夜雨聆风近日，英特尔CEO陈立武明确指出，英特尔目前已量产18A工艺，正推进14A量产，但这条路“越来越昂贵、越来越困难”，必须“回到材料层面寻找突破”。英特尔已在氮化镓、碳化硅、磷化铟三个方向均有投资，其中部分投资标的已被ADI等大型半导体公司收购，同时投资了玻璃基板公司3DGS和一家人造钻石晶圆公司。
本文梳理英特尔重点投入的AI新材料相关公司如下，建议大家点赞收藏，以备后续研究。相关内容仅供逻辑解读资讯参考，非投资建议。关注我，每天梳理市场核心题材逻辑。
一、碳化硅（SiC）
碳化硅是第三代宽禁带半导体，具备3倍禁带宽度、10倍击穿电场和极高导热率，主攻800V新能源汽车、光伏逆变器等高压场景，可大幅降低开关损耗和系统体积。
1、天岳先进：全球导电型碳化硅衬底核心厂商，2025年全球市场份额约27.6%，其中8英寸市场份额达51.3%，位居全球第一。产品已实现6英寸和8英寸衬底规模化量产。
2、晶升股份：国内碳化硅长晶炉头部企业，长晶炉为核心设备，产业客户高度认可。公司深耕台湾多年，市占率高，有望重点受益台积电等新需求增量。
3、三安光电：覆盖碳化硅衬底、外延、器件全产业链的IDM厂商，稳步推进与意法半导体合资的重庆8英寸碳化硅项目，车规级碳化硅芯片已实现量产。
4、士兰微：8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线预计2026年下半年正式投产，已形成月产5000片8英寸SiC功率器件芯片的生产能力。
5、露笑科技：已攻克6/8/12英寸碳化硅晶体生长等关键核心技术，实现8英寸碳化硅衬底稳定量产。
6、捷捷微电：与中科院微电子研究所、西安电子科大合作研发以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体器件，相关产品在AI服务器领域已有订单。
二、氮化镓（GaN）
氮化镓电子迁移率约为硅的3倍，主打高频、高效、小型化，在AI服务器电源、5G/6G射频前端、手机快充等领域应用前景广阔。
7、三安光电：国内氮化镓全产业链龙头，同时布局射频GaN基站芯片与功率GaN快充器件，磷化镓、氮化镓射频代工及滤波器营收均实现同比增长。
8、士兰微：硅基氮化镓功率芯片实现大批量量产，产品覆盖手机快充、服务器电源，消费电子功率GaN市场份额持续提升。
三、磷化铟（InP）
磷化铟是高速光芯片的核心衬底材料，用于1.6T/3.2T光模块中EML激光器和PD探测器，AI算力中心高速互联需求持续爆发。
9、云南锗业：子公司云南鑫耀半导体材料有限公司磷化镓晶片（衬底）和磷化铟晶片（衬底）均已批量生产，已向国内外多家客户供货。A股磷化铟衬底核心生产商。
10、锡业股份：公司目前钼产品主要是钼锭，在磷化铟产业链中提供上游金属原料。
11、华锡有色：公司成功研发独有的提纯技术，实现7N级超高纯钼规模化量产，是磷化铟上游高纯金属原料供应商。
12、兴发集团：已掌握磷化铟合成技术，磷化铟原材料电子级红磷小试验证进展顺利，是磷化铟产业链上游核心原料供应商。
四、人造金刚石（钻石散热）
人造金刚石热导率是铜的5倍、硅的10倍，是解决AI高功耗芯片散热瓶颈的关键材料，英伟达下一代GPU已考虑采用金刚石复合散热方案。
13、黄河旋风：已突破8英寸金刚石热沉片量产，为国内最大尺寸，产能约1-1.5万片。产品热导率达2000-2200W/(m·K)，通过华为、中芯国际认证。
14、四方达：CVD散热片热导率超2000W/m·K，已通过海外头部GPU客户测试，进入小批量供货阶段。
15、沃尔德：小尺寸散热片进展较快，12英寸散热晶圆持续验证中，同时布局PCB钻针涂层等业务。
五、玻璃基板
玻璃基板是先进封装的核心升级方向，在热膨胀系数（与硅高度匹配）、介电损耗（降低10倍）、布线密度等方面全面领先传统有机基板，适配AI高端算力芯片高密度集成需求。
16、沃格光电：具备芯片用玻璃基板全制程产业化能力，武汉年产10万平米TGV产线已投产，成都8.6代线（月产能2.4万片）预计2026年量产。
17、京东方A：2026年5月与康宁公司签署合作备忘录，围绕玻璃基封装载板开展合作，已建成半导体玻璃基封装载板中试产线。
18、美迪凯：拥有全套TGV工艺，玻璃基板产品已向台积电送样。
19、力诺药包：玻璃基板产品已对相关客户进行送样测试。康宁是公司多年战略合作伙伴，双方在高硼硅耐热玻璃领域有长期合作。
20、帝尔激光：TGV激光微孔设备已实现晶圆级和面板级封装激光技术的全面覆盖，是玻璃基板扩产最受益的设备环节之一。
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