夜雨聆风
相较国内半导体销售额30%的全球占比，本土制造产能仍有明显补短板空间，国产替代需求坚实。
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全球AI算力需求持续爆发，带动集成电路行业资本开支进入新一轮上行周期，全球晶圆制造企业纷纷加速扩产。伴随芯片制程持续微缩，单片晶圆生产所需设备数量、工艺步骤、设备价值量同步提升。叠加海外半导体出口管制持续收紧，国内晶圆厂优先采购本土设备的意愿显著增强。本文围绕半导体设备行业最新经营变化、研发投入、产能扩张及细分设备需求逻辑展开梳理，结合晶圆制造、封测环节最新数据，复盘行业景气现状与核心成长方向。
设备企业业绩持续高增，后道环节盈利弹性更强
国内半导体设备企业整体营收与利润保持稳健增长态势。根据行业统计的14家核心设备公司财务数据，2025年合计营收达899.9亿元，同比增长35%；归母净利润134.5亿元，同比增长17%。2026年一季度行业高增趋势延续，14家企业合计营收217.8亿元，同比增长32%，归母净利润40.1亿元，同比大幅提升61%。
从细分赛道来看，后道封测设备企业增长爆发力显著优于前道晶圆设备企业。以长川科技、华峰测控为核心的四家后道设备企业，2025年合计营收84.6亿元，同比增长47%；2026年一季度营收22.7亿元，同比增长75%，一季度净利润同比增速高达198%。业绩分化的核心原因在于，前道设备企业持续高强度投入研发、叠加股权激励费用摊销，对短期利润形成压制；而后道设备企业受益于封测行业高景气，费用端相对稳定，利润兑现速度更快、弹性更强。
盈利能力方面，受行业整体研发投入大幅增加影响，2025年14家核心设备企业整体毛利率为41.8%，同比下滑3.5个百分点；净利率13.6%，小幅回落0.2个百分点，行业整体处于“高研发投入、换长期技术突破”的成长阶段。
研发与团队持续扩张，订单存货维持历史高位
为追赶先进制程技术、突破设备卡脖子环节，国内设备企业持续加码研发投入。2020至2025年，14家核心企业研发费用逐年攀升，2025年整体研发投入177.80亿元，同比增长33.8%；2026年一季度研发投入39.78亿元，同比增长31.7%，研发费用率长期稳定在16%-18%的高位区间。同时企业研发费用化比例持续提升，以北方华创为例，研发投入费用化比例从2020年的35%提升至2025年的65%，行业技术迭代节奏持续提速。
人才储备同步扩容，行业研发力量持续夯实。14家设备企业员工总数从2020年1.7万人增长至2025年5.4万人，年均复合增速26%，其中研发人员占比从32.6%提升至37.9%，企业持续为技术突破、订单放量储备人力产能。
下游旺盛需求充分体现在存货与订单端。2025年、2026年一季度行业存货总额分别达717.2亿元、741.8亿元，连续刷新历史新高，主要系企业主动备货应对供应链波动，同时产线待验收设备规模持续增加。2025年合同负债187.6亿元，2026年一季度小幅回落至185.9亿元，反映成熟制程设备验收、收入确认节奏持续加快。现金流层面，2025年行业经营性现金流净流入59.6亿元，保持稳健状态；2026年一季度因原材料备货占用资金，经营性现金流小幅净流出10.7亿元。
全球晶圆厂扩产提速，国内设备采购稳居全球首位
AI算力芯片需求爆发，持续拉动全球半导体设备支出增长。行业预测，2026年全球12英寸晶圆厂设备销售额将创下1330亿美元历史新高，2029年有望突破1700亿美元。从投资结构来看，逻辑芯片晶圆厂为最大投资主体，2027-2029年设备投资规模预计达2280亿美元，占比57%；存储芯片紧随其后，DRAM设备投资约1110亿美元、占比28%，3D NAND设备投资约620亿美元、占比15%。
中国大陆已连续五年成为全球最大半导体设备采购市场，2025年国内设备销售额预计达493亿美元，全球占比37%。国内晶圆产能占比从2021年16%提升至2024年22%，但相较国内半导体销售额30%的全球占比，本土制造产能仍有明显补短板空间，国产替代需求坚实。
国内头部晶圆厂持续高资本开支扩产。中芯国际作为先进逻辑制程扩产主力，2025年资本开支81亿美元，同比增长11%，2026年将维持高位投入，产能利用率在2025年三季度、四季度分别达到95.8%、93.5%的高位，生产热度充足。存储端，长鑫存储持续推进多基地产能建设，2024年购建固定资产现金支出712.3亿元，2025年前三季度营收320.8亿元，产能利用率高达94.6%，伴随存储价格回暖，企业亏损持续收窄，新建产能需求迫切。海外存储三巨头同样加码扩产，三星、SK海力士、美光2025年合计资本开支4456亿元，同比增长21%，全球设备需求持续景气。
制程微缩叠加堆叠升级，刻蚀与薄膜设备价值量大幅提升
芯片制程持续向先进节点迭代，显著抬升单晶圆设备投资成本。对比来看，新建万片月产能的5nm逻辑产线，设备投资超30亿美元，为28nm制程的四倍。存储芯片迭代同样推高设备投入，3D NAND堆叠层数突破200层、DRAM进入1β节点后，万片月产能对应的设备投资升至9亿美元。
从前道设备结构来看，刻蚀、薄膜沉积为价值量最高的两大核心环节，分别占前道设备价值的21%、23%。存储芯片向超高堆叠层数升级，带动高深宽比刻蚀工艺需求爆发，300层以上堆叠结构对深孔、切缝、阶梯刻蚀精度要求大幅提升。以三星430层V10架构为例，高深宽比工艺成本占比从64层V4架构的21%提升至35%，工艺难度与设备消耗量持续攀升。
逻辑制程方面，GAA环绕栅极晶体管普及，带动高选择比刻蚀设备需求放量，可精准横向去除多晶锗硅牺牲层，在不损伤周边结构的前提下完成薄膜剥离，成为先进制程迭代的关键设备，行业增量空间持续打开。
半导体设备公司
中微公司的主营业务涵盖了高能电容耦合等离子体（CCP）刻蚀和低能电感耦合等离子体（ICP）刻蚀设备，覆盖了约22%的设备需求，中微公司还通过投资睿励科学仪器进入光学膜厚与缺陷检测领域，并拟通过发行股份购买杭州众硅以布局化学机械抛光设备。
拓荆科技在薄膜沉积领域占据领先地位，其等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备已经在逻辑芯片制造中实现了100%的工艺覆盖，在三维闪存和DRAM制造中的覆盖率分别超过80%和60%。
微导纳米的单片型和批量型原子层沉积（ALD）设备在28纳米逻辑芯片的高K栅介质层工艺中获得客户验收和重复订单。
002***的产品线涵盖了刻蚀、薄膜沉积、清洗、炉管、离子注入等多个类别，核心工艺的覆盖度已经超过60%。
688***在全球干法去胶和快速热处理设备市场处于领先地位，2025年市占率分别为33.7%和13.8%，在干法刻蚀领域也取得了突破，2025年全球市占率升至0.5%。
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