夜雨聆风GB/T 47404—2026碳化硅单晶高阶专业考试试卷（含原文溯源答案）
考试说明：本试卷依据国标GB/T 47404—2026《碳化硅单晶》全文编制，主打高阶差异化考点，摒弃基础识记题型，重点考查产品分级临界参数、导电/半绝缘型指标差异、不同尺寸单晶缺陷限值、抽样AQL判定规则、检测方法精准对应、牌号编码规则、验收时效、包装随行文件规范等高难度易错内容。所有试题答案均可在标准原文精准溯源，适用于半导体材料质检、生产质控、标准化认证进阶考核。
总分：100分 答题时间：60分钟
一、单项选择题（共20题，每题2.5分，共计50分）
每题仅有一个正确答案，多选、错选、不选均不得分
1. GB/T 47404—2026标准适用的碳化硅单晶最大直径为（）
A. 200mm B. 250mm C. 300mm D. 350mm
2. 本标准规定所有规格碳化硅单晶直径的统一允许偏差为（）
A. ±0.1mm B. ±0.2mm C. ±0.3mm D. ±0.5mm
3. 工业级（P级）4H导电型碳化硅单晶的电阻率最大限值为（）
A. ≤0.025Ω·cm B. ≤0.05Ω·cm C. ≤0.1Ω·cm D. ≤0.2Ω·cm
4. 试片级（D级）6H导电型碳化硅单晶的电阻率最大限值为（）
A. ≤0.025Ω·cm B. ≤0.1Ω·cm C. ≤0.2Ω·cm D. ≤1×10⁷Ω·cm
5. 本标准规定半绝缘型碳化硅单晶的电阻率最低限值为（）
A. 1×10⁶Ω·cm B. 1×10⁷Ω·cm C. 1×10⁸Ω·cm D. 1×10⁹Ω·cm
6. 碳化硅单晶标准正晶向的偏离角度范围为（）
A. 0°±0.15° B. 0°±0.25° C. 0°±0.35° D. 0°±0.5°
7. 工业级（P级）碳化硅单晶的微管密度最大允许值为（）
A. ≤0.2个/cm² B. ≤1个/cm² C. ≤2个/cm² D. ≤5个/cm²
8. 试片级（D级）碳化硅单晶的微管密度最大允许值为（）
A. ≤0.2个/cm² B. ≤1个/cm² C. ≤2个/cm² D. ≤4个/cm²
9. 工业级50.8mm规格碳化硅单晶，尺寸小于100μm六方空洞最大数量为（）
A. ≤2个 B. ≤4个 C. ≤6个 D. ≤10个
10. 工业级200.0mm规格碳化硅单晶六方空洞最大允许数量为（）
A. ≤6个 B. ≤10个 C. ≤20个 D. ≤25个
11. 工业级导电型碳化硅单晶基平面位错（BPD）最大密度为（）
A. ≤100个/cm² B. ≤1500个/cm² C. ≤10000个/cm² D. ≤12000个/cm²
12. 碳化硅单晶直径检测依据的国家标准为（）
A. GB/T14140 B. GB/T1555 C. GB/T6616 D. GB/T26067
13. 半绝缘型碳化硅单晶电阻率检测依据的标准为（）
A. GB/T6616 B. GB/T42271 C. GB/T30868 D. GB/T41765
14. 碳化硅单晶微管密度的测试方法依据为（）
A. GB/T41765 B. GB/T30868 C. SJ/T11501 D. GB/T6624
15. 参考面取向检测采用的抽样检验水平为（）
A. 一般检验水平Ⅱ B. 特殊检验水平S-2 C. 特殊检验水平S-1 D. 一般检验水平Ⅰ
16. 尺寸、电阻率类检验项目的接收质量限（AQL）为（）
A. 1.0 B. 2.0 C. 4.0 D. 5.0
17. 晶体完整性相关检验项目的接收质量限（AQL）为（）
A. 1.0 B. 2.0 C. 4.0 D. 6.0
18. 需方收到产品后，提出质量异议的最长时效为（）
A. 1个月 B. 2个月 C. 3个月 D. 6个月
19. 碳化硅单晶多型缺陷的检测依据标准为（）
A. SJ/T11501 B. GB/T43612 C. YS/T1600 D. GB/T13388
20. 碳化硅单晶位错密度的检测依据标准为（）
A. GB/T30868 B. GB/T41765 C. GB/T6616 D. SJ/T11501
二、判断题（共20题，每题2.5分，共计50分）
正确选√，错误选×
1. GB/T 47404—2026于2026年3月31日实施，2026年10月1日发布。（）
2. 本标准仅适用于4H型碳化硅单晶，不适用于6H型碳化硅单晶。（）
3. 碳化硅单晶按产品质量可分为工业级（P级）和试片级（D级）两个等级。（）
4. 所有规格碳化硅单晶直径的允许偏差统一为±0.2mm。（）
5. 试片级碳化硅单晶的电阻率指标要求严于工业级。（）
6. 半绝缘型碳化硅单晶无论等级，电阻率均需大于1×10⁷Ω·cm。（）
7. 碳化硅单晶标准表面晶向统一为<0001>。（）
8. 工业级碳化硅单晶允许存在不超过5%的多型缺陷。（）
9. 工业级碳化硅单晶产品不允许存在裂纹缺陷。（）
10. 试片级碳化硅单晶裂纹每条长度需小于2mm，总数小于5条。（）
11. 碳化硅单晶六方空洞缺陷均采用目测方法进行检测。（）
12. 电阻率检测需在晶锭头尾或两端分别取样测试。（）
13. 直径检测取样位置需选取单晶参考边位置。（）
14. 晶体完整性检验项目采用一般检验水平Ⅱ抽样方案。（）
15. 碳化硅单晶按导电类别分为导电型和全绝缘型两类。（）
16. 200mm、300mm大尺寸单晶切口尺寸要求符合GB/T30656规定。（）
17. 碳化硅单晶体内杂质含量检测依据YS/T1600标准。（）
18. 产品外包装需标注小心轻放、防撞、防潮、易碎标识。（）
19. 碳化硅单晶贮存环境需干燥、无化学腐蚀，无需避光防护。（）
20. 碳化硅单晶牌号为7位字符组合，包含直径、晶型、导电类别等参数。（）
三、标准答案及原文精准溯源
（一）单项选择题答案+原文溯源
1. C 溯源：1范围，本文件适用于直径不大于300mm的4H及6H碳化硅单晶。
2. B 溯源：5.1表1，50.8mm~300mm所有规格单晶直径允许偏差统一为±0.2mm。
3. A 溯源：5.2表2，工业级（P级）4H导电型碳化硅单晶电阻率≤0.025Ω·cm。
4. C 溯源：5.2表2，试片级（D级）6H导电型碳化硅单晶电阻率≤0.2Ω·cm。
5. B 溯源：5.2表2，4H/6H半绝缘型碳化硅单晶电阻率＞1×10⁷Ω·cm。
6. B 溯源：5.4.2a，碳化硅单晶正晶向偏离角度为0°±0.25°。
7. A 溯源：5.5表3，工业级（P级）碳化硅单晶微管密度≤0.2个/cm²。
8. B 溯源：5.5表3，试片级（D级）碳化硅单晶微管密度≤1个/cm²。
9. A 溯源：5.5表3，工业级50.8mm规格单晶，小于100μm六方空洞数量≤2个。
10. B 溯源：5.5表3，工业级200.0mm规格单晶六方空洞最大数量≤10个。
11. B 溯源：5.5表3，工业级导电型单晶基平面位错（BPD）≤1500个/cm²。
12. A 溯源：6.1，碳化硅单晶直径检测按GB/T14140规定执行。
13. B 溯源：6.3，半绝缘型碳化硅单晶电阻率检测按GB/T42271执行。
14. B 溯源：6.7，碳化硅单晶微管密度检测按GB/T30868规定执行。
15. B 溯源：7.3表4，参考面取向、切口尺寸采用特殊检验水平S-2抽样方案。
16. A 溯源：7.3表4，直径、电阻率、表面取向等常规尺寸电性项目AQL=1.0。
17. C 溯源：7.3表4，微管密度、六方空洞、位错密度等完整性项目AQL=4.0。
18. C 溯源：7.1.2，需方需在收到产品3个月内提出质量异议。
19. A 溯源：6.9，碳化硅单晶多型检测按SJ/T11501规定执行。
20. B 溯源：6.11，碳化硅单晶位错密度检测按GB/T41765规定执行。
（二）判断题答案+原文溯源
1. × 溯源：标准封面，2026-03-31发布，2026-10-01实施，题干时间颠倒。
2. × 溯源：1范围，本标准同时适用于4H、6H两种型号碳化硅单晶。
3. √ 溯源：4.2.3，产品质量分为工业级（P级）、试片级（D级）。
4. √ 溯源：5.1表1，全规格单晶直径允许偏差统一为±0.2mm。
5. × 溯源：5.2表2，工业级电阻率指标严于试片级，试片级要求更宽松。
6. √ 溯源：5.2表2，所有等级半绝缘型单晶电阻率均＞1×10⁷Ω·cm。
7. √ 溯源：5.4.1，碳化硅单晶表面晶向统一为<0001>。
8. × 溯源：5.5表3，工业级单晶无多型缺陷，试片级允许＜5%多型。
9. √ 溯源：5.5表3，工业级碳化硅单晶不允许存在裂纹缺陷。
10. √ 溯源：5.5表3，试片级裂纹数量＜5条、单条长度＜2mm。
11. √ 溯源：6.8，碳化硅单晶六方空洞检测采用目测方法。
12. √ 溯源：7.3表4，电阻率取样需在晶锭头尾或两端各取一个试样。
13. × 溯源：7.3表4，直径检测取样位置为非参考边位置。
14. √ 溯源：7.3表4，晶体完整性项目采用一般检验水平Ⅱ抽样方案。
15. × 溯源：4.2.2，按导电类别分为导电型、半绝缘型，无全绝缘型分类。
16. × 溯源：5.3.1、5.3.2，200mm、300mm单晶切口要求符合标准图示，小尺寸适配GB/T30656。
17. √ 溯源：6.12，体内杂质含量检测按YS/T1600辉光放电质谱法执行。
18. √ 溯源：8.1.2f，外包装需标注小心轻放、防撞、防潮、易碎标志。
19. × 溯源：8.3，贮存需干燥无腐蚀，同时需做好防护，规避光照、挤压、受潮。
20. √ 溯源：附录A，单晶牌号为7位字符结构，包含直径、晶型、导电类别、晶向、等级、厚度参数。
