三星采用全新封装技术!彻底打破移动端AI的性能瓶颈!

三星电子正在开发一项全新的移动存储封装技术。这项技术被称为“多层堆叠FOWLP（Multi Stacked FOWLP）”，它的出现，或许将彻底打破移动端AI的性能瓶颈。

传统的手机内存（LPDDR）主要采用铜线引线键合（Wire Bonding）技术。这种方式不仅输入/输出（I/O）端子数量受限（通常仅128~256个），信号损耗大，而且在面对海量AI数据吞吐时，功耗和发热表现都不尽如人意。

为了突破这一限制，三星此前曾推出了VCS（垂直铜柱堆叠）技术，通过将DRAM芯片阶梯式堆叠并填充铜柱来提升性能。而这次曝光的新技术，正是VCS的“究极进化版”。

三星新一代封装技术的核心亮点，在于对铜柱（Cu-post）的极致改造与FOWLP（扇出型晶圆级封装）的巧妙结合：

极细长铜柱，带宽暴涨： 三星将VCS工艺中铜柱的纵横比（Aspect Ratio）从原本的3~5:1，惊人地提升到了15:1~20:1。这意味着在同样的空间内，可以布置更多的I/O端子，预计能带来15%~30%的带宽提升，内存堆叠层数也能增加1.5倍以上。

FOWLP加持，稳如泰山： 当铜柱直径缩小到10微米以下时，极易发生弯曲或断裂。三星引入FOWLP工艺，在芯片塑封后将线路向外延伸。这不仅解决了物理支撑问题，充当了铜柱的“坚固支架”，还进一步优化了信号传输路径。

乐观估计，这项技术最快可能会应用在Exynos 2800的后期版本，或者是Exynos 2900处理器平台上。