二极管详细参数说明

核心参数说明，推荐大家多看看大厂的手册，写的更全面一些

1. 反向耐压值VRRM：1200V

一般来说在第一版选型的时候可以把裕量留在1.5-2倍之间，后续根据实际测试到的电压调整耐压值的裕量，以便减少成本

2. 135°下的正向导通电流：62A

指的是指定壳温下，二极管可长期连续导通的正向电流，不同结温能流过的电流大小不一样，比如说某个型号的碳化硅二极管在25°下能流过的正向电流为133A，而135°下只能流过62A，而在162°下只能流过30A。因此在选的时候一定要注意结温的大小

3. 关于二极管的电容

不同类型的二极管对电容的侧重点不一样

像碳化硅肖特基二极管是单极子导电，只有多子，不存在少子存储效应，所以没有反向恢复过程，自然就没有Qrr这个参数，手册中只会标注结电容总电荷Qc，而这个Qc不是什么特别重要的参数

而对于Sic 快恢复二极管来说，因为是双极二极管，同时存在多子少子，在关断时候必须抽走存储的少子，所以会形成明显的反向电流尖峰，存在明显的反向恢复电流，所以手册才会重点给出Qrr，即反向恢复电荷

比如说英飞凌的这个Sic 快恢复二极管

4. 像英飞凌还会给出Diode pulsed current，也就是二极管正向所能承受的脉冲电流大小，指的是10ms内能承受的脉冲电流大小

5.非重复浪涌正向电流Diode surge non repetitive forward current，是单次冲击的核心指标

手册中给的定义是在指定脉冲宽度（工业标准通常为 10ms，对应工频半个周期）的正弦半波电流下，二极管可承受的单次、不重复的峰值电流，冲击间隔足够长，无热累积

一般来说，在短时间内有大电流续流需求的电路，需要重点关注一下这个参数

6. 重复浪涌正向电流Diode surge repetitive forward current，上面的单次不可重复的，而这个参数是可周期性重复施加的正弦半波浪涌峰值电流

一般适用在设备需要频繁启停、周期性脉冲冲击等工况

7. 总耗散功率Ptot，这个参数主要是用于散热设计，定义是在指定外壳温度条件下，二极管芯片结温不超过额定最高结温（175℃）时，器件允许长期连续耗散的总最大功率

比如说英飞凌的这款快恢复二极管，它在25°下的耗散功率有156W

一般来说，不会取25°的耗散功率作为热设计的标准，通常取100°

电路中二极管的损耗主要包括

(1) 导通损耗：正向电流×正向压降Vf*If

(2) 开关损耗：对于Sic 快恢复二极管来说主要考虑反向恢复损耗，而对于肖特基二极管来说，主要考虑结电容的充放电损耗

(3) 反向漏电损耗：根据反向电压和漏电流来计算

可以得到实际中总的损耗，Ptrue

通过实际损耗，可以大概推算出芯片的结温

而根据最高要求的结温，电路中的实际损耗，可以推算出散热器需要的散热能力，即散热器的热阻

先按照其他参数选管子，选好了以后根据二极管参数计算实际损耗，验证实际损耗时候是否满足二极管额定耗散功率，要留有裕量。

如果验证通过，再根据实际损耗和结温要求去设计二极管的散热器

如果是短时间内流过大电流，比如说几个ms，那么其实就不需要考虑二极管的散热设计，因为热量来不及积累

8. 二极管正向导通压降，这个参数主要是用于计算导通损耗

9. 反向漏电流，二极管施加额定值以下反向电压的时候，虽然近似处于开路状态，但实际上还是有很小的漏电流过去

10. 二极管反向恢复时间，抽走少子需要的时间，也就是二极管反向恢复电流归0 的时间

除了上面比较重要的参数以外，像英飞凌这种大厂还会把封装相关的寄生参数给出来，这点在对我们进行仿真的时候非常友好