
针对不同水源水质特征及出水标准,离子交换与膜法除盐系统可采用多种组合工艺。根据出水水质(电导率、二氧化硅含量)及进水水质(含盐量、碱度、有机物等)要求,各工艺方案的适用条件及运行技术要求如下:
1. 一级除盐工艺
工艺流程: 强酸阳床→除碳器→强碱阴床
出水指标: 电导率≤10μS/cm (25℃);二氧化硅≤100μg/L。
适用水质: 原水含盐量低于400mg/L。
运行要求: 当进水碱度低于0.50mmol/L 时,可取消设置除二氧化碳器(脱碳塔)。
2. 一级除盐 + 混床工艺
工艺流程:强酸阳床→除碳器→强碱阴床→混床
出水指标: 电导率≤0.10μS/cm (25℃);二氧化硅≤10 μg/L。
适用水质: 原水含盐量低于400mg/L。
运行要求: 当进水碱度低于0.50mmol/L 时可免设除二氧化碳器。
3. 弱酸一级除盐 + 混床工艺
工艺流程: 弱酸阳床→强酸阳床→除碳器→强碱阴床→混床
出水指标: 电导率≤0.10μS/cm (25℃);二氧化硅≤10 μg/L。
适用水质: 进水碱度>4mmol/L,且系统过剩碱度较低。
运行要求: 若采用阳双室或双层床,进口水硬度与碱度的比例宜控制在1~1.5之间,且阳离子交换器宜采取串联再生运行方式。
4. 弱碱一级除盐 + 混床工艺
工艺流程: H→D→OH₂→OH→H/OH强酸阳床→除碳器→弱碱阴床→强碱阴床→混床
出水指标: 电导率≤0.10μS/cm (25℃);二氧化硅≤10μg/L。
适用水质: 进水中有机物含量较高,且强酸阴离子含量超过2mmol/L。
运行要求: 可采用阴离子交换器串联再生,或采用双室床/双层床结构。

5. 弱酸、弱碱一级除盐 + 混床工艺
工艺流程:弱酸阳床→强酸阳床→除碳器→弱碱阴床→强碱阴床→混床
出水指标: 电导率≤0.10μS/cm (25℃);二氧化硅≤10μg/L。
适用水质: 进水碱度、有机物含量及强酸阴离子含量均偏高。
运行要求: 可选用阳阴双室床、双层床,或采用串联再生模式运行。
6. 一级反渗透 + 一级除盐 + 混床工艺
工艺流程: 反渗透→强酸阳床→(除碳器)→强碱阴床→混床或反渗透→(除碳器)→强酸阳床→强碱阴床→混床
出水指标: 电导率≤0.10μS/cm (25℃);二氧化硅≤10μg/L。
适用水质: 原水含盐量大于400mg/L,且总有机碳(TOC)含量偏高。
运行要求: 该组合工艺对原水含盐量的变化具有极广的适用范围。
7. 一级反渗透 + 混床工艺
工艺流程:反渗透→(除碳器)→混床
出水指标: 电导率≤0.10μS/cm (25℃);二氧化硅≤10μg/L。
适用水质: 适用于原水含盐量较低,但TOC含量较高的情况。
8. 两级反渗透 + 混床工艺
工艺流程: 双级反渗透→混床
出水指标: 电导率≤0.10μS/cm (25℃);二氧化硅≤10μg/L。
适用水质: 适用于原水含盐量及硅化物含量均较高的水质工况。
9. 两级反渗透 + 电除盐(EDI)工艺
工艺流程:双级反渗透→EDI
出水指标: 电导率≤0.10μS/cm (25℃);二氧化硅≤10μg/L。
适用水质:
适用于原水含盐量高,且电导率、碱度、硬度、二氧化硅等指标中一项或多项显著偏高;
对原水水质变化适应范围宽广。
运行要求与备注:
第二级反渗透膜组进水端应设置碱液投加系统进行加碱;
在特定水质条件允许的情况下,第二级反渗透工艺也可由脱气膜设备进行替代。
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