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AI算力金属引爆行情,还值得关注的3大“隐形金矿”

AI算力金属引爆行情,还值得关注的3大“隐形金矿”

最近和一个做服务器电源的朋友聊天,他随口抱怨了一句:“现在不是缺芯,是缺‘土’。” 我愣了一下,他补了一句:“你知道一块AI主板用的锡膏,比十年前多了多少吗?”

这还真不是玩笑。微软、谷歌、亚马逊、Meta四家巨头今年资本开支合计最高冲到7250亿美元——超过很多国家的全年GDP。这笔钱流向哪里,哪里就是景气度的温床。而这一轮,钱正从单一芯片,涌向服务器整机、高速网络、数据中心供电和散热设施,全链条、多品类地上量。

上游原材料接住了这泼天富贵。锡的PCB耗锡量4年要增近5万吨铟被磷化铟光模块拉着跑,5年后需求要翻22倍铪更夸张,海外价格一度比国内贵出10倍,因为它成了3nm以下制程绕不开的“栅极垫脚石”

但稀缺从来不是新闻,关键是——当硬件升级把稀有金属推向牌桌中央,产业链跟得上吗? 答案或许就藏在接下来的三个故事里。

01

锡:电子世界的“万能胶”

1)概述

锡凭借低熔点、良好导电性及工艺兼容性,成为电子工业首选的核心焊接材料。在AI算力爆发的背景下,AI服务器主板从传统12层设计扩展到40-50层以上,高端PCB与先进封装用锡需求快速扩容。供给端则面临全球资源稀缺、主产国产量下滑、政策扰动及贸易流迁移等多重压制,供需缺口扩大趋势明确。

2)关键解读

需求侧:PCB扩产直接拉动锡消费

锡在PCB领域主要消耗于两个环节——电镀与SMT贴片封装。据测算:

  • 多层板电镀锡单耗约 12.84g/m²,HDI板电镀锡单耗约 40.19g/m²,后者为前者的3倍以上。随着AI服务器对HDI板渗透率持续提升,平均单耗将显著上行。

  • SMT贴片封装环节锡单耗约 294.22g/m²,是PCB用锡的主力来源。

  • 2026-2030年,全球PCB产量预计从5.1亿平方米增长至6.63亿平方米,带动PCB耗锡从 16.3万吨增至21.2万吨,四年增量达 4.9万吨,CAGR为 6.9%。以2025年全球锡消费量38万吨为基数,PCB端对锡的消费拉动弹性为 12.3%

供给侧:低储采比 + 高不确定性构成刚性约束

资源稀缺:全球锡静态储采比仅约 20.7年,远低于铜(34年)、镍(36年)、钴(39年)。即便2015-2025年锡价涨幅达238%,全球锡矿产量十年CAGR仅 0.03%,高价刺激不出增量供给。

主产国产量承压:中国锡矿产量从2015年11万吨降至2025年7.1万吨,十年CAGR为 -4.3%;缅甸步入资源枯竭期,2025年产量同比下滑40%;印尼政策频繁调整(RKAB审批收紧、累进特许权使用费上调),出口波动剧烈。

贸易流重构:美国加速锡战略储备("金库计划"120亿美元、本土首家锡冶炼厂开工),南美(秘鲁、玻利维亚)锡贸易本就更倾向欧美,美国需求增强将进一步收束非美国家原料获取空间。

3)核心公司

锡业股份(全球锡业龙头):锡冶炼产能8万吨/年,2025年全球市占率 27.16%,位列十大精锡生产商之首;保有锡资源量61.38万吨。

华锡有色(广西关键矿产整合平台):锡资源量24.5万吨,2025年生产锡锭1.15万吨。

兴业银锡(国内锡业第二):锡资源量44.46万吨,2025年锡产量6700吨,银漫二期投产后2027年锡产能将达 2.2万吨/年

新金路(转型稀有金属):控股广西栗木矿业,在建60万吨/年采矿工程及150万吨/年选矿项目,计划年产锡精矿4275吨。

唯特偶(微电子焊接领先企业):锡膏、锡条、锡丝核心供应商,客户覆盖华为、比亚迪、富士康等头部企业,扩产项目预计2027年投产。

02

铟:高速光通信的核心基材

1)概述

随着AI数据中心对数据传输速率的要求从800G向1.6T乃至3.2T持续跃升,传统铜互连在信号损耗与功耗上逼近极限,光互连成为必然选择。磷化铟(InP)凭借直接带隙、高电子迁移率及适配光纤最低损耗窗口等特性,成为高速光模块中激光器芯片不可替代的核心衬底材料,铟需求正以指数级速度扩张。

2)关键解读

需求侧:磷化铟需求爆发式增长

性能不可替代性:磷化铟是直接带隙半导体(发光效率接近100%),带隙约1.34eV,天然对应光纤通信损耗最低的1310nm/1550nm波段;电子迁移率为硅的10倍以上,可支持100GHz以上高频调制。

需求增量测算:据证券测算,一片4英寸磷化铟衬底实际耗铟量约 32.2克(考虑60%行业平均良率)。2025年全球磷化铟产能约60万片,Lumentum预测到2030年AI数据中心对磷化铟需求CAGR达 85%,即2030年需求将达 1300万片。穿透到铟的终端需求将从2025年的 19吨 跃升至2030年的 419吨,增长 22倍。以2025年全球铟需求约2000吨为基数,仅AI数据中心一项即为铟金属带来 约21% 的需求增量。

② 供给侧:伴生约束+出口管制强化供给刚性

伴生属性决定刚性供给:铟主要伴生于锌矿(伴生比例高达100%),无法独立扩产。近年来锌精矿加工费(TC)大幅下跌,炼厂开工意愿降至近5年最低,严重限制原生铟供给补充。

中国出口管制收紧:2025年2月,中国对磷化铟、三甲基铟等铟相关物项实施出口管制,中国作为全球铟市场主要净出口国,政策收紧进一步加剧全球现货紧张。

库存快速消耗:据中联金统计,铟库存从2025年初的488.8吨降至2026年1月的273.8吨,去库趋势明显。

3)核心公司

锡业股份:国内最大原生铟生产基地,2025年生产铟锭 119吨,国内占比约 28.78%,全球占比约 11.03%;同时布局高纯铟(7N、8N级)研发与产能。

华锡有色:下属铜坑矿、高峰矿合计保有铟资源量3708吨,2025年生产铟锭 29吨,同比增长193%;已成功制备 7N级 高纯铟产品。

株冶集团:国内锌冶炼龙头,综合回收铟锭,2025年铟锭收入9335万元,销量约 40.71吨,单位成本约68.2万元/吨。

云南锗业:磷化铟晶片产能 15万片/年(2-4英寸),2025年销量同比增长 73.8%;2026年启动扩产3倍项目(新增30万片/年,折合4英寸),最终产能达45万片/年,同时推进6.5英寸大直径产品研发。

03

铪:迈向先进制程的"垫脚石"

1)概述

随着芯片制程进入纳米级节点,传统二氧化硅(SiO₂)栅介质层因量子隧穿效应导致漏电流剧增、功耗飙升。氧化铪(HfO₂)凭借高介电常数(k值约18-25,远超SiO₂的3.9),可在相同等效氧化物厚度下使用更厚的物理厚度,大幅降低栅极漏电流,成为先进制程(45nm及以下)晶体管中不可或缺的高k栅介质材料。铪正从传统高温合金/核能材料向半导体核心耗材跃迁。

2)关键解读

需求侧:半导体领域成为铪需求最大增量来源

制程升级驱动铪负载增加:英特尔在45nm制程率先采用铪基高k介质材料后,N型MOSFET栅极漏电流降低25倍以上,P型降幅超1000倍。随着台积电、三星、英特尔向3nm/2nm GAA(环绕栅极)架构转型,高k介质材料需求同步提升,单芯片铪负载有望持续增加。

需求结构剧变:据Nanoscale Powders总裁预测,2024-2030年全球铪需求将从 100吨增长至142吨。其中半导体领域需求从40吨/年增至 64吨/年(CAGR约 24%),贡献近半增量;镍基高温合金从45吨增至60吨(CAGR约5%);核能从15吨增至18吨(CAGR约3%)。半导体已成为铪需求增长的核心引擎。

② 供给侧:高壁垒+贸易流受阻,供给弹性极低

锆铪分离技术难度极高:铪是生产核级海绵锆时的分离副产物,但锆和铪因"镧系收缩"效应物理化学性质高度相似,分离提纯极为困难。主流MIBK法需使用有毒硫氰酸盐,易分解出硫化氢和氢氰酸,环保问题严重;TBP法、N235法亦存在萃取乳化或分离系数低等问题。核心技术长期被美、法、俄等国封锁。

扩产面临经济性悖论:美国两家主要生产商(ATI、Westinghouse)理论上可将铪产量翻倍至80吨/年,但每增产1吨铪将额外产生约25吨"脱铪锆"副产物。若无客户承接副产物或铪价不足以覆盖储存/填埋成本,扩产在经济上不可行;此外西方国家生产许可对一氧化碳排放的严格管控亦形成制约。

贸易流全面收紧:2022年俄乌冲突导致俄罗斯海绵铪断供,国际铪价从1200-1400美元/千克飙升至4500-5000美元/千克;2024年中国将铪纳入两用物项出口管制,2025年中国铪出口 20.2吨,同比减少 22%;单晶涡轮叶片专用的低锆/超低锆铪结晶棒供应缺口无法通过高锆品级原料弥补。

价格强势:国内4N级氧化铪从2022年初约450万元/吨涨至2026年6月 950万元/吨,涨幅 111%;海外铪价涨幅更为剧烈,欧洲铪价截至2026年5月同比上涨3.5倍以上,美国市场受旺盛需求及10%-35%进口关税影响,铪价较欧洲还存在额外溢价。

3)核心公司

三祥新材(锆铪分离技术突破者):中国电熔氧化锆及工业级海绵锆最大生产商之一。依托控股子公司辽宁华祥推进盐酸体系锆铪分离技术研发(操作相对简便、成本可控)。2025年4月以2000万元+10%辽宁华祥股权获得核心技术;2025年7月公告投资不超过3亿元建设锆铪分离项目,建设期15个月,建成后可年产 250多吨氯氧化铪、11740多吨超高纯氯氧化锆等。截至2026年5月,半工业化产线已实现连续稳定生产,铪产品纯度达 4N级以上,并已向下游半导体客户送样,有望逐步贡献利润增量。

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