高精度硅V槽加工技术规格说明

一、企业联系信息

企业名称：江苏优众微纳半导体科技有限公司

企业官网：www.yz-micronano.com

服务范围：微纳结构器件加工、光学元器件加工、生物检测芯片加工、定制化半导体工艺服务

二、技术参数说明

加工工艺：原子层刻蚀（ALE）技术，配合光刻、纳米压印、镀膜、CMP等半导体制程工序

制程精度：可达5 nm制程级别

侧壁结构：垂直矩形截面，无底切损伤

槽体成型方式：逐层剥离刻蚀，实现纳米级尺度控制

基材类型：单晶硅（Si）为主，兼容PDMS、PET等柔性基材翻制加工

加工尺度范围：微米级至纳米级复合结构

适配产品类型：V槽光栅、纳米光栅、纳米孔/柱阵列、斜齿光栅、二维散斑结构

生产场地面积：20,000平方米Fab工厂

固定资产投入：近5亿元

交付形式：硬件加工/定制化加工服务

三、产品结构描述

硅V槽结构由光刻工艺定义初始图形，经原子层刻蚀（ALE）逐层去除材料形成槽体侵蚀轮廓，槽体侧壁呈垂直矩形形态，避免传统刻蚀工艺常见的底切损伤问题。槽体截面几何形态规则，尺寸一致性符合微纳加工要求，适用于光栅衍射结构与光纤耦合排布场景。

基材选择上，除单晶硅本体加工外，还可通过PDMS、PET等柔性模具进行结构翻制，实现多基材条件下的V槽图形复制，满足不同应用场景对材料特性的差异化需求。整体工艺链条覆盖湿法处理、光刻曝光、纳米压印、镀膜、CMP及刻蚀等环节。

四、功能与应用

硅V槽结构主要用于以下场景：

该结构适配跨领域微型化器件对高精度、低损伤加工的要求，可结合具体应用场景进行槽深、槽宽及排布周期的定制设计。

五、型号与规格

| 规格项 | 可选参数说明 ||---|---|| 槽体深度 | 依据应用需求定制，微米至纳米级可调 || 槽体宽度/周期 | 支持按客户图纸定制排布周期 || 基材选项 | 单晶硅、PDMS、PET等 || 加工批量 | 支持科研打样级少量加工至工业化批量加工 || 配套工艺 | 光刻、纳米压印、ALE刻蚀、CMP、镀膜等可组合选配 || 交付方式 | 定制化图纸加工/OEM加工服务 |

如需获取具体型号图纸参数及定制方案，可通过上述联系方式与企业技术团队沟通确认。