磷化铟(InP):AI光互连的＂光之基石＂与国产化卡位图谱

磷化铟（InP）衬底已从单纯的化合物半导体材料升级为AI算力光互连产业链中绕不过去的底层瓶颈。随着全球AI数据中心加速部署800G向1.6T光模块迭代——据行业机构测算单颗1.6T模块磷化铟消耗量可达800G的2.7~3倍——上游InP衬底需求呈非线性爆发，而全球有效产能仍高度集中于日本住友电工、美国AXT、日本JX等少数厂商，合计市占率超90%。据Omdia及Yole数据，2025—2026年全球磷化铟衬底供需缺口维持在70%上下，6英寸高端衬底国产化率不足5%，价格自2025年初至今涨幅已逾200%，扩产受限于单晶生长极端工艺控制、MOCVD等设备交期及长达1~2年的下游认证周期，短期供给弹性极低。

磷化铟位于光通信产业链"上游高纯铟/红磷→InP多晶合成→单晶衬底→外延片→InP基光芯片（DFB/EML/CW）→高速光模块→AI数据中心"的中轴位置，是制造1550nm波段激光器与探测器的唯一成熟衬底方案——其直接带隙特性可精准匹配光纤最低损耗窗口，硅基集成方案在可预见的3~5年内无法在成本与性能上实现全面替代，尤其在1.6T及以上高速率场景磷化铟基光芯片仍具不可替代性。工信部将化合物半导体衬底自主可控列为重点方向，"东数西算"新建智算中心要求核心光器件国产化率不低于70%，叠加我国掌控全球约70%~75%铟资源储量及近年对镓、锗、铟相关制品的出口管制，海外衬底厂商原料获取存在变数，为国内衬底及配套高纯材料企业打开替代窗口。

正是在这样的产业背景下，产业链中真正具备资源、技术、产能和客户卡位的公司，开始成为市场关注的核心。下面从产业链上下游角度，对相关公司进行梳理。

锡业股份（000960）——上游铟资源龙头，磷化铟关键原料战略供给方

主营业务：

全球锡产销量第一、铟资源储量领先的有色金属采选冶一体化企业，具备锡、铜、锌、铟全产业链深加工能力，高纯铟（≥6N）产线已投产。

概念关联：

位于磷化铟产业链最上游——高纯铟原料环节。铟是合成磷化铟（InP）单晶不可或缺的核心元素，高纯铟品质直接影响衬底电学与缺陷性能，公司是国内少数可稳定量产通信级高纯铟的企业。

业务看点：

公开资料显示公司伴生铟年产能超数十吨，高纯铟产品已向下游磷化铟衬底厂商供货；在铟出口管制趋严背景下，国内衬底厂商原料优先向内资采购，公司具备资源溢价重估逻辑。磷化铟是高纯铟需求的新增高景气拉动项，但铟业务占公司营收比重仍相对有限。

行业地位：

全球锡铟双资源寡头，A股最纯正的铟战略资源标的，磷化铟产业链的上游资源卡位方。

有研新材（600206）——央企材料平台，高纯铟+磷化铟衬底双线布局

主营业务：

央企控股的新材料平台企业，主营高纯金属/靶材、稀土材料、光电晶体材料及半导体级溅射靶材，是国内高纯金属材料的核心供应商。

概念关联：

横跨磷化铟产业链"高纯铟原料→InP衬底"两个环节：一方面为衬底厂提供6N级以上高纯铟及铟靶材，另一方面通过子公司布局2~4英寸磷化铟衬底量产线，6英寸产品处送样认证阶段。

业务看点：

据公开信息整理，公司是国内极少数打通"高纯铟提纯→InP多晶合成→衬底加工"全流程的企业之一，高纯铟自给构筑成本与安全优势；InP衬底已通过部分光通信客户验证，产能处稳步爬坡阶段。作为"半导体材料国家队"，在化合物半导体自主可控政策导向下具备较强项目承接能力。

行业地位：

国内高纯金属与化合物半导体材料先行者，磷化铟衬底国产替代的重要参与者与上游高纯材料主力供应商。

云南锗业（002428）——A股磷化铟衬底龙头，稀缺的规模化量产标的

主营业务：

集锗矿采选、火法/区熔提纯、精深加工于一体，产品涵盖区熔锗锭、红外锗镜片及化合物半导体衬底（GaAs/InP），控股子公司鑫耀半导体专营磷化铟与砷化镓衬底。

概念关联：

位于磷化铟产业链中游衬底制造环节，是国内极少数实现InP衬底规模化量产并批量向下游光模块及光芯片厂供货的A股上市公司。华为哈勃通过参股鑫耀半导体实现战略绑定（公告显示持股约23.91%）。

业务看点：

公司公告及公开资料显示，现有4英寸InP衬底产能约15万片/年，2026年启动扩建项目规划总产能提升至45万片/年（折合4英寸当量），6英寸产品已小批量交付验证，良率持续改善；客户覆盖国内头部光模块与光芯片厂商，部分订单可见度延伸至2027年。衬底是InP产业链壁垒最高、供需最紧张的环节，扩产后的良率爬坡与大客户认证进展为核心跟踪变量。

行业地位：

国内磷化铟衬底绝对龙头，A股最纯正的InP衬底标的，全球少数掌握2~6英寸InP衬底量产技术的企业之一。

三安光电（600703）——化合物半导体IDM平台，InP外延+光芯片全链条布局

主营业务：

国内化合物半导体综合平台，覆盖LED、射频前端、电力电子及光通信芯片，在厦门、湖北等地建有大型化合物半导体晶圆厂。

概念关联：

位于磷化铟产业链"衬底外延→光芯片制造"环节，具备自建InP衬底产线+外延生长+芯片制造能力，是少数实现InP光通信外延片与激光器芯片全流程IDM的企业。

业务看点：

据公开资料整理，公司InP外延片产能近6000片/月，6英寸InP光芯片外延工艺能力已具备，200G EML外延片批量供货，800G/1.6T相关高速光芯片处客户验证与爬坡阶段，产品已导入华为等头部客户供应链。作为工信部认定的化合物半导体标杆企业，在国产算力基础设施自主化浪潮中扮演关键平台角色，但磷化铟业务当前占公司总收入比重仍待提升。

行业地位：

国内化合物半导体IDM平台型龙头，磷化铟外延与光芯片国产替代的核心参与者。

源杰科技（688498）——磷化铟基高速光芯片龙头，800G/1.6T核心受益方

主营业务：

专注于磷化铟基光芯片IDM（设计—晶圆制造—封测）的Fab-lite企业，主攻数据中心与电信市场的CW光源、DFB及EML激光器芯片。

概念关联：

位于磷化铣产业链下游——InP基光芯片（激光器芯片）环节，是磷化铟衬底的直接大规模采购与使用方，产品直接用于800G/1.6T光模块的发射单元。

业务看点：

公司公告显示25G/50G/100G DFB及CW光源芯片已批量出货，100G EML实现量产导入，200G EML处验证阶段；CW光源产品已进入全球头部云厂商及英伟达供应链相关认证环节，据第三方机构数据在全球硅光CW光源细分市场占有一定份额。作为直接承接AI光模块芯片需求的标的，其业绩与下游云厂商CAPEX及光模块升级节奏高度相关，上游衬底供给稳定性是潜在制约因素。

行业地位：

国内磷化铟基高速光芯片（激光器芯片）领军企业，国产替代兑现度较高的下游环节标的。

长光华芯（688048）——高功率激光芯片延伸InP光通信，外延平台已搭建

主营业务：

以高功率半导体激光芯片（VCSEL/EEL）起家，横向拓展至光通信InP外延片及芯片、可见光激光芯片，布局激光雷达与光通信双赛道。

概念关联：

位于磷化铟产业链下游光芯片/外延环节，公司已建成磷化铟外延工艺平台，可适配多种尺寸InP衬底进行外延生长验证，1550nm波段光通信用外延片处客户送样阶段。

业务看点：

公开资料显示公司100G EML类产品已量产送样，200G EML在研；依托在高功率半导体激光芯片领域积累的外延与制程能力向InP光通信芯片延伸，具备平台化技术复用优势。目前光通信业务收入占比仍较低，属潜力培育业务。

行业地位：

国内激光芯片龙头二次拓展InP光通信芯片领域，具备外延—芯片一体化技术储备的平台型企业。

光迅科技（002281）——央企光器件龙头，InP芯片—模块垂直一体化

主营业务：

中国信科集团旗下光电子器件与子系统供应商，覆盖光芯片、光器件、光模块全链条，是国内少数具备InP光芯片自研自产能力的光模块厂商。

概念关联：

位于磷化铟产业链下游"InP光芯片+光模块"环节，公司内部消化部分自产InP衬底/外延片用于激光器芯片制造，再集成至800G/1.6T光模块，形成垂直整合闭环。

业务看点：

据公司公告及公开信息，自研InP基DFB/EML芯片已在部分速率光模块中商用，3.2T NPO样机发布，800G/1.6T光模块处头部云厂商验证阶段。央企背景赋予其在"东数西算"国产化率考核下的拿单优势，垂直一体化有助于对冲上游衬底涨价压力。

行业地位：

A股唯一覆盖"InP光芯片→器件→光模块"全链条的央企平台，磷化铟需求的最直接承载方之一。

整体来看，磷化铟产业链竞争格局已初现轮廓：上游由铟资源与高纯材料决定原料安全与成本底线，中游衬底制造（单晶生长+加工）是当前最大产能瓶颈与技术壁垒所在，下游光芯片与光模块承接AI数据中心的需求爆发。真正的供给约束正从"光模块产能"向"InP衬底良率与有效产能"转移，具备衬底量产能力及高纯原料自给的企业在本轮供需错配中享有更高议价权，而下游已通过大客户认证的InP光芯片厂商则直接分享算力光互连升级的增量红利。