
"我们将继续提高产品价格,因为整个行业都在持续涨价。"慧与科技(HPE)首席执行官Antonio Neri的这句话,道出了当前存储产业最真实的写照。2026年一季度,常规DRAM合约价涨幅从年初预估的55%一路飙升至90%-95%,NAND Flash涨幅也从33%上调至55%-60%。
这不仅仅是简单的周期性波动,而是一场由AI需求驱动的结构性变革。随着超大型云端企业疯狂抢购存储产品,整个产业已迎来根本性改变。

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01.AI重塑存储格局
过去,存储产业遵循着"繁荣后必衰退"的周期性规律。但这一次,情况完全不同。AI服务器的需求呈指数级增长,彻底改变了全球存储芯片的供需格局。
单台AI服务器对DRAM和NAND的需求量分别是普通服务器的8倍和3倍。这种需求爆发让存储巨头们纷纷调整战略,将更多先进制程产能转向高利润的HBM(高带宽存储器)及高端DDR5产品,主动削减DDR4等消费级产线。
三星电子2026年一季度业绩指引显示,预计当季销售额同比增长67%至69%,营业利润更是惊人地增长754%至757%。分析认为,核心驱动力正是来自存储芯片需求的暴增。
SK海力士在投资者会议上直言不讳:"内存市场已转向卖方市场,价格预计在2026年持续上行,公司库存仅约4周,难以满足全部客户需求。"

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02.涨价背后的供需失衡
存储价格大幅上涨的背后,是深层次的供需失衡。SK海力士指出两大原因:一是AI大模型与高效能运算对存储器的真实需求持续井喷,远超产业预期;二是存储芯片制造所依赖的无尘室空间扩张缓慢,产能爬坡受限,导致供给增长无法匹配需求增长。
AI带动存储市场规模不断扩大,其已成为半导体产业最大的组成部分,且依然供不应求。供需失衡下,2026年HBM产能缺口达50%至60%,涨价依然是主旋律。
高盛在最新报告中表示,2026-2027年全球存储器市场将经历历史上最严重的供应短缺之一,DRAM、NAND和HBM三大品类供需缺口均大幅扩大。其中,2026年的供应短缺将是过去15年以来最严重的一次。

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03.消费电子受挤压
AI热潮促使内存大厂全力扩张HBM产能,导致智能手机、PC与服务器采用的通用内存供应吃紧。这引发了部分买家抢购,进而推动DRAM在内的存储器价格大涨。
与高端机型相比,DRAM价格暴增对入门与中端机型的冲击更大,特别是定价方面。以入门级手机为例,DRAM已达到整体物料清单(BOM)成本的35%,NAND闪存也增加19%,相加超过手机成本的54%。
这种成本压力已经传导到产业链上游。联发科与高通开始大幅削减4纳米手机芯片产量,此产能缩减相当于2万~3万片晶圆,相当于1500万~2000万颗手机芯片。
为应对这一局面,高通与中国本土DRAM大厂合作研发定制DRAM以挽救订单,这些芯片仅会用于中国大陆市场的智能手机。

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04.行业"新常态"
存储芯片巨头之一韩国SK海力士透露,整个存储器产业正在经历结构性变革,包括超大规模数据中心运营商在内的企业客户,越来越倾向于签订长期合约,而非过去常见的一年期合同。
美光方面也表示,为了确保未来数年的存储供应,目前客户非常愿意签署长期供应协议。博通首席执行官陈福阳上月在财报会议透露,已敲定了直至2028年供应事宜。
HDD硬盘巨头之一希捷高管指出,未来几年存储器价格上涨很可能成为行业"新常态"。这一判断得到了市场数据的支持:群智咨询最新数据显示,2026年第一季度消费电子存储价格比2025年第四季度涨幅超过60%,其中NAND闪存环比涨幅更是突破70%,创下近年来的单季最高涨幅纪录。

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05.未来展望
市场预测,AI存储芯片供不应求的局面,最快要到2027年才会出现明显缓解。全球芯片设计自动化工具龙头新思科技首席执行官盖思新近日发出警示,由人工智能基础设施热潮引发的存储芯片供应紧张与价格上涨,可能会持续到2027年。
尽管主要存储芯片厂商正在计划扩大产能,但从投资到生产线真正投产,至少需要"两年时间",这决定了紧缺格局在短期内难以缓解。券商研究也佐证了这一观点,新增产能主要集中在2027年及以后释放,2026年行业将呈现需求快速增长而供给释放滞后的结构性错配。
持续的供应紧张正推动存储芯片价格强劲上涨,一些分析将此轮行情称为"超级周期"。研究机构Counterpoint预测,存储价格在2025年第四季度至2026年第二季度间可能经历多轮显著上涨。
Meta工程副总裁Yee Jiun Song在3月宣布新型自研AI芯片时,提到对于取得所需的HBM表示担忧:"担心HBM的供应,但已为计划扩建确保供应源。"
这场由AI引发的存储革命正在重塑整个电子产业的成本结构。从智能手机到个人电脑,从数据中心到消费电子产品,涨价浪潮已经不可避免。对于普通消费者而言,这意味着未来购买电子设备将付出更高成本;对于整个产业而言,这标志着一个新时代的开启——存储不再是周期性波动的配角,而是AI时代不可或缺的核心基础设施。
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