「格灵诺」:在 SiC 至暗时刻,瞄准 AI 数据中心高压器件新战场 | 光源伙伴

近日，「硬氪」发布文章《格灵诺：至暗时刻的 SiC 真正缺的是什么？》，聚焦 SiC 产业经历产能扩张、需求变化与价格下行后的行业调整，以及 AI 数据中心 800V 直流供电架构带来的新需求。报道深度介绍了光源伙伴「格灵诺」对高压 SiC 赛道的判断、产品推进和团队背景：公司成立仅两年，1200V 器件已完成客户验证并进入小批量产阶段，1700V 器件进入送样阶段，2300V/3300V 器件也在推进量产。作为生态合作伙伴，特转载本文，与各位读者分享格灵诺如何探索国产高压 SiC 器件的产业化路径。

过去两年，SiC 产业堪称“至暗时刻”。

作为功率器件的代表，SiC 曾在新能源汽车上大放异彩，迎来过不止一轮市场爆发。然而在近两年间，随着前期资本催生的产能跃进集中落地，叠加新能源汽车产业增速放缓，衬底、器件厂商纷纷遭遇降旗转亏，大量 VC 更是从“见衬底就投”转向“见 SiC 就摇头”。

然而，暴增的 AI 数据中心（AIDC）供电需求，又把 SiC 拉回了产业 C 位。

AIDC 供电换轨，

SiC 进入新战场

传统数据中心供电过去遵循一条相对成熟的路径。电网中压进入园区后，先经工频变压器降为 380V 或 480V 交流电，再通过 UPS、配电单元和机架电源完成多次转换，最终形成 12V 以及芯片需要的更低电压。每一次转换都会产生损耗，也会增加设备数量和故障。

在几十千瓦的机柜中，这套架构还能正常运行。可到了如今以英伟达为首的“核弹”GPU 机柜里，传统供电架构将面临暴增的电流、铜排体积、能量损耗，堪称撞上“物理墙”。

此前，谷歌、微软、Meta 都曾陆续探索过解决百千瓦机柜的供电方案问题；直到 2025 年 5 月，英伟达首次公开宣布 800V HVDC 技术方案，确立了 AI 数据中心“中压—SST—800V 直流—机柜 DC/DC”的供电方案，成为 AI 数据中心配电的共识方向。

在这套方案中，服务器电源（PSU）、固态变压器（SST）、固态断路器（SSCB）等核心器件处在极端的高压、大功率、高频切换环境中，从物理特性来说，SiC 几乎成了唯一解法。

尤其是 SiC SST 固态变压器，它是 800V 架构中唯一同时承担中压接入、电压变换、电气隔离、功率调度四个功能的核心环节，它的技术成熟度直接决定了 800V 方案能否落地。

如果把电力比作 AI 数据中心的“粮草”，卡住 SiC 几乎相当于“劫粮道”。

坐了几年冷板凳的 SiC 又再度热了起来。据 Yole Group 统计，2024 年全球 SiC 功率器件市场规模为 34 亿美元，预计 2030 年接近 100 亿美元，年复合增长率达到惊人的 20%。

行业至暗，

一版定稿构筑壁垒

2024 年是一个对 SiC 行业谈不上友好的时点。根据集微咨询数据，2024 年，国内 6 英寸 SiC 衬底的设计产能超过 1300 万片，全球实际需求只有约 150 万片，价格从峰值时期的每片 5000 元跌到不足 2000 元，击穿了多数厂商的成本线，堪称“至暗时刻”。

在这样的背景下，一家名为格灵诺的 SiC 初创公司，成立仅两年，却把目光投向了 AI 数据中心催生的高压赛道，并且多款产品都已跑通测试量产生产环节，引起了行业的注意。

格灵诺从初创开始就瞄准定位在高压 SiC 赛道，站在巨人肩上的团队看到 SiC 未来的无限可能，尤其高压 SiC 的缺口和机会。

站在 2026 年来看，这一判断和选择不仅是准确的，而且极具前瞻性。

准确押注行业发展脉络的背后，是创始人多年来对 SiC 与功率半导体产业的长期深耕。格灵诺的两位创始人均来自国际功率半导体行业顶尖巨头。其中，CEO 顾东华在半导体行业工作 20 多年，先后任职于美国、日本和欧洲企业，有全球拥有 20+年半导体市场销售及管理经验，熟悉中国及国际市场。曾组建上百人的全球技术、市场及销售团队，深耕芯片、工业及汽车领域，年销售额达数十亿美元。CTO 曾光博士在德国获得电力电子博士学位，长期从事高压 IGBT 和 SiC 芯片研发和可靠性工作，具备丰富的芯片设计和量产经验。

格灵诺的核心团队更是几乎成建制来自国际头部功率半导体厂商，研发、量产、市场拓展各环节的负责人均具备大厂核心岗位的完整经验，不仅有着成熟的研发、量产、市场拓展经验，更是一支能打硬仗的团队。更重要的是，顾东华告诉硬氪，格灵诺看重的不只是履历，还有价值观的契合：在同一个文化里待过的人，配合起来有天然的默契，执行力也更强。

团队的质量体现在产品落地节奏上，顾东华透露，虽然成立仅两年，但格灵诺的 1200V 器件都已完成客户验证，包括在 SSCB 上的应用，并进入小批量产阶段，当前 1700V 器件已进入送样阶段，更高压的 2300V/3300V 器件也会陆续在今年年底和明年上半年进入量产阶段。

对于一家 2024 年成立的 fabless 半导体企业来说，这个速度几乎堪比“坐火箭”。

顾东华把这种速度拆成三层原因。第一层是市场判断，2024 年 AI 数据中心的电压架构尚不明确，格灵诺甚至在英伟达正式公布 800V 方案的一年前就提前押注了高压 SiC 赛道。近 25 年的半导体和市场经验告诉她，当前，AIDC 对 SiC 的要求与汽车、工业截然不同，敢于正面切入高压环节的公司很少，这需要有足够强的底层技术实力、产品落地实力和团队执行实力等，需要有场景定义能力、器件和系统协同研发能力和高压 SiC 全链路设计验证能力等。

研发端的效率是另一层原因。优秀、靠谱、成建制的研发团队让格灵诺拥有大量半导体企业稀缺的“一版定稿”能力——在 SiC 行业的至暗时刻，同行普遍反复流片、烧钱试错，格灵诺凭借系统级芯片设计能力做到一版定稿，显著压缩研发周期、控制研发投入，在行业洗牌中拥有更强的抗周期能力。

还有一层原因是客户需求。当前，在多重因素的叠加下，行业客户对于高压国产 SiC 供应商的需求非常强烈。格灵诺更关注客户应用痛点，与核心客户深度合作，同步做产品验证和迭代，进一步加速产品落地，远超行业速度。

国内 SiC 已经从导通电阻、耐压值等规格比拼，转向更看重长期失效率、功率循环、短路耐受、栅氧稳定性和批次一致性等。格灵诺把可靠性验证、失效分析和客户现场工况建模放在产品定义同等位置，用正向设计减少后期改版，用早期客户数据反推规格冗余。三管齐下，才能跑出如今的“格灵诺速度”。

“做有意义的事”

把格灵诺放回产业链中，会看到一种颇为特殊的错位：中国已经在 SiC 衬底和制造环节建立规模，高压器件的成熟供给仍集中在少数国际厂商手中。

高压 SiC 的材料、设计、工艺和封装等等都是极具挑战的，高压工况下，漏电、阈值漂移、动态雪崩、热载流子退化效应都会被放大。

具体到 AIDC、SST/SSCB 场景中，问题更是复杂，长期高频开关、反复电压冲击，器件要扛住几百上千小时的动态应力，静态合格不代表动态可靠。

首先，数据中心 7×24 满载运行，设计寿命与稳定性要求更是极其严苛。其次大模型训练期间，成千上万颗 GPU 会同步计算、同步通信，机柜功率可能在毫秒级从约 30%负载跃升至满载。单个机柜的变化扩展到数据中心后，可能形成数百兆瓦级的短时功率波动。电源器件既要承受高功率密度，也要应对瞬时的快速负载变化。

IGBT 时代，全球能稳定供货高压器件的厂商屈指可数，英飞凌之外主要是三菱、富士等日系厂商；到了 SiC 时代，高压玩家更少。行业里流传的观察是，目前 2300V、3300V 能拿到可靠产品的客户，几乎只能找英飞凌。

格灵诺的目标正是这一段空白。公司的定位是锁定 800V 直流系统每个电压环节的器件定义权。这个目标决定了它的路线选择：以 fabless 轻资产方式起步，把设计、系统级能力与客户协同做深，生产交给国内外供应链。为了应对高压落地可能快于行业预期的风险，公司在平面、沟槽、超结、JFET 等技术路线上都做了充分的储备。

“如果你深入的分析碳化硅这个赛道，从上游材料、器件到生产，再到下游终端客户。中国具备非常完善的产业链优势。”顾东华告诉硬氪，“今天看全球市场好像还很遥远，日本、欧美都有很强的同行，但只要市场在中国，客户愿意跟你一起进行技术迭代，中国企业的生命力就很强。”

除了 AIDC 外，格灵诺还瞄准了汽车、工业、储能等赛道，但对于深耕产业二十余年的顾东华而言，创业的意义并不是去“卷国内 SiC 红海”，而是寻找下一代技术方向，真正填补产业空白，“做有意义的事”。

而格灵诺这个名字，也承载了创始人的创业理念。

“格”既是格局，看得到更远的技术发展，精研高压 SiC 器件；“灵”取自灵活、灵敏，既指向器件的响应速度，也对应敏锐应对市场变化、技术需求；“诺”则是一诺千金，对产品、客户，对每一次交付的信守承诺。

格局、灵敏、承诺，三个字分别落在技术、服务与信用上，构成这家公司的核心理念——技术上无限接近国际龙头，“解难解的题”；服务与成本上建立本土优势，紧贴市场需求。

过去几年，新能源汽车是 SiC 市场增长的核心引擎，衬底价格战与行业出清让赛道经历了一轮残酷的洗牌；如今 800V 供电架构的落地节奏，把新的需求曲线递到了器件厂商面前。

中国厂商能否在 800V 架构放量之前完成器件定义权的卡位，既关乎一家公司的身位，也关乎国产 SiC 产业链能否从材料领先走向器件领先。

对格灵诺而言，AIDC 高压碳化硅新的征程才刚刚开始。