓则成为关键技术路线。其中，碳化硅主要应用于固态变压器、中压直供系统等高功率场景，而氮化镓则更适用于机柜内部高频、高效率DC-DC模块。
业内普遍认为，AI数据中心将成为第三代半导体的重要增量市场。相比新能源汽车和消费电子领域，AI服务器对效率和功率密度要求更高，对成本敏感度相对较低，为SiC和GaN企业提供了更高附加值空间。
目前，国内厂商在这一领域已逐步形成竞争力。天岳先进碳化硅衬底全球市占率已跃居第一；英诺赛科成为英伟达800V系统供应商名单中唯一的中国本土氮化镓企业；比亚迪半导体也推出了1500V高耐压碳化硅芯片。与此同时，时代电气、芯联集成、斯达半导等企业也正在加快碳化硅和氮化镓产线扩建。
整体来看，在AI数据中心和新能源市场双重驱动下，功率半导体行业正进入新一轮上行周期。短期内，供需紧张和成本上涨仍将持续，行业景气度有望延续至2026年底甚至2027年，而第三代半导体也有望借助AI基础设施建设，进一步打开成长空间。
