当前位置:首页>文档>第11章 磁场第4讲 专题提升“平移圆”“放缩圆”“旋转圆”“磁聚焦”和“磁发散”模型_4.2025物理总复习_2025年新高考资料_一轮复习_2025人教版新教材物理高考第一轮基础练(完结)

第11章 磁场第4讲 专题提升“平移圆”“放缩圆”“旋转圆”“磁聚焦”和“磁发散”模型_4.2025物理总复习_2025年新高考资料_一轮复习_2025人教版新教材物理高考第一轮基础练(完结)

  • 2026-03-30 04:41:53 2026-03-10 12:55:15

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第11章 磁场第4讲 专题提升“平移圆”“放缩圆”“旋转圆”“磁聚焦”和“磁发散”模型_4.2025物理总复习_2025年新高考资料_一轮复习_2025人教版新教材物理高考第一轮基础练(完结)
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2025人教版新教材物理高考第一轮 第 4 讲专题提升 : “ 平移圆 ”“ 放缩圆 ”“ 旋转圆 ”“ 磁聚焦 ” 和 “ 磁发散 ” 模型 基础对点练 题组一 “动态圆”模型 1.(多选)利用如图所示装置可以选择一定速度范围内的带电粒子。图中板 MN上方是磁 感应强度大小为B、方向垂直纸面向里的匀强磁场,板上有两条宽度分别为2d和d的缝, 两缝近端相距为L。一群质量为m、电荷量为q、速度不同的粒子,从宽度为2d的缝垂直 于板MN进入磁场,不计粒子间的相互作用和重力,对于能够从宽度为d的缝射出的粒子, 下列说法正确的是( ) A.射出粒子带正电 qB(3d+L) B.射出粒子的最大速度为 2m C.保持d和L不变,增大B,射出粒子的最大速度与最小速度之差增大 D.保持d和B不变,增大L,射出粒子的最大速度与最小速度之差增大 2.(2024广东梅州模拟)如图所示,正方形abcd内有一垂直纸面向里的匀强磁场(图中未画 出),一束电子以不同的速度沿ab方向垂直磁场射入,形成从c点离开磁场区域和从d点离 开磁场区域的甲、乙两种轨迹。设沿甲、乙轨迹运动的电子速度大小分别为 v 、v ,在 甲 乙 磁场中运动的时间分别为t 、t ,则( ) 甲 乙 1 A.v = v ,t =t 甲 乙 甲 乙 2 1 1 B.v = v ,t = t 甲 乙 甲 乙 2 2 C.v =2v ,t =t 甲 乙 甲 乙 1 D.v =2v ,t = t 甲 乙 甲 乙 2 3.圆形区域的匀强磁场如图所示,磁感应强度为B,方向垂直纸面向里,边界跟y轴相切于坐标原点O。O点处有一放射源,沿纸面向各方向射出速率均为v的某种带电粒子,带电粒 子在磁场中做圆周运动的半径是圆形磁场区域半径的 2倍。已知该带电粒子的质量为 m、电荷量为q,不考虑带电粒子的重力。 (1)推导带电粒子在磁场空间做圆周运动的轨迹半径。 (2)求带电粒子通过磁场空间的最大偏转角。 题组二 “磁聚焦”和“磁发射”模型 4.带电粒子流的磁聚焦是薄膜材料制备的关键技术之一。磁聚焦原理如图所示,真空中半 径为r的圆形区域内存在垂直纸面的匀强磁场。一束宽度为2r、沿x轴正方向运动的电 子流射入该磁场后聚焦于坐标原点 O。已知电子的质量为m、电荷量为e、进入磁场的 速度均为v,不计粒子间的相互作用力,则磁感应强度的大小为( ) mv √2mv mv 2mv A. B. C. D. 2er 2er er er 5.(2023江苏盐城三模)如图所示,纸面内有宽为L、水平向右飞行的带正电粒子流,粒子的 质量为m、电荷量为q、速率为v ,不考虑粒子的重力及相互作用。要使粒子都会聚到一 0mv 点,可以在粒子流的右侧虚线框内设计一匀强磁场区域,设B = 0。选项A、B、C中的 0 qL 曲线均为半径是 L 的四分之一圆弧,其中 A、B 的磁感应强度 B=B ,C 的磁感应强度 0 B=2B ;选项D中曲线是直径为L的圆,磁感应强度B=B 。则磁场区域的形状及对应的磁 0 0 感应强度可能是( ) 6.(多选)如图所示,坐标原点O处有一粒子源,能向坐标平面一、二象限内发射大量质量为 m、电荷量为q的带正电粒子(不计重力),所有粒子速度大小相等。圆心在(0,R)、半径为 R的圆形区域内,有垂直于坐标平面向外的匀强磁场,磁感应强度为B,磁场右侧有一长度 为R且平行于y轴的荧光屏,其中心O 位于(2R,R)。已知初速度沿y轴正向的粒子经过磁 1 场后,恰能垂直射在光屏上,则下列说法正确的是( ) qBR A.所有粒子的初速度大小为 m B.从O点发射的所有粒子都能垂直射在光屏上 πm C.能射在光屏上的粒子,在磁场中运动时间最长为 qB D.能射在光屏上的粒子初速度方向与x轴夹角满足60°≤θ≤120° 综合提升练 7.(多选)(2024四川绵阳模拟)如图所示,在PQ之间有水平向右的匀强电场,在QM之间的 两个半径为R的圆形内(不包含边界)存在方向相反的圆形磁场,两个圆形磁场相切且与边 界Q也相切,磁感应强度均为B,在两个圆形磁场右边并与圆形磁场相切有一个足够大的 挡板。在下边圆形磁场的最低点A处有一个粒子源可以在平面内向磁场内各个方向发射 qBR 速率为 、电荷量为 q、质量为 m 的带正电粒子,PQ 之间的距离为 2R,电场强度为 mqB2R ,不计粒子的重力和粒子间的相互作用力,粒子不发生碰撞,下列说法正确的是( ) 2m A.粒子速度减到零时刚好运动到电场左边界P B.粒子水平向左进入匀强电场 πm C.粒子在下边的圆形磁场中运动的时间均为 qB D.粒子无法都垂直打在挡板上 8.(多选)利用磁聚焦和磁控束可以改变一束平行带电粒子的宽度,人们把此原理运用到薄 膜材料制备上,使芯片技术得到飞速发展。如图所示,宽度为r 的带正电粒子流水平向右 0 射入半径为r 的圆形匀强磁场区域,磁感应强度大小为B ,这些带电粒子都将从磁场圆上 0 0 O点进入正方形区域,正方形过O点的一边与半径为 r 的磁场圆相切。在正方形区域内 0 存在一个面积最小的匀强磁场区域,使汇聚到O点的粒子经过该磁场区域后宽度变为2r , 0 且粒子仍沿水平向右射出,不考虑粒子间的相互作用力及粒子的重力,下列说法正确的是( ) A.正方形区域中匀强磁场的磁感应强度大小为2B ,方向垂直纸面向里 0 1 B.正方形区域中匀强磁场的磁感应强度大小为 B ,方向垂直纸面向里 0 2 C.正方形区域中匀强磁场的最小面积为2(π-2) r 2 0 π-2 D.正方形区域中匀强磁场的最小面积为 r 2 2 0 9.如图所示,水平面内存在垂直纸面向内的圆形匀强磁场,磁场圆心为O 、半径为R,另有 1 一长度为R的水平线状粒子发射源MN,P为MN的中点,O P连线与MN垂直。在圆形磁 1场圆心O 右侧2R处竖直放置一个足够大的矩形荧光屏,荧光屏上的AB边与线状粒子源 1 MN垂直,过O 作AB边的垂线,交点恰好为AB的中点O。线状粒子源能沿平行 PO 方向 1 1 发射某种质量均为m、电荷量均为q的带正电粒子束,带电粒子的速度大小均为v ,已知 0 从MN射出的粒子经磁场偏转后都从F点射出。不计粒子重力和粒子间的相互作用。 (1)求匀强磁场磁感应强度B 的大小。 1 (2)以AB边的中点O为坐标原点,沿AB方向建立x轴,求从M点射出的粒子打在荧光屏上 的位置坐标。 (3)求所有运动带电粒子在磁场中扫过的面积。 10.(2024广东湛江模拟)磁聚焦和磁发散技术在许多真空系统中得到了广泛应用,如电子 显微镜技术,它的出现为科学研究做出了重大贡献。现有一个磁发散装置,如图所示,在半 径为R的圆形区域内存在垂直纸面向外、磁感应强度为 B的匀强磁场,在圆形磁场区域 右侧有一方向竖直向下、电场强度为 E的匀强电场,电场左边界与圆形磁场右边界相切。 在水平地面上放置一个足够长的荧光屏 PQ,它与磁场相切于P点。粒子源可以持续地从 P点向磁场内发射速率为v、方向不同的带正电同种粒子。经观测,有一粒子a以竖直向 上的初速度射入磁场,该粒子经磁场偏转后恰好以水平方向离开磁场,然后进入电场区域。 粒子b进入磁场的速度方向与粒子a的速度方向夹角为θ(未知),进入磁场后,粒子b的运动轨迹恰好能通过圆形磁场的圆心O,最终也进入电场区域。已知电场强度和磁感应强度 的关系满足E=Bv,不计粒子重力及粒子间相互作用。求: q (1)粒子的比荷 ; m (2)粒子b与粒子a的夹角θ和b粒子打在荧光屏上的亮点到P点的距离x; (3)入射方向与荧光屏所在平面成60°~120°区间范围内的粒子,最终打到荧光屏上形成的 亮线长度。 参考答案 第4讲 专题提升:“平移圆”“放缩圆”“旋转圆”“磁聚焦”和“磁发散”模型 mv2 mv 1.BC 解析 利用左手定则可判定,射出粒子带负电,A错误;利用qvB= 知r= ,能射 r qB L L+3d qBr qB(3d+L) 出的粒子半径满足 ≤r≤ ,因此射出粒子的最大速度v = max = ,B正 2 2 max m 2m qBr qBL 3qBd 确;射出粒子的最小速度v = min= ,Δv=v -v = ,由此可判定,C正确,D错误。 min m 2m max min 2m mv 2.D 解析 带电粒子在匀强磁场中做圆周运动,属于放缩圆模型,根据半径公式r= 可知 qB v r 2 2πm 甲、乙轨迹运动的电子在磁场中运动的速度之比 甲= 甲= ,根据周期公式T= 可知 v r 1 qB 乙 乙甲、乙轨迹运动的电子在磁场中做圆周运动的周期相等,故甲、乙轨迹运动的电子在磁 1 T t 4 1 场中运动的时间之比 甲= = ,故选D。 t 1 2 乙 T 2 3.答案 (1)见解析 (2)60° 解析 (1)带电粒子进入磁场后,受洛伦兹力作用,洛伦兹力提供向心力,由牛顿第二定律得 v2 mv Bqv=m ,得r= 。 r Bq (2)粒子的速率均相同,因此粒子轨迹圆的半径均相同,但粒子射入磁场的速度方向不确定, 故可以保持圆的大小不变,只改变圆的位置,画出“动态圆”,通过“动态圆”可以观察到 粒子运动轨迹均为劣弧,如图甲所示,对于劣弧而言,弧越长,弧所对应的圆心角越大,当粒 子轨迹圆的弦长等于磁场直径时,粒子在磁场空间的偏转角最大,如图乙所示,有 φ R 1 sin max = = ,即φ =60°。 max 2 r 2 甲 乙 4.C 解析 由“磁聚焦”模型可知电子在磁场中运动的轨道半径 R=r,由牛顿第二定律得 mv2 mv evB= ,得磁感应强度的大小为B= ,故选C。 R er 5.A 解析 已知磁感应强度B=B =mv ,由洛伦兹力提供向心力得qv B=mv 2 ,解得粒子 0 0 0 0 qL r AL 的轨道半径为r =L,同理可得r =L,r = ,r =L,结合题意和“磁聚焦”模型的特点可知选 A B C D 2 项A正确。 6.AD 解析 由题意可知,初速度沿y轴正向的粒子经过磁场后,恰能垂直射在光屏上,有 v2 mv BqR qBv=m ,根据“磁发散”模型有r= =R,解得v= ,A正确;由于所有粒子的速度大 r Bq m 小相等,但方向不同,且离开磁场区域的出射点距离圆心的竖直高度最大值为 2R,并不会垂 直打在光屏上,B错误;在磁场中运动时间最长的粒子的轨迹如图甲所示,由几何关系可得, 2π 2 2πr 1 运动时间最长的粒子对应轨迹的圆心角为 π,根据周期公式 T= 可得 t= 3 T= T= 3 v 3 2π 2πm ,C错误;粒子初速度方向与x轴夹角为θ 时,若能打在光屏下端,轨迹如图乙所示,由 1 3Bq 几何关系可得圆心角为60°,即初速度与x轴夹角为θ =60°,同理粒子打在光屏上端时(如 1 图甲所示),初速度与x轴夹角为θ =120°,D正确。 2 甲 乙 7.BC 解析 根据洛伦兹力提供向心力,有qv B=mv 2,又v =qBR,解得r=R,满足磁聚焦的 0 0 0 r m 条件,粒子出磁场后水平向左进入匀强电场,B正确;设粒子在匀强电场中减速到零时的位 1 移为x,根据动能定理有-qEx=0- mv 2,解得x=R,而PQ之间的距离d=2R,粒子运动到PQ 2 0 中间速度减到零,A错误;作出轨迹图,如图所示,根据磁聚焦可以得出粒子在下边的圆形磁πm 场中运动的两段圆弧圆心角之和是π,所以时间是半个周期,即t= ,C正确;根据磁聚焦 qB 知识粒子在上边的圆形磁场中射出后均能垂直打在挡板上,D错误。 8.BC 解析 根据磁聚焦原理,粒子在半径为r 的圆形磁场区域中运动,粒子运动的轨迹半 0 径为r ,有qB v=mv2,解得B =mv ,要使汇聚到O点的粒子经正方形区域内的磁场偏转后 0 0 0 r qr 0 0 宽度变为2r ,且粒子仍沿水平向右射出,作出轨迹如图所示,由几何关系可知粒子的轨迹半 0 径为2r ,正方形中磁场区域内应该为圆形磁场的一部分,有qB v=m v2 ,解得B = mv ,比 0 1 1 2r 2qr 0 0 1 较可得B = B ,由左手定则可知,方向垂直纸面向里,A错误,B正确;如图中阴影部分,磁场 1 0 2 区域的最小面积为S =2(π-2) ,C正确,D错误。 2 r 2 0 mv √3R πR2 9.答案 (1) 0 (2)x= (3) qR 3 3 解析 (1)带电粒子在圆形磁场中运动,根据洛伦兹力提供向心力,有 B qv =mv 2 1 0 0 r 由磁聚焦模型可知,粒子做圆周运动的半径r=R 解得圆形磁场的磁感应强度大小mv B = 0。 1 qR (2)设M点发射的粒子从F点离开磁场时与O O之间的夹角为θ,如图甲所示,由几何知识 1 可知 甲 L 1 sin θ= MP= R 2 解得θ=30° 由几何知识可得,从M点射出的粒子打在荧光屏上的位置坐标 √3R x=Rtan θ= 。 3 πR2 (3)扇形O'CF所围面积(如图乙所示)即所求面积,为S= 。 3 乙 v 10.答案 (1) (2)30° (√3+1)R BR (3)(√3-1)R 解析 (1)由磁发散模型可知粒子在磁场中运动的半径为 r=R 由牛顿第二定律有 v2 Bqv=m r 得粒子的比荷q v = 。 m BR (2)画出粒子b的运动轨迹,如图甲所示 甲 根据几何关系可知POQO'构成一个边长为R的菱形,则 θ=30° 由于QO'∥OP,b粒子经过Q点的速度方向与QO'垂直,所以粒子b进入电场的方向也沿水 平方向。b粒子进入电场中做类平抛运动,有 1 qE x =vt ,y =1.5R= · t 2 b b b 2 m b 解得x =√3R b 所以b粒子打在荧光屏上的亮点到P点的距离为 x=x +R=(√3+1)R。 b (3)入射方向与P点右侧荧光屏成60°的粒子,在磁场和电场中的运动轨迹如图乙所示 乙 由几何关系可知,粒子进入电场时距离荧光屏的距离为 h=0.5R 进入电场后,粒子做类平抛运动,有 1 qE x'=vt,h=0.5R= · t2 2 m 解得x'=R 所以该粒子打到荧光屏的位置距离P点的距离为2R,根据(2)可知,入射方向与P点左侧荧 光屏成60°的粒子,打到荧光屏的位置距离P点的距离为(√3+1)R,所以入射方向与荧光屏 所在平面成60°~120°区间范围内的粒子,最终打到荧光屏上形成的亮线长度为 d=(√3+1)R-2R=(√3-1)R。