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导读
最近一年，AI硬件产业链的价值分布发生了一个值得注意的变化。AI算力芯片此前一直是资本市场的核心叙事，但存储芯片环节正在以超出多数预期的速度，成为AI硬件领域新的战略制高点。
OpenAI首席运营官Brad Lightcap在一次行业会议中做出明确判断：存储已取代电力，成为当前AI基础设施建设中最紧缺的资源。这一判断的依据并非抽象推演，而是来自AI训练与推理工作负载对数据带宽、容量及延迟的实际约束。
市场规模数据也印证了Brad Lightcap的判断。据Yole Group及多家机构综合测算，全球AI相关存储市场规模2025年已达394.9亿美元，预计2026年将增长至501.9亿美元，年复合增长率27.1%。
那么，AI产业拉动存储产业需求暴增的原因是什么？有哪些高价值存储产品？哪些公司赚钱？我们一一拆解。
01.为何存储产业需求暴增？
存储产业需求暴增的最大驱动力来自于AI产业全面落地。AI产业对存储需求的拉动并非线性外推，而是由三个相互独立但又叠加放大的结构性缺口共同作用的结果。
①数据规模缺口：训练与推理的数据量级已超出原有存储体系的设计边
目前，AI大模型训练的数据集正在从TB级向PB级甚至EB级跃迁，以GPT-4类模型的公开信息为例，其训练数据规模约为13万亿token，对应的原始数据存储需求在数百TB量级。
相比于大模型训练侧，推理侧的数据流动更为庞大。一次大模型推理请求虽然单次数据量小，但并发请求的累积读取量远超训练阶段。据某头部云计算厂商内部测算，推理场景下的日均数据读取量可达训练阶段的10至50倍。
在训练侧和推理侧海量数据读取需求的作用下，传统企业IT系统的存储架构已无法满足AI工作负载对存储系统高带宽、低延迟与海量并发能力的工作需求。原有存储产品的设计边界已被AI需求突破。
②容量增长缺口：存储密度提升速度落后于AI数据膨胀速度
传统半导体行业长期遵循的存储密度提升节奏约为每三年翻一番。但AI大模型对存储容量的需求，根据公开行业数据分析，大约每9至12个月翻一番。
数据一对比就很明显，存储容量增长跑不过AI数据高速膨胀。这种情况下，即便存储产能满负荷运转，仍然无法满足AI需求端的自然增长。
目前存储产品采购交付期的变化也能反应供需问题。2025年，多家数据中心运营商反馈企业级SSD与DDR5内存的采购交期从正常的6至8周延长至20周以上，本质原因并非产能绝对不足，而是需求增速持续超出供给弹性。
③资源优先级缺口：原厂产能向高附加值存储产品倾斜，压缩传统存储供给
说到高附加值存储产品，就得说说HBM（高带宽内存）。据上市公司公开数据测算，HBM（高带宽内存）的单位晶圆收入约为传统DDR4/DDR5的3至5倍。在此经济规律驱使下，三星电子、SK海力士、美光科技三家主要DRAM原厂已将相当比例的先进制程产能从DDR4/DDR5转移至HBM。
这一由DDR4/DDR5到HBM的产能再分配的结果是，传统服务器内存与消费级内存的供给增速低于AI相关存储产品，从而在更广泛的市场层面形成“缺货—涨价—进一步强化HBM优先级”的正反馈循环。
02.存储产品高价值金字塔——三类存储产品的不同分层
AI的确引爆了存储产品市场需求，但需求增长并非均匀分布。我们根据存储产品在AI训练、推理链路中的功能定位、技术壁垒与单位价值量的差异，梳理出三类代表性AI存储产品，形成存储产品高价值金字塔。
①顶层：HBM——AI算力的“内存屏障破除者”
HBM是一种基于3D堆叠和硅通孔技术的高性能DRAM。HBM通过立体堆叠”和“超宽总线”彻底改变了传统内存的布局方式，是目前AI加速卡和数据中心突破“内存墙”瓶颈的核心产品。
HBM的技术壁垒集中在TSV工艺、晶圆级堆叠、热管理及测试良率，目前全球仅SK海力士、三星电子、美光科技三家原厂具备稳定量产能力，其产能稀缺性也决定了HBM存在于高价值存储产品的金字塔尖。
我们以NVIDIA H100/H200为例，单个GPU需搭配数颗HBM堆叠，总带宽超过3.35 TB/s。若改用传统GDDR或DDR，同等带宽需要数倍芯片面积与功耗。HBM单位带宽功耗约为GDDR6的三分之一，这一差距在万卡级集群中直接决定PUE与运营成本。这就是HBM的核心价值体现。
②中层：企业级SSD（PCIe 5.0/6.0 + QLC NAND）——数据中心的“存力底座”
企业级SSD（Enterprise SSD）是专为数据中心、服务器和关键业务系统打造的硬盘。它不像家用SSD那样追求性价比，而是死磕极端稳定、超高耐用和持续高性能，主打7×24小时不停机、高负载下的极致稳定和绝对数据安全。
如果说HBM解决GPU近存带宽问题，那么，企业级SSD解决模型数据、训练检查点、推理日志的持久化存储问题。两者的分工明确：HBM负责计算过程中的瞬时数据交换，企业级SSD负责训练前后及推理过程中的数据驻留。
企业级SSD的高并发随机读取性能，可满足AI推理场景服务需从SSD反复加载模型权重片段的工作要求，另外，在训练数据集和模型版本数量正以指数级增长的情况下，企业级SSD大容量下的总拥有成本（TCO）优势就能体现了。
一句话总结企业级SSD在AI硬件领域的地位：谁卡住企业级SSD的供应，谁就握住数据中心存力的咽喉。
③底层：端侧AI内存（LPDDR5X / DDR5 SO-DIMM）——AI落地的“毛细血管网络”
目前，AI推理有从云端向端侧设备扩散的趋势。这就要求端侧AI设备，如AI PC、AI手机等，其内存带宽和容量同步升级。
这种情况下，LPDDR5X凭借低功耗与高带宽（可达8.5 Gbps以上），成为端侧AI推理终端的主流选择，DDR5 SO-DIMM在台式机和入门级AI工作站中占据位置。
端侧AI存储的单台价值量远低于HBM，但出货量以亿台计，构成金字塔的宽阔底座。
03.AI存储三层产品公司图谱
国内AI存储产业公司分布，按层级逐一拆解。
① 顶层：HBM产业——海外三巨头主导，国内以分销与封装追赶
公司名称 | 上市状态 | 核心AI存储业务 | AI存储业务核心竞争力 |
香农芯创 | 上市公司 | SK海力士HBM国内独家分销 | HBM独家分销权，高周转模式放大周期弹性 |
万润科技 | 上市公司 | 与长江存储联合研发HBM3E封装 | 定价对标国际厂商低30%-50%，自主封装能力 |
通富微电 | 上市公司 | HBM后道封装配套（与SK海力士协议推进中） | AMD主要封测供应商，先进封装技术积累 |
长鑫存储 | 非上市（拟IPO） | HBM3量产（12层堆叠），月产能6万片晶圆 | 国产HBM核心突破者，技术差距缩短至三年以内 |
长江存储 | 非上市 | HBM技术研发，LPDDR5工程样品 | 3D NAND技术积累向DRAM/HBM延伸 |
全球HBM市场仍由SK海力士、三星电子、美光科技三家垄断，国内企业目前主要渗透其价值链上下游环节。当前国内公司的参与方式为三种：以香农芯创为代表的分销代理，以万润科技为代表的联合封装，以通富微电为代表的后道封装配套。
值得关注的是，长鑫存储已于2026年4月启动HBM3大规模生产，是国产HBM制造端的主要突破力量。长江存储HBM业务仍在技术研发阶段。
②中层：企业级SSD存储——模组与主控厂商双轮驱动
公司名称 | 上市状态 | 核心AI存储业务 | AI存储业务核心竞争力 |
江波龙 | 上市公司 | eSSD+RDIMM+SOCAMM+MRDIMM+CXL 2.0全栈企业级产品 | 全产品线覆盖，鲲鹏/海光/AMD等全平台兼容认证，2026Q1净利润同比增长26倍 |
德明利 | 上市公司 | 企业级SSD及嵌入式存储 | 前瞻性布局企业级市场，产品放量期业绩弹性大，2026Q1实现扭亏 |
佰维存储 | 上市公司 | 企业级SSD模组（全球前十，国内前五） | 自研主控+封测一体化，信创PC SSD份额国产第一，2026Q1实现扭亏 |
澜起科技 | 上市公司 | DDR5内存接口芯片，CXL MXC互连芯片 | 全球DDR5接口芯片龙头，CXL技术布局领先，毛利率69.8% |
忆恒创源（同有科技参股） | 非上市 | 企业级PCIe SSD | 国内企业级PCIe SSD头部独立厂商 |
泽石科技 | 非上市 | 基于3D NAND的企业级SSD | 中科院微电子所技术背景，数据中心高性能计算适配 |
忆芯科技 | 非上市 | 企业级SSD主控芯片 | 国产自研智算中心/数据中心主控方案 |
得一微 | 非上市 | SSD主控芯片，AI-MemoryX显存扩展技术 | PCIe Gen5存力主控，显存扩展技术差异化 |
企业级SSD存储环节的国内上市公司以模组厂商为主。江波龙2025年企业级收入同比增长93%，2026年一季度整体净利润同比增幅达26倍；德明利和佰维存储同样在一季度实现扭亏为盈。澜起科技以内存接口芯片为核心，毛利率接近70%。
非上市公司方面，忆恒创源拥有600余家企业客户，泽石科技完成C++轮融资，忆芯科技与得一微在企业级SSD主控领域各自占据细分位置。
③底层：端侧AI存储及NOR Flash——量大面广，增长最确定
公司名称 | 上市状态 | 核心AI存储业务 | AI存储业务核心竞争力 |
兆易创新 | 上市公司 | NOR Flash、利基DRAM、定制化存储 | 全球NOR Flash市占约20%，利基DRAM受益海外大厂退出，2026Q1净利润同比增长5.2倍 |
佰维存储 | 上市公司 | AI眼镜/穿戴存储（ePOP）、Mini SSD、AI PC存储 | ePOP已导入Meta/Google/阿里/小米；Mini SSD达2TB/15×17mm，2026Q1收入同比增长4.96倍 |
东芯股份 | 上市公司 | SLC NAND、NOR Flash、利基DRAM | 美光/三星等退出消费类SLC NAND市场后的结构性受益者 |
长鑫存储 | 非上市（拟IPO） | LPDDR DRAM（端侧AI手机/PC内存供应） | 国产端侧DRAM核心供应方，LPDDR产品关键地位 |
端侧AI存储产品相关厂家中，有代表性的兆易创新2026年一季度净利润同比增长522%，其NOR Flash全球市占率约20%。佰维存储的AI端侧产品收入在2026年一季度达到11.75亿元，同比增长496%，ePOP产品已进入Meta、Google、阿里、小米等客户供应链。
此外，长鑫存储作为非上市公司，是国产LPDDR DRAM的主要供应方，其产能扩张节奏直接影响国内AI终端的内存成本。
本文数据来源：公开信息、企业资料、行业报告
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