AI 太能吃存储了。全球 HBM(高带宽内存)需求四年暴涨 15 倍,存储价格被拉到让手机厂、车企、云厂商集体叫苦的高位,全球存储大厂被迫疯狂扩产。而存储厂扩产,买的就是半导体设备的单子。东吴证券最新深度报告判断,薄膜、刻蚀、量测三类设备合计吃掉存储厂设备开支的 52% 以上,北方华创、中微、拓荆、微导纳米、迈为这些国产设备龙头,是这轮扩产周期最直接的受益方。
核心测算,东吴证券预计全球 HBM wafer 需求量从 2024 年走到 2028 年,四年完成十五倍增长。
2.9万片/月(2024) → 44.2万片/月(2028E)
年均复合增速超过90%
一、AI 越强,存储越不够用
1.1大模型和算力投入都在暴涨
截至 2025 年底,全球千亿参数以上大模型累计 87 个,光 2025 年新发布的开源大模型就有 124 个。模型一个比一个大,训练和推理都要烧海量算力。钱也跟上了,2026 年四大科技巨头合计 AI 资本开支预计上调到7250 亿美元,比 2025 年的 4100 亿同比增长约 77%,两年接近翻倍。
推理调用量同样夸张。OpenRouter 数据显示,2026 年 3 月第三周,全球 AI 大模型总调用量 20.4 万亿 Token,环比增长 20.7%,其中中国模型调用量 7.36 万亿 Token,环比涨 56.9%,连续三周超过美国。
1.2HBM 是什么,为什么这么重要
HBM 全称高带宽内存,是专为 AI 芯片设计的堆叠式内存。普通内存平铺在电路板上,HBM 把好多层内存像盖楼一样叠起来,再和 GPU 封装在一起。AI 芯片算得快,数据搬运更要快,HBM 就是那个转得快的仓库。
存储厂给 GPU 配的 HBM 正在越来越厚。英伟达 GB200/GB300 单颗 GPU 的 HBM 容量是 186GB/278GB,新一代 Vera Rubin 采用 HBM4,单颗 288GB、带宽 22TB/s,再下一代 Rubin Ultra 直接到 1TB。谷歌 TPU 也是这个路子,从 TPU v5e 的 16GB 一路涨到 v8i 的 288GB,容量翻了约 18 倍。芯片出货量在涨,单颗芯片吃的存储也翻倍地涨,HBM 需求自然就爆了。
1.3HBM 市场现在谁说了算
2025 年 HBM 市场基本被三家瓜分,SK 海力士占 58.3%,三星和美光各约 20%。主流产品是 HBM3e,占市场 96.3%,更新的 HBM4 还在验证阶段,占比只有 0.6%。
存储厂正在把产能疯狂往 HBM 上倾斜。SK 海力士的 HBM 晶圆投入占比,从 2025 年初的 25.9% 一路涨到 2026 年初的 29.2%,保持行业最高。三星从约 19% 涨到约 23%,美光从约 11% 涨到约 19%。
1.4更要命的是,HBM 在抢普通内存的产能
HBM 占用的晶圆产能越多,普通 DRAM(电脑手机里用的内存)产能就越少。AI 把存储产能挤占的效应,未来两年很难缓解。全球 DRAM 晶圆总产能从 2024 年的 164 万片/月,提到 2026 年的 205 万片/月,其中用于 HBM 的从 20 万片涨到 43 万片。到 2027 年,AI 需求要吃掉 HBM 产能的近 80%。
这里有个时间差。晶圆厂从动工到出货要一年左右,现在扩产,最快明年才能看到新增供给,所以供需紧张还会持续一阵。
二、存储太贵,下游已经叫苦不迭
存储涨价传导得很快,从手机到汽车到 AI 服务器,全在挨打。
2.1手机厂商最先扛不住
2026 年一季度,全球主要手机厂商出货量普遍下滑。小米同比 -38%、传音 -10%、VIVO -8%、三星 -2%,环比看苹果、小米、OPPO、VIVO 降幅都在 25% 到 37% 之间。厂商纷纷下调全年预期,小米把 2026 年出货预期从 1.35 亿部下调约 30% 到 9500 万部,OPPO 和 vivo 也降到 9000 万部以下。
低端机型最惨。以 Redmi Note 15 基础款(8GB 内存)为例,单 GB 内存价格从 21 元涨到 70 元,内存占手机售价的比重从 15% 飙到 40%。售价从 1099 元涨到 1399 元,还是覆盖不了内存涨价,利润被压到几乎为零。

2.2中端新能源车,单车由盈转亏
汽车里中端车型最受伤。低端车内存需求小,高端车售价高扛得住,中端车功能不少、价格不高,内存成本占比被放大。问界 M7 月销量从高点超 2 万辆,跌到 2026 年 3 月的 8383 辆。问界 M8 从 2.1 万辆/月跌到 4007 台。
东吴按某国产中档豪华车测算,存储加碳酸锂涨价让单车成本增加 1.5 万到 2 万元,其中存储芯片占约 8500 元。
-13.7亿元,上半年因存储涨价减少的利润
单车净利率从 +2.4% 变成-2.1%,每卖一台亏 8200 元
2.3苹果也涨价了,海外在传导
2026 年 6 月,苹果上调部分 MacBook 和 iPad 售价。MacBook Neo 从 599 美元涨到 699 美元(+16.7%),MacBook Air 从 1099 美元涨到 1299 美元(+18.2%),iPad Air 从 599 涨到 749 美元(+25%)。存储成本已经从元器件传导到消费者手里。
2.4AI 服务器更夸张,存储占比飙到 25.65%
AI 服务器整机里,存储的占比涨得最快。市场预计英伟达新一代 VR200 整柜成本约 780.3 万美元,比上一代 GB300 的 399.5 万美元贵了约 95%。其中存储成本从约 37.4 万美元暴涨到 200.2 万美元,增幅 435%,占整柜成本的比例从 9.36% 升到 25.65%。GPU 本身也涨了 57%,但没涨过存储。
+435%VR200 整柜存储成本涨幅
存储占整柜 BOM 比例从9.36%升到25.65%
存储这么贵,下游 AI 客户也开始精打细算。部分美国云厂商已经跟存储厂签多年期供货协议锁价,有的把服务器内存配置从 96GB/128GB 降到 32GB/64GB。市场还预计,2026 年前五大云厂商的资本开支几乎要花掉全部经营现金流,自由现金流空间已经非常紧张。
2.5一个信号,长鑫科技战配名单
国内这边有个值得注意的信号。长鑫科技(国产 DRAM 龙头)2026 年战略配售对象里,超 20% 是产业链伙伴。上游有澜起科技、西安奕材、拓荆科技、中微公司这些设备材料公司,下游有腾讯、美团、小米、蔚来、奇瑞这些被存储涨价打疼的客户。
小米 2026 年一季度净利润同比 -56.8%,急需跟长鑫锁长期关系缓解涨价压力。上下游用战配捆在一起,等于把扩产和订单提前绑定了,这是国产存储产业链加速的信号。
2.6再涨下去不行了,存储厂开始扩产
连存储厂自己都觉得价格太离谱。SK 集团会长崔泰源公开说,当前存储价格处于非正常高位,继续涨价会形成芯片通胀,反噬下游需求,不如增加供给让价格回到合理区间。他预计 2027 年 AI 半导体需求比 2026 年增长 60% 到 100%。
但晶圆厂建设需要时间,短期能增加的供给有限。按 TrendForce 预测,SK 海力士和三星的 DRAM 月产能,到 2030 年要从 2025 年底的 54.5 万片/65 万片,提升到约 100 万片/135 万片。扩产的大方向定了,买设备的钱就要花出去了。
三、全球存储厂集体扩产,设备商的机会来了
3.1全球产能翻倍,国产厂商份额爬升
DRAM 这边,2026 年一季度三星、SK 海力士、美光的 12 英寸月产能分别是 64 万、56.5 万、34.5 万片,韩系厂商预计 2030 年前产能翻倍。长鑫存储 2026 年一季度月产能约 29 万片,全球市占率从 2025 年一季度的约 3% 提到 8%。
NAND 这边,长江存储 2026 年一季度月产能仅 16 万片,全球市占率从约 8% 提到 13%。跟三星、闪迪动辄三四十万片的产能比,国产厂商提升空间还非常大。
3.2制程越先进,设备越贵
存储厂扩产的重点不是简单加产能,制程往更先进走,而制程越先进,单位产能要花的设备钱越多。以逻辑芯片为例,5nm 每单位产能的设备投资额约是 28nm 的 3.5 倍。存储这边,DRAM 做到 10nm 时,每千片晶圆月产能的设备投资额高达 9000 万美元。

3D NAND 的设备投资额也比 2D 时代贵,2015 年约 1.5 倍,2021 年约 2.2 倍。HBM 还在往 HBM4、HBM4E 演进,堆叠层数越来越高,刻蚀、薄膜、量检测这些工艺的重要性只会越来越强,需要的设备数量也越来越多。
3.3三类设备吃掉 52% 的存储设备开支
东吴测算了存储扩产的设备开支结构,薄膜、刻蚀、量测三类设备合计占比最高。
22%薄膜设备 20%刻蚀设备 10%量测设备
三者合计52%,是所有环节里最受益的
再拆细一点。刻蚀设备里,ICP 和 CCP 两种占绝对主力(各约 48% 和 47%)。薄膜设备里,PECVD 是核心,占约 33%。做 HBM 这种高堆叠高良率的东西,这三类设备绕不开。
四、重点公司怎么看
北方华创,平台化覆盖,啥都能供
截至 2025 年末,北方华创核心设备工艺覆盖度已超 60%,刻蚀、薄膜、清洗、离子注入、电镀、炉管全品类都有产品,产品矩阵跟存储扩产需求高度吻合。薄膜产品占比最高(22.9%),其中 PECVD 8%,刻蚀占比 22.1%(硅刻蚀 12%)。存储厂扩产,无论是 DRAM 还是 NAND,北方华创都能切进去。风险提示,下游扩产不及预期,新产品研发与验证不及预期。
中微公司,刻蚀+薄膜双轮
中微是刻蚀机龙头,高能 CCP 刻蚀、低能 ICP 刻蚀、边缘刻蚀机全覆盖,能满足约 22% 的设备需求。薄膜设备(ALD、LPCVD、EPI)覆盖约 5% 的市场。公司还通过参股布局量测(睿励科学仪器)和 CMP(拟收购杭州众硅),未来 5 到 10 年目标覆盖 60% 的集成电路高端设备市场。风险提示,晶圆厂扩产节奏不及预期,新品研发与产业化不及预期。

拓荆科技,薄膜沉积第一梯队
拓荆靠 PECVD 起家,逻辑芯片工艺覆盖 100%、NAND 80% 以上、DRAM 60% 以上,批量供货中芯国际、华虹、长江存储等龙头晶圆厂。控股子公司拓荆键科布局混合键合设备,后道封装设备已完成 HBM 及 3D IC 全工艺覆盖,这是直接卡位 HBM 产线的环节。风险提示,晶圆厂资本开支下滑,国产化率提升不及预期。
微导纳米和迈为股份,各有突破
微导纳米是国产 ALD(原子层沉积)设备代表。28nm 逻辑芯片高 K 栅介质层设备已通过客户验收、拿到重复订单,存储方向还拿下行业首台批量型 ALD 设备订单。2022 到 2025 年,公司半导体设备收入从 0.47 亿元涨到 8.81 亿元,年均增速约 160%。迈为股份的半导体设备业务新签订单快速增长,东吴预计它将成为继中微、北方华创之后的第三家主流刻蚀上市设备商。风险提示,下游扩产不及预期,新品拓展不及预期。
4.1估值一览(截至 2026.8.3 收盘)
估值速览
北方华创 641.30 元,市值 4654 亿,2026E PE 68 倍;中微公司 309.85 元,市值 2968 亿,2026E PE 109 倍;拓荆科技 591.86 元,市值 1720 亿,2026E PE 99 倍;微导纳米 79.55 元,市值 369 亿,2026E PE 99 倍;迈为股份 145.91 元,市值 407 亿,2026E PE 49 倍;长川科技 227.42 元,市值 1443 亿,2026E PE 67 倍。注,精智达、联讯仪器、联动科技盈利预测来自 Wind 一致预测,其余来自东吴证券研究所。
风险提示
半导体行业投资不及预期,设备国产化进程不及预期,技术迭代及工艺路线变化风险
补充风险
AI 资本开支持续性存疑,若 AI 应用商业化不及预期,扩产可能放缓。HBM4 等高堆叠工艺良率仍在爬坡,量产延迟会拖累设备订单。先进设备高度依赖国际供应链,地缘政治和出口管制变化会影响扩产节奏。
以上内容基于东吴证券 2026 年 8 月 3 日发布的
《半导体设备行业深度》研报解读
数据来源 Trendforce、Gartner、OpenRouter、Reuters、Omdia、SEMI、Wind 等
不构成投资建议
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