AI三大硬件升级,这一关键材料将爆发,CAGR超100%
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随着AI服务器功耗上行与机柜功率密度提升，对开关器件的耐压、效率与热管理提出更高要求，SiC功率器件需求有望随800VHVDC方案推进而扩大。
与此同时，机构看好碳化硅方向投资潜力，逻辑在于：（1）AI数据中心800VHVDC架构重构，SiC功率器件成刚需增量；（2）AI芯片先进封装散热突破，SiC中介层开辟第二成长曲线；（3）AR眼镜光学升级，SiC光波导奠定下一代硬件核心材料。
机构重点看好三大细分：1）AI数据中心800V HVDC用SiC功率器件；2）AI芯片先进封装SiC中介层/散热基板；3）AR眼镜SiC光波导光学基材，以上均为AI与终端创新驱动的新增量赛道。
碳化硅（SiC）是第三代宽禁带半导体核心材料，由硅与碳以共价键结合而成，具备高击穿场强、高热导率、高耐温、低损耗、高饱和电子漂移速度等独特物理属性，被称为“功率电子革命核心材料”。
AI数据中心800VHVDC架构重构，SiC功率器件成刚需增量
AI服务器功耗与机柜功率密度持续突破传统低压供电物理极限，54V机架供电无法支撑1MW及以上超高功率机架，800VHVDC高压直流架构成为下一代AI数据中心必选方案，英伟达明确2027年实现该架构规模化商用，直接打开SiC功率器件新增量空间。
SiC击穿电场强度是硅的10倍，可轻松满足800V系统耐压要求，开关损耗较硅基IGBT降低70%-80%，开关频率提升5-20倍，能大幅降低配电损耗、缩小无源器件体积，完美适配高功率密度电源需求。同时SiC热导率是硅的3倍，可缓解AIDC供电系统散热压力，提升长期运行可靠性。随着英伟达联合全球供应链推进800VHVDC生态落地，SiC功率器件将从试点走向全面渗透，成为AI算力基建的核心标配器件，行业需求迎来指数级增长。
图：2030E，AIDC电源系统所需SiC衬底TAM
AI芯片先进封装散热突破，SiC中介层开辟第二成长曲线
AI芯片向高算力、高集成度演进，CoWoS先进封装成为GPU+HBM主流方案，但传统硅中介层热导率不足、热膨胀系数失配引发翘曲与散热瓶颈，严重制约高端芯片性能释放。碳化硅凭借高热导率、高刚性、低热膨胀系数，成为封装散热环节最优替代材料。
英伟达、台积电均计划将SiC用于中介层与散热载板，替代传统硅中介层与陶瓷基板，仅AI芯片中介层环节，2030年全球SiC衬底需求就达620万片。当前SiC封装应用处于技术验证向试点渗透阶段，随着12英寸大尺寸衬底工艺成熟，SiC将从散热基座向中介层全面渗透，开辟功率器件之外的全新成长曲线，行业空间实现量级跃升。
AR眼镜光学升级，SiC光波导奠定下一代硬件核心材料
AR眼镜向≤50g轻量化、≥70°大视场角、全彩高清方向迭代，传统玻璃/树脂光波导已逼近物理性能极限，碳化硅凭借超高折射率、高热导率、高硬度，成为下一代AR光学系统主流方案。
SiC折射率达2.6，远高于传统光学材料，单层波导可实现超80°视场角，较玻璃方案提升一倍，同时弱化彩虹纹、杂散光问题，光耦合效率提升33%；单片镜片重量可控制在3g以内，助力AR眼镜实现全天候佩戴目标。MetaOrionAI眼镜已采用SiC光波导架构，验证技术可行性，国内产业链同步推进量产落地。2030年全球AR眼镜SiC衬底需求达389万片，年复合增速超160%，SiC从功率半导体跨界光学材料，打开消费电子增量市场点。
碳化硅正从新能源车载主驱，向AI算力供电、先进封装、AR光学三大新领域快速渗透，2030年全球衬底需求超1600万片，行业进入高速增长期。
天岳先进、蓝特光学、芯联集成、中瓷电子、龙旗科技、晶盛机电、晶升股份、三安光电、天科合达、同光股份等。
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