夜雨聆风当前AI芯片封装，CoWoS是绝对主力。但下一代技术CoPoS正逐步走来。两者最大的区别是什么？遇到了哪些难题？哪些公司正在攻关？本文用最简洁的方式说清楚。
一、CoWoS和CoPoS是什么？
· CoWoS（晶圆上芯片-基板上晶圆）
2011年由台积电量产，是目前AI芯片（如英伟达H100、B200）的主流封装方案。它使用圆形硅晶圆作为中介层，通过硅通孔（TSV）把逻辑芯片和HBM高密度连接在一起。
· CoPoS（基板上面板级芯片封装）
CoWoS的下一代演进方案。核心变化是把圆形的硅晶圆换成方形的玻璃基板，俗称“化圆为方”。目的是提高面积利用率、降低单颗成本、支持更大尺寸的AI芯片。
一句话总结：CoWoS用硅基板，CoPoS用玻璃基板。
二、为什么要从硅基板换成玻璃基板？
硅基板有两个硬伤：
1. 圆形晶圆的面积利用率只有65%左右，封装超大芯片时浪费严重。
2. 芯片尺寸越大，良率越低、成本越高，翘曲问题越难控制。
玻璃基板做成方形面板，面积利用率可超过95%，电性能更好（信号损耗小），热膨胀系数也更匹配芯片。因此被公认为是下一代超大尺寸AI芯片封装的必经之路。
目前CoPoS尚未大规模量产，预计最快2030年底才能落地。在此之前，CoWoS仍是绝对主力。
三、CoPoS目前遇到的最大瓶颈是什么？
不是单一问题，而是材料与工艺交织的系统性难题。最核心的有两个：
1. 翘曲问题（物理层面的最大难点）
玻璃、硅芯片、铜互连、封装胶的热膨胀系数不同。加热或冷却时，各层收缩不一致，导致基板弯曲。
CoPoS用的基板面积比CoWoS大得多，翘曲被显著放大，直接影响后续光刻对准和键合良率。
2. TGV（玻璃通孔）工艺可靠性
TGV就是在玻璃上打孔并填充金属，实现上下层电气连接。主要难点：
· 打孔与填充：需要极小孔径（几十微米）、高深宽比，金属填满且不能有空洞。玻璃表面光滑、附着力差，容易产生裂纹或分层。
· 电迁移风险：大电流下，金属与玻璃界面容易失效，导致断路。
其他系统性挑战
· 玻璃脆性高，切割、搬运时易产生微裂纹。
· 现有圆形晶圆设备不适用于方形面板，需要全新设计。
· 从材料、设备到检测，整个供应链需重建。
· 初期研发和设备投入极高，只有芯片尺寸大到硅基板无法承载时，玻璃基板的优势才真正显现。
四、哪些公司正在攻克这些瓶颈？
1. 玻璃基板材料
· 康宁（美国）：特种玻璃龙头，与京东方合作开发封装载板。
· 肖特（德国）：提供适合TGV工艺的高可靠性玻璃。
· 沃格光电（中国）：国内首条年产10万平米玻璃基板产线，已小批量出货。
· 彩虹股份、东旭集团（中国）：从显示玻璃向半导体级性能延伸。
· 台玻（中国台湾）：开发类玻璃陶瓷中介层。
2. TGV钻孔与加工设备
· 帝尔激光（中国）：TGV激光微孔设备，最小孔径5μm，已实现晶圆级和面板级交付。
· 海目星（中国）：激光器到湿法蚀刻全自供，通孔良率≥98.5%。
· 大族激光（中国）：已交付国产TGV激光钻孔设备。
· 华工科技（中国）：提供最小30μm孔径的钻孔装备。
· 苏州晶洲装备（中国）：投建年产150套TGV工艺装备基地。
· 日本DNP、韩国Philoptics：建设TGV试验线。
· 群翊、辛耘、弘塑、牧德（中国台湾）：布局CoPoS设备和检测。
3. 封装与面板制造
· 台积电（中国台湾）：CoPoS技术主导者，2026上半年玻璃基板中试线基本建成。
· 英特尔（美国）：已展出玻璃基板2.5D封装原型。
· 日月光（中国台湾）：全球封测龙头，进行技术储备。
· 力成（中国台湾）：面板级封装已小量生产。
· 群创（中国台湾）：大尺寸玻璃加工优势，已获SpaceX订单。
· 京东方（中国）：计划2027年量产高深宽比玻璃基产品。
· 长电科技、通富微电（中国）：积极布局TGV技术。
4. 终端应用驱动
· 英伟达：明确表示下一代AI基础设施将转向玻璃基板。
· 三星电机（韩国）：为苹果AI服务器芯片提供玻璃基板样品。
· SKC旗下Absolics（韩国）：已向AMD提供量产级样品。
· 博通：玻璃基板ASIC芯片已从原型转向批量试产。
5. 前沿技术探索
· 中国科学院微电子所：在玻璃与铜之间烧结无机缓冲层，可将TGV热应力降低近50%，从源头缓解翘曲。
· 越摩先进（中国）：完成超大尺寸（70×70mm²）玻璃基板样品全流程制造，面内翘曲低至62μm。
五· CoWoS（硅基板）是现在，CoPoS（玻璃基板）是未来。
· 从硅到玻璃，核心瓶颈在于翘曲和TGV工艺，两者互为因果，是系统工程难题。
· 国内外材料商、设备商、封测厂、终端用户已全线布局。量产时间推迟到2030年底，说明技术难度很大，但方向已经明确。
本文基于截至2026年6月的公开信息整理，不构成投资建议。