AI服务器功耗飙升,正在引发一场电源管理架构的“革命”。
随着英伟达B200/GB200等芯片TDP突破1000W甚至2700W量级,传统供电架构已不堪重负。算力负载的剧烈波动对电压稳定性提出了极高要求,行业正加速从倍压架构向原生直出多相控制方案全面切换。这场架构变革,正在引爆功率半导体领域一轮罕见的供需失衡——部分元器件交期已拉长至6至9个月以上。

01
VRM架构从“单车道”到“多车道并行”
传统服务器CPU的VRM(电压调节模块)通常只需6-8相——每“相”是一组独立功率MOSFET开关电路,错开时序工作以分担电流。而AI服务器的VRM相数已飙升至32相以上,器件数量成倍增长。
传统供电架构依靠单路脉宽调制(PWM)信号管控供电,电流先经过倍压器处理,再分配至CPU及其他硬件芯片。但AI设备算力负载波动剧烈,对电压稳定性与控制精度要求极高,无法接受任何供电延迟或电压波动。

全新直出式多相独立控制架构为每一枚处理器配置专属独立供电通路,保障所有芯片都能获得精准、平稳的供电。DrMOS(Driver+MOSFET)作为多相电源方案的核心功率器件,用量与GPU功率和供电相数直接相关。以英伟达下一代Rubin平台为例,单芯片功率进一步提升,配套DrMOS数量增至360颗。
单颗器件承载电流提升,芯片面积扩大3-5倍,晶圆消耗显著增加。两个效应叠加,一台AI服务器消耗的功率半导体晶圆面积是同等功率传统服务器的15-50倍。
02
三重压力叠加,功率半导体元器件紧缺
业内人士指出,功率元器件紧缺主要存在三大诱因:
第一,库存水位极低。 过去三年行业持续去库存,原厂、代理商库存已降至历史低位。
第二,需求爆发式增长。 2026年全球AI服务器出货量预计达约370万台,同比增长51.3%,预计2028年将接近500万台。功率半导体的交货周期已拉长至35-45周,而光模块和MLCC的交货周期仅为16-24周。
第三,供给端持续收缩。 台积电、三星为集中资源开发先进制程,主动削减8英寸产线。2025年全球8英寸产能同比下降0.3%,2026年预计进一步下降2.4%。功率半导体70%以上依赖成熟制程,8英寸产能收缩直接限制了供给扩张。产线爬坡需要2-3年,短期产能弹性极低。
英飞凌产能利用率已提升至90%以上。部分晶圆代工厂已通知客户调涨代工价5%-20%,封测端涨幅更是直逼30%。
03
垂直供电是下一个技术制高点
AI服务器还面临严峻的供电与散热难题。传统供电采用横向布局,稳压器位于侧面,电流需要跨越数厘米的PCB才能到达负载。垂直供电彻底改变了游戏规则——它将整个VRM(包括控制器、功率级、电感、电容)安装在PCB背面,直接位于xPU正下方。
垂直供电的核心优势:
更低的I²R损耗:短而直的路径意味着电力到达xPU时,损耗的能量和产生的热量更少
更快速的瞬态响应:电压轨能在AI剧烈的负载波动冲击下瞬间恢复
更轻松的散热管理:高频去耦电容可直接布置在xPU正下方

主要玩家布局
Vicor是垂直供电的先行者。2026年Q1营收同比增长20.2%,订单出货比超过2,12个月待交订单暴增70%至3亿美元。公司已将Q2营收指引上调至1.42亿美元。
英飞凌推出OptiMOS TDM24745T四相功率模块,将四个功率级、TLVR电感和解耦电容集成到9×10×5mm³封装中,电流密度高达2A/mm²以上。该模块可降低约50%的输出电容需求。
ADI研发Notch型耦合电感(NCL)结构,旨在最大化互感/漏感比,实现更优的纹波抑制与更快的瞬态响应。2026年5月,ADI宣布以15亿美元收购相关电源技术资产,补全从板级到芯片封装内的电源技术布局。
TDK推出μPOL直流变换器,采用芯片嵌入技术SESUB,适用于1A至200A垂直电源场景。
Empower Semiconductor宣布与Marvell展开深度合作,联合研发集成式电压调节器(IVR)及垂直供电架构。
结语
2026年开年,英飞凌、德州仪器、安森美、意法半导体等全球功率半导体“四大天王”集体宣布涨价。英飞凌2026年已落地两轮涨价,第二轮于7月1日生效;德州仪器已完成年内第四轮提价;国内新洁能、捷捷微电、士兰微等纷纷跟进。
英飞凌预计,2027财年AI数据中心相关营收将达到约25亿欧元,2030年末可服务市场规模预计达80亿至120亿欧元。
功率元器件已从“配套配角”升级为“核心关键部件”,从可选配件变为刚需必需品。对于产业链而言,这轮由AI驱动的功率半导体紧缺,才刚刚开始。
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