基于我们的行业研究，我们提供对碳化硅行业的最新观点。我们认为，数据中心电源建设的推进以及未来从交流电向高压直流电的架构迁移，正为碳化硅行业带来积极发展。尽管人工智能正在为碳化硅相关股票营造强劲的市场情绪，但我们提醒，市场预期仍应建立在实际贡献水平的基础上。我们认为，到2028年或更晚，数据中心对碳化硅器件总可寻址市场的贡献可能达到4-5亿美元或更少。鉴于电动汽车已经构建了碳化硅器件TAM的基础，且该市场在2026年可能达到40-45亿美元，我们认为数据中心贡献占比可能在两到三年内从目前的低个位数升至中个位数至高个位数。我们认为，人工智能将成为碳化硅行业的关键驱动力，但其对碳化硅器件TAM的贡献水平可能低于看涨阵营20-30%的预期。

• 数据中心碳化硅MOSFET——交货周期长且价格高。 我们的行业调研表明，AI碳化硅MOSFET的交货周期已延长至52周。此外，在相同芯片尺寸和导通电阻规格下，AI碳化硅MOSFET（高规格型号）的价格现在至少是汽车逆变器碳化硅MOSFET的两倍。这一令人鼓舞的动态是由AI客户异常强劲和紧迫的订单驱动的，而合格的产能暂时有限，难以满足需求的激增。展望未来，我们认为尽管合格产能增加，但AI碳化硅MOSFET的价格降幅可能远小于汽车市场。

• 数据中心在2028年或更晚对碳化硅器件TAM的潜在贡献为4-5亿美元或更少。 向更高机架功率密度的推动正迫使数据中心电源架构从交流电向高压直流电升级，而碳化硅能够在基础设施层面（UPS和SST）和服务器层面（PSU）实现更高效、更紧凑的转换。我们的行业研究表明，基于其功率模块拓扑结构和器件价格，1MW高压直流数据中心电源建设的碳化硅价值含量可能为5000-6000美元或略高。摩根大通团队预测2028年AI数据中心新增装机容量为80GW，如果高压直流渗透率达到100%，这意味着对碳化硅器件TAM的贡献为4-4.8亿美元。然而，考虑到交流电和高压直流电的混合应用，数据中心的碳化硅TAM应小于这个范围。

• 电动汽车已构建碳化硅器件TAM基础；到2028年或更晚，数据中心贡献占比可能升至中个位数至高个位数。 尽管人工智能正在为碳化硅相关股票营造强劲情绪，但我们提醒，预期仍应建立在实际贡献水平的基础上。Yole Group预测，全球碳化硅器件TAM将从2025年的约37亿美元增长至2026年的约46亿美元，同比增长25%，这主要得益于电动汽车加速向800V架构迁移。我们认为，碳化硅已经从电动汽车的采用中显著受益，并认为2026年全球碳化硅器件TAM可能达到40-45亿美元。数据中心对碳化硅器件TAM的贡献占比可能从目前的低个位数在两到三年后增长至中高个位数。我们相信数据中心将成为碳化硅行业非常重要的驱动力，但我们怀疑其贡献水平可能低于看涨阵营20-30%（占TAM比例）的预期。

• 碳化硅衬底价格——6英寸趋于稳定，但8英寸持续下跌。 自2026年初以来，6英寸碳化硅衬底价格已稳定在约1500元人民币，而2025年初为3000元人民币，2024年初为4500元人民币。由于价格低于其生产现金成本（1500-2000元人民币，取决于规模），一些供应商已关停产能。中国前两大碳化硅衬底供应商的6英寸产线利用率接近满载，但行业产能过剩阻碍了任何有意义的價格回升。8英寸碳化硅衬底价格持续下跌：2025年初约7000元人民币，2025年中5500-6000元人民币，2026年初约4500元人民币，2026年中约4000元人民币。我们预计8英寸碳化硅衬底价格将进一步下降至2026年底的3000-4000元人民币和2027年的2500-3500元人民币。客户要求基于晶圆面积差异，6英寸和8英寸碳化硅衬底之间的定价差距低于1.7倍。即使考虑到从6英寸到8英寸的生产效率提升，价格差距也应上限在2.0倍。8英寸价格下跌的关键触发因素包括良率和效率的提高，以及中国供应商更有效的供应。上述价格基于我们的行业研究，指的是中国供应商向大客户提供的价格。一家领先的碳化硅衬底供应商谈及提高8英寸产品价格。我们认为，如果一家供应商旨在争夺市场份额，向重要大客户提价将非常具有挑战性。我们过去四年的行业研究和最近的行业讨论不支持涨价的预期。

• 汽车逆变器碳化硅MOSFET——价格持续下跌，但交货周期延长。 在中国市场，汽车逆变器碳化硅MOSFET的价格也持续快速下跌。国际IDM的价格可能从2024年的6.0-6.5美元和2025年的5.0-5.5美元降至2026年的3.0-3.5美元，并可能在2027年降至2.5美元。中国供应商的报价可能低15-30%，具体取决于产品能力。积极的一面是，由于人工智能的挤出效应，汽车碳化硅MOSFET的交货周期已从26周（基本制造时间）增加到39周，某些规格延长至52周。在交货周期延长的情况下，某些情况下价格谈判频率已从每季度一次减少到每半年一次。然而，汽车碳化硅MOSFET的价格能否在2027年稳定下来尚不清楚，这取决于供应侧的竞争。如果有更多的中国碳化硅MOSFET供应商获得汽车逆变器资格认证，碳化硅MOSFET的价格在2027年将仍面临压力。

• 中国电动汽车中碳化硅渗透率快速上升。 碳化硅价格的持续下跌推动其被采用到售价约15万元人民币的电动汽车车型中。我们认为，中国的碳化硅电动汽车出货量（不包括特斯拉）在2025年达到了250万辆，并可能在2026年上升至400万辆或更多，同比增长60%或以上。这将使碳化硅渗透率从2025年的中十几百分比提升至2026年的低二十几百分比。此外，碳化硅产品的迭代正在改善导通电阻，使得某些电动汽车车型中每个模块所需的碳化硅MOSFET芯片数量减少（例如，1200V模块从48颗芯片减少到42/36颗，750V模块从36颗减少到30/24颗）。总体而言，我们相信2026年汽车碳化硅器件TAM将温和增长。

• 对A股股票的影响。 芯联集成是中国领先的碳化硅MOSFET供应商，该公司提到其碳化硅MOSFET（芯片和模块）收入有可能从2025年的15亿元人民币增加到2026年的30亿元人民币。我们相信芯联集成仍然是强劲碳化硅MOSFET需求的主要受益者。芯联集成已将其8英寸碳化硅MOSFET样品送交一家国际AI服务器客户进行认证，我们相信这是一家CSP ASIC公司。如果芯联集成能够通过认证，我们认为这将有助于缓解当前的供应紧张局面，因为芯联集成具有大规模生产能力，并且能够及时增加更多8英寸碳化硅产能。天岳先进是中国领先的6英寸和8英寸碳化硅衬底供应商，可能受益于数据中心对碳化硅采用的增加以及中长期潜在的先进封装应用。天岳先进今年正在大力提升其8英寸碳化硅衬底的产量（即可能同比翻倍）。然而，我们预计2026年全年8英寸碳化硅衬底将持续面临价格压力，并且由于我们察觉到市场对碳化硅衬底价格前景存在某些错误的预期，我们仍对天岳先进股票持谨慎态度。

• 对罗姆（由Akinori Kanemoto覆盖）的影响。 相对于2025财年略高于400亿日元（摩根大通估计；同比增长14%，其中碳化硅器件/模块同比增长41%）的收入，公司计划2026财年收入略低于550亿日元（摩根大通估计；同比增长30%，其中器件/模块同比增长55%）。在2026财年，管理层计划用器件/模块收入的增长来抵消外部6英寸晶圆销售业务的损失。对于xEV逆变器应用，中国占2025财年销售额的一半以上，但到2028财年，预计中国的占比将下降，而日本/韩国/欧洲/美国的占比将增加。用于AI服务器的碳化硅MOSFET已在2025财年上量，公司计划在2026财年将其收入占比提升至10%。在技术方面，8英寸晶圆的大规模生产计划于2026财年开始——最初部署在其第四代平台上，随后推出第五代MOSFET以提高良率和生产率。包括2025财年末减值的影响在内，公司的目标是到2028财年恢复盈利。（完）

免责声明：在任何情况下，本文中的信息或表述的意见，均不构成对任何人的投资建议。

想要获取主流机构的投资逻辑，可扫描下方二维码，加入稀缺资源报告群：