工信部「AI+通信」意见的光电解读:CPO、全光交换、光电芯片连成一条「光下沉」过渡带,国产到哪一步了

6 月 10 日，工信部印发了《「人工智能+信息通信」创新发展实施意见（2026—2028年）》。这份文件涉及的内容很多，网络、算力、行业治理都有部署。今天我们只挑其中一条线，从光电的角度聊聊它的影响。

先看它点名的那串器件名词：高速光电芯片、全光交换器件、光电共封装器件、智算超节点光电互联。一份部委级的纲领文件，把这几类器件并排写进同一段，本身就是个信号。

如果把这串名词按它们在网络里的位置摆开，会发现它们连成了一条线。光在通信链路上，从城域骨干一路往下沉，一直沉到芯片旁边。这篇就沿着这条线走一遍，看每一段光在替谁干活，政策为什么单独把它点出来，国产又走到了哪一步。

政策点名的，是一串具体器件

在聊之前，让我们先看下原文内容。文件在「夯实人工智能发展底座」这部分写道，要「加强高速光电芯片、高速转发/交换芯片、全光交换器件、光电共封装器件等技术和产品研发」，「开展光电混合组网技术试验」，「加强智算超节点光电互联技术攻关」；在网络这一侧，则提「有序推进城域 400Gbps 及以上、全光交叉等高速光传输系统设备应用」，以及「加快建设 400Gbps/800Gbps 等骨干传输网络」，并定了一个量化目标，到 2028 年，城域算力 1 毫秒时延圈覆盖率不低于 75%。

这里要先做个切分。那一串里还有「高速转发/交换芯片」，它是网络设备的电侧主芯片，不在本文要讲的光器件里，先放下。剩下的全光交换器件、光电共封装器件、智算超节点光电互联，再加上城域骨干的全光交叉，才是这条「光」的线。

还有个细节容易被略过，政策对不同器件用的动词不一样。对城域和骨干，用的是「有序推进……应用」「加快建设」；越往里到光电共封装、超节点这一侧，用的是「研发」「技术攻关」「技术试验」这类词。这一字之差，可以理解为它们各自走到了不同的阶段。一个在铺，一个还在攻。这是读这份文件的一个角度，后面会反复用到。

至于那个「1 毫秒时延圈」，政策把目标定在时延上。时延为什么是光的长项，我们在华为韬定律那篇里详细聊过，感兴趣的可以再去翻看一下。

一条从城域到芯片旁的「光下沉」过渡带

把政策点的这几样东西按距离从远到近排开，就是城域骨干、机房里的 OCS、机柜内的超节点、芯片旁的 CPO。

最远的一端是城域和骨干。几十到几百公里的传输，光早就是主力，这一段没什么悬念。政策里的「全光交叉」指的是 OXC（光交叉连接），让波长在光层直接调度，省掉一个个节点上反复的光—电—光转换。这是最成熟的一格。

往里走，到数据中心机房内部，是全光交换 OCS。它用光开关在物理层直接重构大流量的连接关系，把一部分本来要过电交换芯片的流量挪到光层，减少反复的光电转换和包交换压力。注意是「一部分」。OCS 处理的是相对稳定的大颗粒连接，并不替代全部电交换，两者是配合关系。这一层的格局，我们在OCS 光交换进入战国时代里详细聊过，这里就不具体展开了。

再往里，是智算超节点。这是一个应用场景，指把一柜或几柜的 GPU、NPU 在 scale-up 域里用高带宽连起来。这一段历来用铜，但速率和距离一起往上顶的时候，铜开始撑不住，光就往里接管。

NPO 是近封装光学，光引擎贴在 ASIC 旁边的板子上；CPO 是共封装光学，光引擎和 ASIC 做进同一个封装基板里。两者都是为超节点这个场景服务，只是光往芯片贴近的程度不同。铜和光在这一段按距离、速率分着用，不是谁把谁完全取代。

最里的一端是封装内的 CPO。把光直接下沉到 ASIC 同一个封装里，目的是缩短芯片到光之间那段高速电通道，降低 SerDes、retimer 和面板 I/O 的压力。这是「光替代电」这条线上最后、也是最难的一段。至于 CPO 那一颗光引擎从硅片到成品要走多少道工序，CPO 工艺流程全景那篇有详细的介绍。

把这四段连起来看，不能简单概括成「距离越长光越好」。光往哪一段沉、什么时候沉，由距离、速率、功耗、可维护性几个因素一起决定，是一条有先有后的过渡带。政策这次特别的地方，是把这条过渡带上的几格器件一次性都点了名。

政策的措辞梯度，对上国产成熟度的两根轴

把这条过渡带和国产的实际进度对一下，得用两根轴来看。一根是系统部署的成熟度，看某一段的光互连在真实网络里到底铺到了什么程度；另一根是核心器件的国产短板，看做这段光互连要用的关键芯片、器件，国产补齐了没有。我们现看第一根。

系统部署这根轴，大体从城域往封装内递减。

城域骨干这一端最实。中国移动的 400G 全光省际骨干网已经商用，首条是北京到内蒙古，国产系统厂商在这一层是主力。但要说清楚，系统强不等于每个核心器件都国产到位。相干 DSP、高端的 WSS / ROADM 这些器件，国产仍有一项项要补的缺口。所以这根轴量的是「系统部署到了哪一步」，不是「国产全链做齐了」。

往里到 OCS，国产已经能拿出产品。光迅科技在 OFC 上展示过 320×320 端口的 MEMS 全光交换，华为也有自己的 OCS 方案。但海外把 OCS 做进规模生产网络已经有几年，Google 的 Apollo 是公开可查的标杆。国产现在是有产品、有平台能力，离「在大规模生产网络里稳定跑很多年」还差调度软件和长期可靠性这两块。

再往里到超节点，国产这一段反而不弱。华工正源和阿里云联合点亮了 3.2T 的 NPO 模块，已经进入长期可靠性测试。它的工程取舍值得看一眼。用 Linear Drive 省掉了 DSP，功耗和时延都更友好；光源走 ELSFP 外置，激光器怕热又娇气，放在封装外面能单独拔插更换。

这里要避开一个常见误解。外置光源不是 NPO 的专利，主流 CPO 方案同样倾向把激光源外置，道理一样是怕热怕坏。NPO 在超节点这段先跑起来，真正的原因在封装本身。光引擎贴在 PCB 板上，组装难度和良率风险都比 CPO 那种基板级共封装低一截。

到最里的封装内 CPO，全球大体还在工程化的前夜，NVIDIA、TSMC、Lumentum 在前面探路。国产能参与的主要是封装和无源这些环节，而把交换 ASIC、硅光 PIC、电芯片、光源、封装、运维整条链做到规模量产，目前没有公开的证据。

再看第二根轴，核心器件的国产短板。它并不沿着距离单调变化。超节点这段国产 NPO 已经点亮，短距侧并不落后。真正吃力的，是这几层共同踩着的那块底层。

横在所有层下面的，是地基那块芯片

不管是 OCS、NPO 还是 CPO，往下扒到底，都站在同一块地基上：高速的光源、调制器、探测器，以及硅光 PIC。这块地基里，最容易用公开数据追踪进度的，是 200G 每通道的 EML。

国产在这一档上正卡在量产的临界线。长光华芯的 100G EML 已经量产、200G 在送样；源杰的 200G EML 在头部客户验证阶段；云岭光电的 112G 波特率 EML（对应单波 200G）也在送样；东山精密旗下的索尔思则已经能量产 200G EML（索尔思是收购来的资产，和长光华芯、源杰这种本土自研不同）。整体看，国产这一档还在从验证走向放量的路上，大致是这一两年的事。

要补一句，地基不只是 EML。CPO 可以走外置 CW 激光加硅光调制器，OCS 重度依赖 MEMS 和光纤阵列。EML 是一颗好用的钉子，但不是唯一的地基。

总的来说，上面的封装、系统做得再漂亮，地基的速率上不去，整条线就受制。这大概也是政策那串名词里，「高速光电芯片」被摆在第一位的原因。

写在最后

读这份政策，我们可以看到两件事。

一是它的措辞强度大致对应着推进阶段。在铺的用「推进应用」，在攻的用「技术攻关」，对着读能省不少力。二是看国产的真实位置，得两根轴一起拿。系统部署从城域往封装内递减，核心器件的短板则集中在最底下那块地基芯片上。

往后这条线怎么走，几个可以关注的点正好落在这两根轴上。系统部署这根，往里盯两头。国产 OCS 能不能从展会上的演示走进规模生产网络，城域 400G、800G 全光骨干又铺得多快。器件这部分，关注最底下那格，200G EML 的国产产能什么时候真正放出来，以及国产 CPO 那条从交换 ASIC、硅光 PIC、光源到封装的全链，什么时候出现量产闭环。这几个点动起来的快慢，就是这条「光下沉」之路真实的刻度。

我们也会持续跟踪关注，并第一时间给大家带来最新进展。

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