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2 0 2 5 年 教 师 资 格 证
理 论 精 讲-大学电磁学
主讲老师 楠风
粉笔教师教育 粉笔教师第 一 节 真 空 中 的 静 电 场
一、真空中的库仑定律
1 𝑞 𝑞
1 2
𝑭 = 𝒓
4𝜋𝜀 𝑟3
0
式中,𝑞 、𝑞 分别为两点电荷所带电量;𝑟为两点电荷之间的距离;𝒓为施力电荷指向
1 2
受力电荷的位置矢量;𝜀 (埃普西隆)称为真空介电常数或真空电容率,𝜀 = 8.85 ×
0 0
−12
10 F/m。
Ԧ
𝑞 𝐹
𝑞
2
1二 、 电 场
(一)点电荷的电场
𝑭 1 𝑞
𝑬 = = 𝒓
𝑞 4𝜋𝜀 𝑟3
0 0
式中,𝑬是电量为𝑞的点电荷产生的电场,𝑞 为
0
试验电荷的电量,𝑭为试验电荷受到的电场力。
(二)电荷连续分布的带电体产生的场强
1 𝒓d𝑞
𝑬 = ∫ d𝑬 = ∫
𝑄 4𝜋𝜀 𝑄 𝑟3
0
∫ 表示对整个带电体求积分。
𝑄【例1】在𝑦𝑂𝑧平面上有一半径为𝑅的圆环,均匀带有电量𝑄(正电荷),求均匀带
电圆环轴线上(𝑥轴)某点𝑃处的场强。
𝑬
//
𝑬
⊥【例2】试计算均匀带电圆盘轴线上与盘心 𝑂 相距为x的任一给定点 𝑃 处的电场强度,
设盘的半径为𝑅,电荷面密度为𝜎。【例3】已知半圆环的半径为𝑅、电荷线密度为𝜆,则均匀带电半圆环圆心处的电场
强度为
2024FENBI三 、 真 空 中 静 电 场 的 高 斯 定 理
(一)电场线的基本性质
1.静电场的电场线总是起始于正电荷(或无穷远),终止于负电荷(或无穷远),不会在
没有电荷的地方中断。这一特点叫做静电场的有源性,即电场线是有头有尾的,有起点和终点。
2.静电场中的电场线是永不闭合的曲线。这一特点叫做静电场的无旋性。
3.任何两条电场线不会相交。(二)电通量
1.概念
将通过电场中某一个面的电场线的条数称为通过该面的电通量,用Φ 表示。
𝑒
2.公式
(1)任一曲面的电通量为
Φ = ∬ dΦ = ∬ 𝑬 ⋅ d𝑺
𝑒 𝑆 𝑒 𝑆
这是一个面积分,积分号下标𝑆表示此积分的范围遍及整个曲面。
(2)如果S为闭合曲面,则
Φ = ∯ 𝑬 ⋅ d𝑺
𝑒 𝑆
式中,∯ 表示对闭合曲面的积分。
𝑆(三)高斯定理
1.内容
在真空中的静电场内,通过任意闭合曲面的电通量等于该闭合曲面所包围的净电荷(电量
的代数和)除以𝜀 。
0
2.公式
1
Φ = ∯ 𝑬 ⋅ d𝑺 = 𝑞
𝑒 𝑆 𝜀 𝑖
0
式中,σ 𝑞 表示闭合曲面S内的电荷的代数和。
𝑖
𝐸
d𝑆 Ԧ d𝑆 Ԧ【例1】求电荷呈球对称分布时所激发的电场强度。
𝑆
𝑅
𝑟【例2】电荷均匀分布于一个无限大平面上,其面密度为𝜎,求其激发的静电场的电场强度。
𝜎
𝑆 𝑆
2 1
𝒆 𝒆
𝑛2 𝑛1【例3】1.求电荷呈“无限长”圆柱形轴对称均匀分布时所激发的电场强度。(圆柱半径为
𝑅,单位长度的电荷量为𝜆。)
2.求半径为𝑅、面电荷密度为𝜎的无限长均匀带电圆柱面内、外的场强。【例4】求半径为𝑅、面电荷密度为𝜎的无限长均匀带电圆柱面内、外的场强。
2024FENBI(真题2018年上高中)【例】球形电容器由两个同心的球壳导体A、B组成,如图所示。
导体𝐴、𝐵的半径分别为𝑅 和𝑅 ,且𝑅 < 𝑅 ,导体𝐴、𝐵在真空中分别带有电荷+𝑞和−𝑞,求:
𝐴 𝐵 𝐴 𝐵
(1)导体𝐴、𝐵之间的电场强度;
(2)该电容器的电容。
2024FENBI四 、 静 电 场 的 环 路 定 理 电 势 能 电 势
(一)静电场力的功
在点电荷的电场中移动试验电荷时,电场力做的功除了与其电量𝑞 成正比外,还与移动试验电
0
荷的始、末位置有关,而与路径无关。若使试验电荷沿任一闭合回路𝐿绕行一周,则点电荷的静电场
力所做的功为零,即:𝐴 = ∮ 𝑞 𝑬 ⋅ d𝒍 = 0
𝐿 0
(二)环路定理
1.内容:在静电场中沿任意闭合路径,场强的环流恒为零,即静电场是保守力场。
2.公式:∮ 𝑬 ⋅ d𝒍 = 0
𝐿
该公式称为静电场的环路定理,公式左边的积分称为场强𝐸的环流。
𝑞
𝐸
0
𝐴 𝐵(三)电势能 电势 电势差
1.电势能
当场源电荷局限在有限大小的空间里时,常把电势能零点选在无穷远处,则𝑞 在𝑎点的电势
0
能𝑊 为
𝑎
∞
𝑊 = න 𝑞 𝑬 ⋅ d𝒍
𝑎 0
𝑎
该公式表明,试验电荷𝑞 在电场中𝑎点的电势能,等于将试验电荷由𝑎点沿任意路径移至无
0
穷远处的过程中电场力做的功。2.电势
(1)公式
𝑊 ∞
𝑎
𝑉 = = න 𝑬 ⋅ d𝒍
𝑎
𝑞
0 𝑎
该公式表明,电场中任意点𝑎的电势𝑉 在数值上等于单位正电荷在该点的电势能,也等于单
𝑎
位正电荷从该点沿任意路径移至无穷远处的过程中电场力所做的功。(2)电势的计算
①点电荷电场的电势
在点电荷𝑞的电场中,若选取无穷远处作为电势零点,在𝑎点产生的电势为
∞ ∞ 𝑞 𝑞
𝑉 = න 𝑬 ⋅ d𝒓 = න d𝑟𝑐𝑜𝑠0° =
𝑎 4𝜋𝜀 𝑟2 4𝜋𝜀 𝑟
𝑎 𝑟 0 0
式中,𝑟是电荷𝑞到𝑎点的距离。②点电荷系电场的电势
若真空中有𝑛个点电荷,其电量分别为𝑞 、𝑞 ,…,𝑞 ,这𝑛个点电荷在𝑎点产生的电势为
1 2 𝑛
𝑛
𝑞
𝑖
𝑉 =
𝑎
4𝜋𝜀 𝑟
0 𝑖
𝑖=1
式中,𝑟 、𝑟 ,…,𝑟 分别为各点电荷到𝑎点的距离。
1 2 𝑛
该公式表明,在点电荷系的电场中,某一点的电势等于各点电荷单独存在时在该点产生的电势的代
数和。这一结论称为电势叠加原理
③电荷连续分布带电体系电场的电势
∞ d𝑞
对一个电荷连续分布的带点体系,在𝑎点产生的电势为:𝑉 = ∫
𝑎
𝑎 4𝜋𝜀 𝑟
0
式中,𝑟是电荷元d𝑞到𝑎点的距离。(四)导体的静电平衡
导体中没有电荷作任何宏观定向运动的状态称为静电平衡状态。
导体静电平衡的必要条件是导体内任一点的电场强度都等于零。
推论:1.导体是等势体,其表面是等势面
2.导体表面的电场强度垂直于导体表面【例1】一半径为𝑅的带电细圆环,所带电量为𝑞,求在圆环轴线上任一点𝑃的电势。【例2】计算均匀带电球面电场中的电势分布【例3】两个同心球面,半径分别为10cm和30cm。小球面均匀带有10−8𝐶正电荷,大球
面均匀带有1.5 × 10−8𝐶正电荷。求离球心分别为20cm、50cm处的电势。(3)场强与电势的关系
电场中某一点的场强𝐸沿着某一方向的分量𝐸 等于电势沿该方向上变化率的负值。表
𝑙
d𝑉 𝑉 𝑉
达式为𝐸 = − 𝑎 𝑏
𝑙
d𝑙
𝑎 𝑏
Ԧ
场强的矢量表达式可写成: 𝐸 d𝑙
𝑙
注:因为d𝑙很小,可认为𝐸 是匀强
𝑙
𝜕𝑉 𝜕𝑉 𝜕𝑉 电场的电场强度;𝑉 − 𝑉 = −d𝑉
𝑬 = − 𝒊 + 𝒋 + 𝒌 。 𝑎 𝑏
𝜕𝑥 𝜕𝑦 𝜕𝑧
𝜕𝑉 𝜕𝑉 𝜕𝑉
矢量 𝒊 + 𝒋 + 𝒌称为电势的梯度,用grad𝑉或𝛁𝑉(读nabla )表示。上式又可写
𝜕𝑥 𝜕𝑦 𝜕𝑧
成
𝑬 = −grad𝑉 = −𝛁𝑉
该公式表明:电场中任意一点的场强等于该点电势梯度的负值。3.电势差
静电场中任意两点𝑎、𝑏的电势之差称为电势差,用𝑈 表示。
𝑎𝑏
𝑊 − 𝑊 𝑏
𝑎 𝑏
𝑈 = 𝑉 − 𝑉 = = න 𝑬 ⋅ d𝒍
𝑎𝑏 𝑎 𝑏
𝑞
0 𝑎【例1】半径为𝑅 的金属球𝐴外罩一同心球壳𝐵,球壳极薄,内、外半径均可看作𝑅 。𝐴、𝐵的电
𝐴 𝐵
荷量分别为𝑄 和𝑄 。(1)求𝐴的表面𝑆 及𝐵的内、外表面𝑆 、𝑆 的电荷量𝑞 、𝑞 和𝑞 ;
𝐴 𝐵 1 2 3 1 2 3
(2)求𝐴和𝐵的电势𝑉 和𝑉 。
𝐴 𝐵(真题2016年上高中)如图所示,半径为𝑏的圆环状导线均匀带电,在垂直于环平面
的轴线上有两点𝑃 、𝑃 ,𝑃 、𝑃 到环心距离为𝑏和2𝑏;设无限远处电势为零,𝑃 、𝑃 的电
1 2 1 2 1 2
𝜑
势分别为𝜑 和𝜑 ,则 1 为( )。
1 2
𝜑
2
5 5
A.3 B. C.2 D.
2 2
2024FENBI(真题2017年下高中)空间某静电场的电势𝜑随𝑥的变化情况如图所示,根据图中信息,
下列选项中能正确表示𝜑对应的电场强度𝐸随𝑥变化关系的是( )。
2024FENBI(真题2022下高中)同轴传输线由长直圆柱形导线和套在它外面的同轴导体圆管构成,已知
长直导线的半径为𝑅 圆管的内半径为𝑅 ,中间空气的介电常量为𝜀 。
1 2 0
(1)若长直导线上的电荷线密度为𝜆,求离轴线中心𝑟处(𝑅 < 𝑟 < 𝑅 )的电场强度𝐸的大小。
1 2
(2)若测得长直导线的电势为𝑉 ,圆管内壁的电势为𝑉 ,求长直导线上的电荷线密度𝜆。
1 2
2024FENBI五、电容器的电容
电容:表征导体储电能力的物理量,其物理意义是:使导体升高单位电势所需要的电荷量。
𝑞
孤立导体的电容:𝐶 =
𝑉
比例常量𝐶称为孤立导体的电容,只与导体大小、形状和周围
介质有关。
𝑞
电容器的电容: 𝐶 =
𝑉 −𝑉
𝐴 𝐵
其值只取决于两极板的大小、形状、相对位置及极板间的电介质
𝐶
若电容中有电介质,则充有电介质的电容𝐶为两极板间为真空时的电容𝐶 的𝜀 倍: 𝜀 =
0 𝑟 𝑟
𝐶
0
𝜀 为介质的相对电容率或相对介电常量
𝑟最简单的电容器是由靠得很近、相互平行、同样大小的两片金属板组成的,设每块极板的面
积为𝑆,两极板内表面间的距离为𝑑,求平行板电容器的电容。(真题2021年下初中)如图5所示,有一面积为𝑆,板间距为𝑑的平行板电容器,充电后保持
电量𝑄不变,将一块厚度为𝑏,面积为𝑆的金属板平行于两极板插入、边缘对齐,忽略金属板对
电容的影响,金属板插入前后,关于电容器的电容和储能变化。下列说法正确的是( )。
2
𝜀 𝑏𝑆 𝑄 𝑏
0
A.电容增大 ,储能增加
𝑑(𝑑−𝑏) 2𝜀 𝑆
0
2
𝜀 𝑏𝑆 𝑄 𝑏
0
B.电容增大 ,储能减小
𝑑(𝑑−𝑏) 2𝜀 𝑆
0
2
𝜀 𝑏𝑆 𝑄 𝑏
0
C.电容减少 ,储能增加
𝑑(𝑑−𝑏) 2𝜀 𝑆
0
2
𝜀 𝑏𝑆 𝑄 𝑏
0
D.电容减少 ,储能减小
𝑑(𝑑−𝑏) 2𝜀 𝑆
0