随着AI算力需求呈指数级增长,全球半导体产业链正经历一场前所未有的材料革命。AI芯片封装、光通信、电力系统等领域的底层材料正从"量的扩张"向"质的飞跃"转变,形成供需结构性失衡,催生出高确定性、高成长性的投资机会。我们今天先看看磷化铟材料。英特尔 CEO 陈立武在最近的采访多次强调了磷化铟的重要性和紧缺性。
磷化铟衬底是高速EML、APD光芯片的关键衬底材料,随着AI数据中心对高速光互连需求的爆发,磷化铟衬底正成为新的供应瓶颈。全球磷化铟衬底供需缺口超70%,2026年现货涨幅超80%,供需矛盾持续紧缺。
2026年全球磷化铟衬底需求将从2025年的200-210万片提升至260-300万片,但有效产能仅75万片,缺口超70%。这一缺口将持续扩大,2027年缺口扩大至80%,2028年进一步扩大至95%。
磷化铟衬底价格从2025年的8000元/片上涨至2026年的1.8-2.8万元/片,高端产品涨幅更大。磷化铟衬底全部来自伴生冶炼,中国产能虽占全球七成以上,但高端6英寸磷化铟衬底产能有限,国内渗透率不足30%。
云南锗业是国内磷化铟衬底龙头,衬底绝对龙头,控股鑫耀半导体(华为哈勃战略入股),A 股唯一 6 英寸高端磷化铟衬底小批量量产企业,国内衬底市占 60%-80%,供货华为、中际旭创、源杰科技,产能订单排至 2027 年,国内 InP 赛道核心中军。已实现2-6英寸磷化铟晶片的量产,技术指标接近国际先进水平。但高端产品仍需通过国际主流设备商认证,周期长达1-2年,存在技术迭代风险。
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三安光电:磷化铟外延片全球龙头,6 英寸 InP 外延产能规模全球领先,配套自研光芯片,完整 IDM 产业链。
- 有研新材:上游 7N 高纯铟龙头,同步布局 2-4 英寸磷化铟衬底,央企技术平台,军工 + 通信双认证。
- 源杰科技、光迅科技::下游 InP 基 EML 光芯片龙头,直接受益衬底国产替代。
- 锡业股份 :全球原生铟原料龙头,高纯铟上游资源端核心受益标的。
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