周芯闻|AI芯片扩产延伸至CPU、封装与关键材料

     本周（10月19日至25日），全球半导体产业继续围绕AI基础设施扩张与供应链安全加快布局：英伟达Vera CPU获得AI云平台Modal采用，并联合多家供应商扩充AI芯片封装测试及关键组件产能；美国拟向功率半导体和关键材料研发提供3.89亿美元支持。技术与制造方面，西门子与英伟达深化EDA智能体合作，英特尔推进美国新晶圆厂设备安装和High NA EUV量产应用，台积电则着手评估稀土永磁体替代方案。SEMI预计2026年全球硅片出货面积同比增长11.8%，显示制造端需求持续复苏。国内方面，2026高端芯片产业创新发展大会在武汉举行，集中展示高端芯片创新成果和全产业链协同趋势。无锡方面，思尔芯与亚科鸿禹启动合并重组，共建数字前端EDA平台；圆辉科技半导体设备制造项目在江阴竣工，补强核心沉积设备环节；芯朋微新兴应用市场加快放量，江阴举办半导体精英论坛，进一步集聚产业人才和创新资源。

     10月23日，以“智启未来·创芯生态”为主题的2026高端芯片产业创新发展大会在武汉开幕。大会汇聚多位两院院士、产业领军企业负责人及创新团队，围绕高端芯片技术创新、成果转化、产业协同和供需对接等议题展开交流，现场集中发布一批代表性芯片产品和技术成果。

     目前，武汉已集聚400余家集成电路企业，形成硅基与化合物半导体协同发展，设计、制造、封装测试、设备材料相互配套的产业体系。下一步，当地将继续做强存储、化合物半导体和传感器三大优势领域，重点布局存算一体、光电融合、三维集成等前沿方向，推动集成电路产业集群提质升级。

     西门子宣布扩展与英伟达在EDA智能体领域的合作，将自验证AI能力、英伟达加速计算与西门子设计空间探索优化技术结合，用于3D IC的电气、电源、热分析及协同设计，并通过基于物理的签核级求解器验证设计方案。

     英特尔披露美国制造网络建设进展：亚利桑那州Fab 62开始安装生产设备，计划于2028年底投入运营；俄勒冈D1X工厂推进High NA EUV导入，俄亥俄Ohio One项目完成首个大型结构桁架安装。

     英伟达披露正与Amkor、矽品精密、京元电子以及三星电机、揖斐电和欣兴电子等供应商合作，扩大部分封装测试和关键组件产能，以应对AI芯片持续增长带来的供应约束。

     VON ARDENNE在水平式HISS镀膜系统上引入高功率脉冲磁控溅射技术，用于面板级封装中的阻挡层和种子层沉积，推动相关PVD工艺由晶圆级向更大面积面板生产拓展。

     Axcelis宣布在韩国京畿道平泽启动新的离子注入设备制造基地建设。项目将扩充其亚洲运营中心现有制造能力，进一步贴近韩国及亚洲晶圆制造客户。公司此前披露该项目投资约3500万美元，预计2028年下半年投产。

     SEMI年度预测显示，2026年全球硅片出货面积预计达到144.2亿平方英寸，同比增长11.8%；受AI基础设施、存储器需求及成熟制程利用率恢复推动，2027年至2029年出货量有望连续创下新高。

     本周发布的三季报解读显示，无锡芯朋微第三季度营业收入3.41亿元，同比增长41.35%；服务器、通信、工业电机、光储充及新能源汽车等新兴市场收入增长较快。受公允价值变动和存货减值等因素影响，单季度利润承压。

     近日，华大九天发布公告，拟以1.5亿元自有资金及间接持有的上海思尔芯技术股份有限公司7.78%股权，对参股公司无锡亚科鸿禹电子有限公司进行增资，并推动亚科鸿禹与思尔芯实施合并重组。交易完成后，华大九天将直接及间接合计持有亚科鸿禹约15.72%的股权，但不会导致其合并报表范围发生变化。

     思尔芯与亚科鸿禹分别位于上海和无锡，均从事集成电路电子设计自动化相关业务。两家公司合并后将共同打造数字电路前端EDA平台，并引入数亿元新增资金，重点用于高端验证与仿真技术研发、工程团队扩充、客户支持体系建设以及产品商业化推广。

     10月25日，第八届江苏省青年科学家年会“芯设计 新未来”半导体精英论坛在江阴举行。来自高校、科研机构和产业界的青年科研人员围绕半导体与集成电路前沿技术、成果转化和产业发展开展交流。

10月20日，圆辉科技（江阴）有限公司半导体设备制造项目在江阴高新区竣工。圆辉科技是韩国圆益集团在江阴投资设立的外资企业，项目总投资1.5亿美元，主要生产高性能半导体沉积设备及显示面板核心制程装备。

     项目将以半导体设备组装与测试为核心，建立生产制造和品质管理体系，提升对中国市场客户需求的响应能力。按照规划，一期项目全面投产后将形成年产100台设备的能力，预计年销售额可达21.5亿元、年税收可达1.28亿元。