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热点 04 物质结构与性质(选择题)
物质结构与性质的选择题是江苏高考的必考内容，属于热点问题，本题考查化学选修
3《物质结构与性质》的相关知识，常涉及如下高频考点：原子结构与元素的性质(基态微
粒的电子排布式、电离能及电负性的比较)、元素周期律；分子结构与性质(化学键类型、
原子的杂化方式、分子空间构型的分析与判断)；晶体结构与性质(晶体类型、性质及与粒
子间作用的关系、以晶胞为单位的密度、微粒间距与微粒质量的关系计算及化学式分析等)
命题形式有两种：一是直接给出元素，围绕给出元素的原子结构、形成的物质等进行考
查；二是给出元素的原子的一些结构特点等，首先判断出元素，然后再进行相应的考查。
一、有关基态原子的核外电子排布
1. 四种表示方法
表示方法 举例
电子排布式 Cr：1s22s22p63s23p63d54s1
简化表示式 Cu：[Ar]3d104s1
价电子
Fe：3d64s2
排布式
电子排布图 S：
2. 排布三原则
能量最低原理 原子核外电子总是先占有能量最低的原子轨道
泡利原理 每个原子轨道上最多只能容纳2个自旋方向相反的电子
洪特规则 当电子排布在同一能级的不同轨道时，基态原子中的电子总是优先单
独占据一个轨道，而且自旋方向相同
3. 有关第一电离能和电负性的两种递变性
同周期（从左到右） 同主族（从上到下）
第一电离能 增大（注意ⅡA、ⅤA的特殊性） 依次减小
电负性 依次增大 依次减小
二、根据价层电子对互斥模型判断分子的空间构型
1. 价层电子对互斥模型说的是价层电子对的空间构型，而分子的空间构型指的是成键电子
对的空间构型，不包括孤电子对。
①当中心原子无孤电子对时，两者的构型一致。②当中心原子有孤电子对时，两者的构型不一致。
电子 价层电子
成键数 孤电子对数 分子立体构型 实例
对数 对立体构型
2 2 0 直线形 直线形 CO
2
3 0 三角形 BF
3
3 三角形
2 1 V 形 SO
2
4 0 正四面体形 CH
4
4 3 1 四面体形 三角锥形 NH
3
2 2 V形 HO
2
2. 运用价层电子对互斥模型可预测分子或离子的立体结构，但要注意判断其价层电子对数，
对AB 型分子或离子，其价层电子对数的判断方法为：
m
×（中心原子的价电子数+每个配位原子提供的价电子数×m 电荷数）
三、杂化轨道模型的判断
（1）看中心原子形成的价键类型
一个三键 sp杂化
一个双键 sp2杂化
全部是单键 sp3杂化
（2）价电子对法
价层电子对数 杂化类型
2 sp杂化
3 sp2杂化
4 sp3杂化
四、“两角度”比较晶体熔、沸点的高低
1. 不同类型晶体熔、沸点的比较
（1）不同类型晶体的熔、沸点高低一般规律：原子晶体＞离子晶体＞分子晶体。
（2）金属晶体的熔、沸点差别很大，如钨、铂等熔、沸点很高，汞、铯等熔、沸点很低。
2. 同种类型晶体熔、沸点的比较
（1）原子晶体→→→
如熔点：金刚石＞碳化硅＞硅。
（2）离子晶体
①一般地说，阴、阳离子的电荷数越多，离子半径越小，则离子间的作用力越强，其晶体
的熔、沸点越高，如熔点：MgO＞MgCl ，NaCl＞CsCl。
2
②衡量离子晶体稳定性的物理量是晶格能。晶格能越大，形成的离子晶体越稳定，熔点越
高，硬度越大。
（3）分子晶体
①分子间作用力越大，物质的熔、沸点越高；具有氢键的分子晶体熔、沸点反常高。如
HO＞HTe＞HSe＞HS。
2 2 2 2
②组成和结构相似的分子晶体，相对分子质量越大，熔、沸点越高，如 SnH ＞GeH ＞SiH
4 4 4
＞CH。
4
③组成和结构不相似的分子晶体（相对分子质量接近），其分子的极性越大，熔、沸点越
高，如CHOH＞CHCH。
3 3 3
④同分异构体，支链越多，熔、沸点越低。
如：CHCHCHCHCH>
3 2 2 2 3
（4）金属晶体
金属离子半径越小，离子电荷数越多，其金属键越强，金属晶体的熔、沸点越高，如熔、
沸点：Na＜Mg＜Al。
考向 物质结构与性质的分析判断
1．（2023·山东·统考高考真题）下列分子属于极性分子的是
A． B． C． D．
【答案】B
【解析】A．CS 中C上的孤电子对数为 ×(4-2×2)=0，σ键电子对数为2，价层电子对数为
2
2，CS 的空间构型为直线形，分子中正负电中心重合，CS 属于非极性分子，A项不符合
2 2
题意；
B．NF 中N上的孤电子对数为 ×(5-3×1)=1，σ键电子对数为3，价层电子对数为4，NF
3 3
的空间构型为三角锥形，分子中正负电中心不重合，NF 属于极性分子，B项符合题意；
3
C．SO 中S上的孤电子对数为 ×(6-3×2)=0，σ键电子对数为3，价层电子对数为3，SO
3 3
的空间构型为平面正三角形，分子中正负电中心重合，SO 属于非极性分子，C项不符合题
3意；
D．SiF 中Si上的孤电子对数为 ×(4-4×1)=0，σ键电子对数为4，价层电子对数为4，SiF
4 4
的空间构型为正四面体形，分子中正负电中心重合，SiF 属于非极性分子，D项不符合题
4
意；
答案选B。
2．（2023·浙江·高考真题）共价化合物 中所有原子均满足8电子稳定结构，一定条
件下可发生反应： ，下列说法不正确的是
A． 的结构式为 B． 为非极性分子
C．该反应中 的配位能力大于氯 D． 比 更难与 发生反应
【答案】D
【解析】A．由双聚氯化铝分子中所有原子均满足8电子稳定结构可知，分子的结构式为
，故A正确；
B．由双聚氯化铝分子中所有原子均满足8电子稳定结构可知，分子的结构式为
，则双聚氯化铝分子为结构对称的非极性分子，故B正确；
C．由反应方程式可知，氨分子更易与具有空轨道的铝原子形成配位键，配位能力大于氯
原子，故C正确；
D．溴元素的电负性小于氯元素，原子的原子半径大于氯原子，则铝溴键弱于铝氯键，所
以双聚溴化铝的铝溴键更易断裂，比双聚氯化铝更易与氨气反应，故D错误；
故选D。
3．（2023·湖北·统考高考真题）物质结构决定物质性质。下列性质差异与结构因素匹配错
误的是
选项 性质差异 结构因素
A 沸点：正戊烷(36.1℃)高于新戊烷(9.5℃) 分子间作用力
B 熔点： (1040℃)远高于 (178℃升华) 晶体类型
C 酸性： ( )远强于 ( ) 羟基极性
D 溶解度(20℃)： (29g)大于 (8g) 阴离子电荷A．A B．B C．C D．D
【答案】D
【解析】A．正戊烷和新戊烷形成的晶体都是分子晶体，由于新戊烷支链多，对称性好，
分子间作用力小，所以沸点较低，故A正确；
B．AlF 为离子化合物，形成的晶体为离子晶体，熔点较高，AlCl 为共价化合物，形成的
3 3
晶体为分子晶体，熔点较低，则 熔点远高于 ，故B正确；
C．由于电负性F>H，C-F键极性大于C-H键，使得羧基上的羟基极性增强，氢原子更容
易电离，酸性增强，故C正确；
D．碳酸氢钠在水中的溶解度比碳酸钠小的原因是碳酸氢钠晶体中HCO 间存在氢键，与
晶格能大小无关，即与阴离子电荷无关，故D错误；
答案选D。
4．（2023·湖南·统考高考真题）科学家合成了一种高温超导材料，其晶胞结构如图所示，
该立方晶胞参数为 。阿伏加德罗常数的值为 。下列说法错误的是
A．晶体最简化学式为
B．晶体中与 最近且距离相等的 有8个
C．晶胞中B和C原子构成的多面体有12个面
D．晶体的密度为
【答案】C
【解析】A．根据晶胞结构可知，其中K个数：8× =1，其中Ca个数：1，其中B个数：
12× =6，其中C个数：12× =6，故其最简化学式为 ，A正确；
B．根据晶胞结构可知， 位于晶胞顶点，Ca2+位于体心，每个 为8个晶胞共用，则晶
体中与 最近且距离相等的 有8个，B正确；C．根据晶胞结构可知，晶胞中B和C原子构成的多面体有14个面，C错误；
D．根据选项A分析可知，该晶胞最简化学式为 ，则1个晶胞质量为： ，晶
胞体积为a3×10-30cm3，则其密度为 ，D正确；
故选C。
5．（2023·辽宁·统考高考真题）晶体结构的缺陷美与对称美同样受关注。某富锂超离子导
体的晶胞是立方体(图1)，进行镁离子取代及卤素共掺杂后，可获得高性能固体电解质材料
(图2)。下列说法错误的是
A．图1晶体密度为 g∙cm-3 B．图1中O原子的配位数为6
C．图2表示的化学式为 D． 取代产生的空位有利于 传导
【答案】C
【解析】A．根据均摊法，图1的晶胞中含Li：8× +1=3，O：2× =1，Cl：4× =1，1个
晶胞的质量为 g= g，晶胞的体积为(a×10-10cm)3=a3×10-30cm3，则晶体的密
度为 g÷(a3×10-30cm3)= g/cm3，A项正确；
B．图1晶胞中，O位于面心，与O等距离最近的Li有6个，O原子的配位数为6，B项正
确；
C．根据均摊法，图2中Li：1，Mg或空位为8× =2。O：2× =1，Cl或Br：4× =1，
Mg的个数小于2，根据正负化合价的代数和为0，图2的化学式为LiMgOCl Br ，C项错
x 1-x
误；
D．进行镁离子取代及卤素共掺杂后，可获得高性能固体电解质材料，说明Mg2+取代产生
的空位有利于Li+的传导，D项正确；
答案选C。（建议用时：45分钟）
1．（2023上·江苏盐城·高二盐城中学校考期中）第三周期元素的单质及其化合物有重要用
途。如在熔融状态下可用金属钠制备金属钾： 上可制备多种镁产品：铝―空气电池
具有较高的比能量，在碱性电解液中总反应为 。高
纯硅广泛用于信息技术领域，高温条件下，将粗硅转化为三氯硅烷( )，再经氢气还
原得到高纯硅。硫有多种单质，如斜方硫(燃烧热为 )、单斜硫等。 可除去
废水中 等重金属离子， 水溶液在空气中会缓慢氧化生成S而变浑浊。下列说法不
正确的是
A．斜方硫和单斜硫互为同素异形体 B．1mol 中含有4molσ键
C． 的空间构型为V形 D．Si―Si键的键能小于Si―O键的键能
【答案】B
【解析】A．斜方硫、单斜硫均为硫单质，且为不同物质，则斜方硫和单斜硫互为同素异
形体，A正确；
B． 中1个氢氧根含有1个σ键，氧原子又与铝原子形成1个配位键，故1mol
中含有8molσ键，B错误；
C． 分子中中心S原子价层电子对数为2+ =4，采用sp3杂化，S原子上含有2对
孤电子对，分子是V形分子，C正确；
D．氧原子半径小于硅原子，Si－Si键的键长大于Si－O键的键长，导致Si－Si键的键能
小于Si－O键的键能，D正确；
故选B。
2．（2023上·河南洛阳·高三孟津县第一高级中学校考阶段练习）对氮氧化物进行催化还原
的一步反应为 +NO= +N +NH +H O。下列有关说法不正确的是
2 2
A．若 为平面结构，则离子中 为 杂化
B． 的VSEPR模型结构相同
C．反应中Cu(NH ) 既是氧化剂又是还原剂
3
D．每生成 ，反应生成2molπ键
【答案】A
【解析】A．若离子中 为 杂化， 应为正四面体结构，A错误；B． 和 中的氮原子、 中的氧原子价层电子对数都为4，所以
的VSEPR模型结构相同，都是四面体形，B正确；
C．由方程式可知，反应中NO中氮元素、铜元素的化合价降低，被还原，NO和
是反应的氧化剂，部分 中氮元素的化合价升高，被氧化，
是反应的还原剂，C正确；
D．氮气分子中含氮氮三键，一个三键中有2个π键，则每生成 ，反应生成2 mol π
键，D正确；
故选A。
3．（2023上·湖南长沙·高三长郡中学校考阶段练习）我国长征系列运载火箭采用偏二甲肼
(C HN)和 作发动机推进剂，产物为氨气、二氧化碳和水，无污染。下列有关说法不
2 8 2
正确的是
A．基态N的价电子排布图为
B．N、O的电负性较大，其单质通常比较活泼
C．偏二甲肼分子间存在氢键，沸点较高
D．二氧化碳为非极性分子，水分子和偏二甲肼为极性分子
【答案】B
【解析】A．氮为7号元素，故价电子排布图为 ，故A正确；
B．氮原子半径小，氮氮三键键长短，键能大， 化学性质稳定，故B错误；
C．类比氨分子可知偏二甲肼分子间存在氢键，沸点较高，故C正确；
D．二氧化碳为直线形分子，结构对称，为非极性分子，水分子和偏二甲肼分子结构不对
称，为极性分子，故D正确。
答案选B。
4．（2023上·江苏盐城·高二盐城中学校考期中）非金属氟化物在生产、生活和科研中应用
广泛。下列说法正确的是
A．基态F原子核外电子的空间运动状态有9种
B．金刚石与石墨烯中的C―C―C夹角都为120°
C． 分子的空间构型为V形， 的熔、沸点低于
D．Xe是第五周期的稀有气体元素，与F形成的 室温下易升华。 中心原子的
价层电子对数为4
【答案】C
【解析】A．把电子在原子核外的一个空间运动状态称为一个原子轨道，因而空间运动状态个数等于轨道数；基态F原子电子排布为1s22s22p5，所以核外电子的空间运动状态有5
种，A错误；
B．金刚石中碳以正四面体形结构结合，C―C―C夹角不是120°，B错误；
C．OF 的中心原子O的价层电子对数为2+ =4，含有2个孤电子对，则OF 分子的
2 2
空间结构是V形；OF 和ClO都是分子晶体，结构相似，ClO的相对分子质量大，范德华
2 2 2
力大，故ClO的熔、沸点高，C正确；
2
D．XeF 是分子晶体，熔沸点低，易升华，其中心原子的价层电子对数为2+ =5，D
2
错误；
故选C。
5．（2023·全国·高三专题练习）磷化硼(BP)是一种超硬耐磨涂层材料，其立方晶胞如图所
示，已如其晶体密度为 ， 表示阿伏加德罗常数。下列有关说法不正确的是
A．磷化硼(BP)的晶体类型为分子晶体
B．磷化硼(BP)晶体的熔点比金刚石低
C．该晶胞中所含的硼原子和磷原子个数均为4
D．经计算，B—P键的键长为
【答案】A
【解析】A．磷化硼(BP)是通过共价键形成的晶体，晶体类型为共价晶体，A错误；
B．磷、硼原子半径大于碳，则B-P键键长大于C-C键键长，B-P键键能小于C-C键键能，
故金刚石的熔点更高，B正确；
C．根据“均摊法”，晶胞中含 个P、4个B，该晶胞中所含的硼原子和磷原
子个数均为4，C正确；
D．设晶胞边长为acm，结合C分析可知，晶体密度为 = ，，B—P键的键长为体对角线的四分之一，故为 ，D正确；
故选A。
6．（2023上·北京·高三北京师大附中校考阶段练习）三氟化氮( )常用于微电子工业，
可用以下反应制备： ，下列说法中，正确的是
A． 的电子式为 B． 中仅含离子键
C．在制备 的反应中， 表现出还原性 D． 比 的键角小
【答案】C
【解析】A． 的电子式为 ，故A错误；
B． 中铵根离子和氟离子间存在离子键，铵根离子中N、H原子间存在共价键，故B
错误；
C．在制备 的反应中，N元素化合价升高， 表现出还原性，故C正确；
D． 成键电子对偏向N原子，成键电子对的斥力增大， 中成键电子对偏向F原子，
成键电子对的斥力减小，所以 比 的键角大，故D错误；
选C。
7．（2023上·浙江嘉兴·高二嘉兴高级中学校考阶段练习）下列说法或有关化学用语的表达
正确的是
A．能级能量大小关系：
B．基态铜原子( Cu)的价层电子排布式：
29
C． 处于激发态的电子排布式可能为：
D．基态 的轨道表示式：
【答案】C
【解析】A．由构造原理可知，4f的能力低于5d，故A错误；
B．铜元素的原子序数为29，基态原子的价层电子排布式为3d104s1，故B错误；
C．钙元素的原子序数为20，基态原子的电子排布式为1s22s22p63s23p64s2，则发态的电子排
布式可能为 ，故C正确；
D．钠元素的原子序数为11，基态钠离子的电子排布式为1s22s22p6，轨道表示式为
，故D错误；故选C。
8．（2023上·云南曲靖·高三曲靖一中校考阶段练习）联氨(N H)为二元弱碱，在水中的电
2 4
离方式与氨相似，可用于处理锅炉水中的溶解氧，防止锅炉被腐蚀，其中一种反应机理如
图所示。下列说法正确的是
A．每个NH 分子中有一个π键
2 4
B．H-N-H键角：[Cu(NH )]²+>NH₃
3 4
C．2mol NH 最多能处理44.8L O
2 4 2
D．[Cu(NH )]2+和[Cu(NH )]+的配体均为N原子
3 4 3 2
【答案】B
【解析】A．NH 分子各原子以单键相连接，不含π键，A错误；
2 4
B．[Cu(NH )]²+中N原子孤电子对形成配位键， 中含1对孤电子对，导致孤电子对与
3 4
成键电子对间的斥力大，键角小，B正确；
C．未指明气体是否处于标准状况，无法计算，C错误；
D．N原子是配位原子，配体是 ，D错误；
答案选B。
9．（2023上·安徽阜阳·高二阜阳市第三中学校考期中）侯氏制碱法制取NaHCO 的原理为
3
。下列说法正确的是
A．NH 是含有极性共价键的非极性分子
3
B．CO 的空间填充模型：
2
C．氧原子核外电子的空间运动状态有8种
D．NaCl的晶胞：
【答案】B
【解析】A．NH 是含有极性共价键的极性分子，A项错误；
3
B．CO 的空间填充模型： ，B项正确；
2
C．基态氧原子的电子排布式为1s22s22p4，存在电子的轨道有5个，核外电子的空间运动状
态有5种，C项错误；D．NaCl的晶胞为 ，D项错误；
故选B。
10．（2023上·黑龙江哈尔滨·高三哈师大附中校考期中）氮化硼(BN)晶体有多种结构。六
方相氮化硼是通常存在的稳定相，与石墨相似，具有层状结构，可作高温润滑剂；立方相
氮化硼是超硬材料，有优异的耐磨性。它们的晶体结构如图所示，关于这两种晶体的说法
正确的是
A．两种晶体中B原子的杂化方式均为
B．两种晶体均为共价晶体
C．六方相氮化硼层间共价键键能较小，所以可做高温润滑剂
D．每个立方氮化硼晶胞中含有4个B原子和4个N原子
【答案】D
【解析】A．立方氮化硼中硼原子形成4个共价键，所以立方氮化硼中硼原子采用的是sp3
杂化，六方相氮化硼中硼原子采用的是sp2杂化，A错误；
B．六方相氮化硼与石墨相似是混合晶体，立方相氮化硼是共价晶体，B错误；
C．六方相氮化硼层间分子间作用力较小，所以可做高温润滑剂，C错误；
D．根据立方氨化硼的晶胞示意图，每个晶胞中B原子个数是8 +6 =4，N原子个数
为4，故每个立方氮化硼晶胞中含有4个B原子和4个N原子，D正确；
故选D。
11．（2023上·安徽阜阳·高二阜阳市第三中学校考期中）立方砷化硼(BAs)是一种优良的半
导体材料，BAs的晶胞结构如图所示。若晶胞参数为apm，下列说法正确的是
A．As位于第五周期VA族B．1号砷的坐标为
C．BAs晶体中存在着配位键
D．晶体BAs的摩尔体积为
【答案】C
【解析】A．As为33号元素，则As位于第四周期VA族，A错误；
B．1号砷在体对角线的四分之一处，其坐标为( )，B错误；
C．B最外层有三个电子，易形成三个共价键，根据图中结构BAs晶体中B有四个价键，
说明BAs晶体中存在着配位键，C正确；
D．根据晶体BAs的结构分析可知，1个晶胞中含有4个BAs，其摩尔体积为
，D错误；
故选C。
12．（2021下·内蒙古赤峰·高一统考期末）氰气的化学式为（CN），结构式为
2
，性质与卤素相似，下列叙述正确的是
A．在一定条件下可发生加成反应
B．分子中 键的键长大于 键的键长
C．分子中含有2个σ键和4个π键
D．不和氢氧化钠溶液发生反应
【答案】A
【解析】A．该分子中含三键，可以发生加成反应，A正确；
B．氮原子半径小于碳原子半径，故 键的键长小于 键的键长，B错误；
C．单键全部是σ键，三键中含1个σ键和2个π键，故该分子中含有3个σ键和4个π键，
C错误；
D．氰气性质与卤素相似，能与氢氧化钠溶液反应，D错误；
故选A。
13．（2023·全国·高三专题练习）LiS属立方晶体，晶胞边长为dpm，晶胞截面图如图所
2
示。则下列关于该晶胞的描述正确的是
A．每个晶胞中含有的 数目为8
B．与Li+最近且等距离的 有4个C．该晶胞中两个距离最近的Li+和 的核间距的计算表达式为
D．LiS晶体的密度为
2
【答案】B
【分析】由晶胞截面图可知，硫离子位于晶胞的顶点和面心，其离子个数为 ，
锂离子位于晶胞内，其离子个数为8。
【解析】A．由以上分析可知，每个晶胞中含有的S2-数目为4，A错误；
B．Li+位于立方晶胞体对角线四分之一处，与其最近且等距离的S2-有4个，B正确；
C．该晶胞中两个距离最近的Li+和S2-的核间距恰好为该立方晶胞体对角线的四分之一，该
晶胞边长为dpm，则核间距的计算表达式为 dpm，C错误；
D．由以上分析可知，一个晶胞中含有4个S2-和8个Li+，晶胞边长为d×10-10cm，则LiS晶
2
体的密度为 ，D错误；
故选B。
14．（2024上·浙江绍兴·高三阶段练习）X、Y、Z、Q、T、W为前36号元素，原子序数
依次增大。其中仅X、Y、Z为短周期主族元素，且分占三个周期。基态Y元素原子价层p
轨道上的电子数比s轨道多，且第一电离能小于同周期的相邻元素；在同周期元素中，Z
的电负性最大；基态W元素原子的4p轨道半充满；Q和T既处于同一周期又位于同一族，
且原子序数T比Q多2。下列说法正确的是
A．基态Y原子核外电子有8种空间运动状态
B． 为非极性分子
C．与X形成的简单化合物沸点：
D． 有2个未成对电子
【答案】D
【分析】X、Y、Z原子序数依次增大，且为短周期主族元素，分占三个周期，则X是H，
Y在第二周期，Z在第三周期。基态Y元素原子价层p轨道上的电子数比s轨道多，且第一
电离能小于同周期的相邻元素，则Y在第ⅥA族，Y是O。Z是第三周期电负性最大的元
素，Z是Cl；基态W元素原子的4p轨道半充满，W是As；Q和T既处于同一周期又位于
同一族，且原子序数T比Q多2，则Q、T在第四周期Ⅷ族，是Fe和Ni。综上，X、Y、
Z、Q、T、W分别为H、O、Cl、Fe、Ni、As。
【解析】A．基态O原子核外电子轨道表示式为 ，则氧原子的空间运
动状态有5种，故A错误；B．WZ 为AsCl ，中心原子As有一个孤电子对，空间构型为三角锥形，为极性分子，故B
3 3
错误；
C．Y与X形成的简单化合物是HO，W与X形成的简单化合物是AsH ，水分子间有氢键，
2 3
沸点高于AsH ，故C错误；
3
D．Ni2+价层电子轨道表示式为 ，有2个未成对电子，故D正确；
答案选D。
15．（2023上·江苏盐城·高二盐城市第一中学校考期中）CrSi、Ge—GaAs、ZnGeAs 和碳
2
化硅都是重要的半导体化合物，下列说法错误的是
A．基态铬原子的价电子排布式为3d54s1
B．酸性：HSiOGe>Zn
2
D．Ge—GaAs中元素Ge、Ga、As的第一电离能由大到小的顺序为As>Ga>Ge
【答案】D
【解析】A．铬是第24号元素，基态铬原子的价电子排布式为3d54s1，A正确；
B．根据同主族从上到下元素非金属性减弱，最高价氧化物水化物酸性减弱，故碳酸的酸
性比硅酸的强，B正确；
C．Zn、Ge、As同为第四周期元素，同周期元素从左到右电负性增强，Zn、Ge、As的电
负性由大到小的顺序为As>Ge>Zn，C正确；
D．同周期元素的第一电离能总体呈现从左到右增大的变化，但第ⅡA、ⅤA族元素反常
大，故元素Ge、Ga、As的第一电离能由大到小的顺序为As>Ge >Ga，D错误；
故选D。
16．（2023上·湖南·高三湖南师大附中校联考阶段练习）下列有关物质结构与性质的说法
正确的是
A． 和 均为非极性分子 B． 与 的键角相等
C． 、 中心原子均采取 杂化 D． 和 的空间结构均为三角锥形
【答案】C
【解析】A． 为直线型非极性分子， 为V型极性分子，A错误；
B．XeF 的价层电子对数=2+ =5，XeO 的价层电子对数=2+ =4，孤电子对数不等，
2 2
键角不相等，B错误；
C． 、 中心原子价电子对数都为4，中心原子都均采取 杂化，C正确；
D． 价电子对数为4，无孤对电子，空间结构为平面三角形， 价电子对数为4，
有一孤电子对，空间结构为三角锥形，D错误；
故选C。17．（2023上·重庆荣昌·高三重庆市荣昌中学校校考阶段练习）干冰(固态二氧化碳)在﹣
78℃时可直接升华为气体，其晶胞结构如下图所示。下列说法不正确的是
A．干冰升华时需克服分子间作用力
B．每个晶胞中含有4个CO 分子
2
C．每个CO 分子周围有12个紧邻CO 分子
2 2
D．CO 中有C=O键，中心原子C是sp2杂化
2
【答案】D
【解析】A．干冰为分子晶体，升华时需要克服分子间作用力，A正确；
B．根据均摊法，一个晶胞中含有CO 分子数为 =4，B正确；
2
C．以顶点处的分子为例，每个CO 分子周围与其紧邻的CO 分子位于面心，一个面上有4
2 2
个这样的CO 分子，共有3个这样互相垂直的面，因此每个CO 分子周围有12个紧邻的
2 2
CO 分子，C正确；
2
D．CO 中C与O形成C=O键，中心碳原子有2条σ键，无孤电子对，价层电子对数为
2
2，为sp杂化，D错误；
故答案选D。
18．（2023·全国·高三专题练习）科学家合成了一种高温超导材料，其晶胞结构如图所示，
该立方晶胞参数为 。阿伏加德罗常数的值为 。下列说法错误的是
A．晶体最简化学式为
B．晶体中与 最近且距离相等的 有6个
C．晶胞中B和C原子构成的多面体有14个面
D．晶体的密度为
【答案】B【解析】A．晶胞中K位于顶点，每个晶胞中含K原子 个，Ca位于体心，每个晶胞
中含Ca原子1个，B和C位于面心，每个晶胞中含B原子和C原子各 个，则晶体
最简化学式为 ，A正确；
B．晶体中与 位于顶点， 位于体心，则晶体中与 最近且距离相等的 有8个，
B错误；
C．晶胞中B和C原子构成的多面体，有6个面位于晶胞的六个面上，上半部分和下半部
分还各有4个面，故该多面体共有14个面，C正确；
D． 的摩尔质量为217g/mol，一个晶胞的质量为 ，体积为 ，故
晶体的密度为 ，D正确；
故选B。
19．（2023上·湖南·高三湖南师大附中校考阶段练习）下列有关物质结构的说法正确的是
A．图①中18-冠-6通过离子键与 作用，体现了超分子“分子识别”的特征
B．图②物质相较 摩尔质量更大，具有更高的熔沸点
C．图③中， 表示硅氧四面体，则该多硅酸根结构的通式为
D．图④表示氮化铝晶胞，则该晶体中存在共价键和配位键，且铝的配位数为6
【答案】C
【解析】A．①中18-冠-6通过配位键与K+作用，体现了超分子“分子识别”的特征，故
A错误；
B．②物质阳离子基团较大，离子键较弱，熔沸点更低NaBF4，故B错误；
C．将③中左边环补齐，则得到两个完整环，则两环共用的氧原子有左边7个、右边7个共
14个；独立成个体的氧原子有10个，同时两个环都有独立的硅原子，则硅原子和氧原子
个数比为（4+4×0.5）：（14×0.5+10）=6:17，结合硅化合价为+4，氧化合价为-2，可得到
通式为： ，故C正确；
D．④表示氮化铝晶胞，则该晶体中存在共价键和配位键，且铝的配位数为4，故D错误；
故选C。
20．（2023上·湖南·高三湖南师大附中校联考阶段练习）我国科学家在新型热电材料的研发领域利用一种理论计算方法，筛选出某种最简式量为 ，的化合物X，已知X结构高度
对称，沿体对角线的投影如下图所示( 表示被遮挡的原子，其晶胞边长为 ，棱上无原
子)，则下列说法错误的是
A．X的化学式为
B．晶胞中K与 的最短距离为
C．晶胞中与 距离最近且相等的 的个数为12
D．X晶体密度为
【答案】B
【分析】结合投影原理，根据化合物X沿体对角线的投影以及其结构高度对称，可推出X
的晶胞结构为：
据此答题。
【解析】A． 位于晶胞的顶点和面心，K+位于晶胞内8个小正方体的体心，利用均摊
法可知：晶胞中共有 ： =4个，K有8个，则X的化学式为 ，A正确；
B．晶胞中K与 最短距离为晶胞体对角线的 ，其晶胞边长为 ，则体对角线为
nm，晶胞中K与 最短距离为 nm，B错误；
C． 位于晶胞的顶点和面心，以顶点为例，距离其最近的 是相邻面心的3个
，则距离 最近且相等的 的总数为 ，C正确；
D．晶胞中含有4个 ，其最简式量为 ，其晶胞边长为 ，根据 ，则X
晶体密度为 ，D正确；
故选B。
