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AI算力重塑光互联——高速率光模块与CPO产业化提速

AI算力重塑光互联——高速率光模块与CPO产业化提速
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1、算力-网络数倍级剪刀差,网络架构迭代加速

1.1 本质逻辑1:算力与网络增速的数倍级差距

互联速度/内存速度已远远落后算力增长速度。算力从2020年到2024年,增长了28倍;同时期PCIE带宽仅增长2倍、GPU内存 仅增长2.4倍,算力与带宽增长的巨大不匹配为互联带来投资机会。

芯片增长带来连接速度的持续提升。Blackwell架构的GPU拥有2080亿个晶体管,GPU的制造过程需要两个集成电路板,而这 两个板子通过每秒10TB的数据传输速率进行连接,第五代NVLink最新版本的NVIDIA NVLink@提供了突破性的1.8TB/s双向传 输速率。

1.2 本质逻辑2:计算芯片出货,对应带宽传输增加

AI计算集群(GPU/ASIC)的出货量是驱动光模块和网络带宽需求的根本动力。AI芯片与外部进行数据交换,取决于芯片 本身的网络接口速率以及网络架构;

光模块比例提高:对于英伟达,更先进的平台需要更高的配比(GB200 1: 2~3提升至VR200 1:4~6 ),光模块速率也从 800G提升至1.6T;

ASIC芯片带宽配比更高:谷歌TPU芯片平均配比1:4、亚马逊Trainium芯片平均配比1:4、Meta MITA-T芯片配比1:8~12, 配比提升带来光模块的总量提升。

1.3 光网络架构:三种网络架构scale up/out/across

Scale Up(节点内互联):传输介质:短距离(机架内)以铜缆为主,成本低、功耗低、可靠性高;长距离(跨机架)正向 光互联演进,如共封装光学(CPO)、近封装光学(NPO)技术;

Scale Out(节点间互联):传输介质:当前主流为可插拔光模块(800G/1.6T),未来趋势硅光、3.2T、轻相干光模块。

Scale Across(跨数据中心互联):跨区域协同训练,将多个数据中心GPU集群用于单一大型AI模型训练,相干光模块 (Coherent ZR/ZR+)是Scale Across场景中长距离传输的关键技术

1.4 光网络架构:NV网络架构核心系统级协同设计

英伟达网络架构的核心和特点为一个核心、三大支柱。其核心是系统级协同设计(Extreme Co-Design),通过将计算、网络 和软件深度整合,构建一个完整的、端到端的AI基础设施平台。其特点体现在三个相互关联的网络维度上,根本目标是降低 每Token成本和提升每瓦性能。这意味着网络设计必须服务于最大化GPU利用率、最小化通信延迟和功耗。

NVLink:是NVIDIA专有的高速GPU互连技术,目前已发展到第六代,单GPU带宽3600GB/s,是PCIe Gen6的14倍以上;

NVSwitch:是实现多GPU全互联的关键芯片,单GPU带宽翻倍至3.6TB/s,NVL72系统总带宽达260TB/s;

NVLink Fusion:让定制芯片(包括CPU和XPU)与NVIDIA的NVLink scale-up网络技术以及机架级扩展架构相集成

1.5 光网络架构:Google/Meta/Aws自研芯片+定制网络

谷歌网络:自研TPU + ICI + OCS (3D Torus) 架构,强调低成本、高扩展、低延迟、全自研软硬件协同。 Virgo 的定位是专 为TPU v8t(训练集群)设计的全新横向扩展(Scale-out)网络架构,支持超过100万颗TPU芯片组成单一训练集群。

Meta网络:自研MTIA + 以太网主导 + 高速光互联,强调开放机架架构、多供应商策略;DSF(解耦调度结构)& NSF(非调度 结构),其中NSF:基于L3 CLOS网络,使用NVIDIA Spectrum 4交换机(51.2T),支持20,736个GB300 GPU。

Amazon (AWS)网络:自研Trainium + NeuronLink + 自研网络,强调运营灵活和开放生态;最新扁平数据中心网络架构RNG, 新型分布式路由协议,利用随机图的特性,在端点之间找到大量边不相交的路径,成本比胖树低 45%。

2、光互联载体:1.6T/硅光光模块加速,上游器件紧缺提升

2.1 光模块:传统分立式(EML)市场主导方案

目前光模块市场中传统分立式(即采用EML等独立元器件的可插拔模块)仍是主流,长距离传输性能优异(如FR/LR),耦合效率高, 编码误码率低,目前800G是主力,1.6T渗透率快速提升,3.2T是下一代在研产品。

工作原理: EML将DFB激光器与EAM调制器单片集成,通过电信号实现高速光强调制,具有高带宽、低啁啾和良好的传输性能。

模块结构: 发射端由EML芯片、Driver等组成TOSA,接收端由PD、TIA等组成ROSA,再与DSP、PCBA及光接口组装成完整光模块。

EML芯片供应商:Lumentum、Coherent、三菱电机、东山精密。

2.2 光模块:硅光(CW光源)渗透率快速提升

硅光光模块将调制器、光路等集成在单一芯片上,器件数量减少,组装复杂度降低,有利于大规模量产。CITI预测硅光渗透率在 2028年将达到60%,对应的光芯片需求(含EML和CW激光器)在2028年将达到17.14亿颗,3年复合年增长率(CAGR)为62%。

光源与模块结构:由于硅材料发光效率较低,硅光模块通常采用外置Ⅲ-Ⅴ族连续波激光器提供光源,并通过耦合结构将光注入硅光 芯片;芯片上可集成调制器、波分复用器、探测器等器件。

工艺与发展趋势:硅光芯片以SOI晶圆为基础,采用与CMOS兼容的光刻、刻蚀、沉积和金属化工艺制造,具备高集成度和规模化生产 潜力;目前仍面临光源耦合、热调谐及先进封装等挑战。

2.3 有源器件:DSP-信号质量的修复引擎

核心功能:DSP芯片承担着全链路信号重建的核心功能,补偿信号损伤、支撑高阶调制与高速率;解决高速电信号经过 PCB、光 纤后的衰减、串扰、抖动问题,是 AI 算力光互连主要芯片。

完整信号链路:交换机高速电信号 → DSP 编码整形 → TIA / 激光驱动 → EML 光芯片;接收端:光电信号 → TIA → DSP  均衡纠错 → 输出干净数字信号给 GPU / 交换机。

海外:Marvell(收购 Inphi)、博通深耕光 DSP 超 20 年,完整自研 SerDes、ADC、核心 IP 永久不对外授权;

国内:可商用量产:仅橙科微、华为海思实现400G PAM4 DSP小批量落地;华为仅内部自用,不对外销售。

2.4 有源器件:TIA/Driver-信号放大和修复的稳定器

Driver位于发射侧,接收来自DSP或交换芯片的电信号,将其放大并整形为足够大的电流,驱动激光器(如EML、VCSEL)或调制器 发光。其核心要求包括:高带宽、低抖动、低功耗以及高线性度,以确保光信号质量的上限;

TIA位于接收侧,连接光电探测器(PD或APD)。当PD将微弱的光信号转换为微安级甚至更小的光电流后,TIA负责将这极其微弱的 电流信号转换为电压信号并放大,供后续电路处理 。TIA的性能直接决定了光模块的接收灵敏度、信噪比(SNR)和误码率(BER)

海外:224G 高速 TIA/Driver 垄断,MACOM、MaxLinear、Semtech、Marvell;掌握全套 SiGe 工艺 IP、高频模拟电路专利,深 度绑定英伟达、谷歌云厂商硅光 / CPO 方案;

国内:厦门优迅、芯耘光电、亿芯源。

2.5 有源器件:探测器(PD)-光电转换起点

PD 光电探测器(接收端光芯片):位于 ROSA / 接收光引擎前端,将光纤输入的光信号转换为微弱光电流,是整个光通 信系统“光→电”转换的起点。

核心指标:响应度(A/W)、3dB 带宽、暗电流/噪声、结电容、饱和光功率、线性度和可靠性;高速光模块中,PD 需要 在小尺寸、低电容下兼顾高带宽和高响应度,并与 TIA 近距离封装以降低寄生效应。

技术路线:PIN PD 成本低、速度快、结构简单,是数据中心短中距模块主流;APD 通过雪崩倍增获得内部增益,接收灵 敏度更高,适合长距/弱光场景;硅光方案中多采用 Ge-on-Si 探测器与 PIC 集成。

产业趋势:800G→1.6T→3.2T 推动单通道 100G/200G 升级,PD 不再是单独器件比拼,而是与 TIA、DSP、硅光 PIC 共 同优化的接收链路;CPO/NPO 中更强调片上集成、低寄生、热稳定和长期可靠性。