一颗AI芯片,需要70多个EMIB!

AI芯片正在变得越来越大，而随之增长的，还有先进封装中硅互连桥的数量。

未来，一颗AI芯片可能需要集成70多个EMIB。

11月5日，据ZDNet Korea报道，Intel在11月4日于韩国釜山举行的International Symposium on Microelectronics Packaging（ISMP 2026）上透露，随着AI芯片封装尺寸不断扩大，EMIB技术的单颗芯片用量也将大幅增加。

Intel Foundry封装业务负责人Lee Gyu-oh介绍，今年已经实现商业化的AI芯片，封装尺寸最大约为120×120mm，集成12颗HBM，使用的EMIB硅桥数量超过20个。

而在目前正在开发的新一代AI芯片中，封装尺寸目标已经扩大至至少120×180mm，HBM数量增加到16颗以上，对应的EMIB数量也将达到38个以上。

更进一步，Intel预计，未来封装尺寸达到240×240mm的AI芯片，将集成32颗以上HBM，所需的EMIB硅桥数量可能超过70个。

从20多个到38个，再到70多个，EMIB用量的增长，实际上反映出AI芯片封装架构正在发生变化。

为什么一颗AI芯片需要这么多EMIB？

原因在于，AI芯片的性能提升已经不再只是计算核心本身的事情。

随着大模型规模不断扩大，AI加速器需要集成更多计算芯粒（Chiplet），同时配备更多HBM，以提供更大的存储容量和带宽。

计算芯片与HBM之间需要建立大量高速互连通道，不同计算芯粒之间也需要进行高带宽数据交换。这意味着，封装内部的互连密度、带宽和供电能力都面临更高要求。

传统2.5D封装通常采用硅中介层（Silicon Interposer），将计算芯片和HBM放置在同一个封装中，通过中介层内部的高密度布线实现互连。

但随着封装面积不断扩大，硅中介层的成本、制造难度以及晶圆利用率都成为需要考虑的问题。

Intel的EMIB（Embedded Multi-die Interconnect Bridge，嵌入式多芯片互连桥）采用了另一种思路。

它不需要在整个封装底部铺设一块完整的硅中介层，而是在需要实现高密度互连的位置，嵌入小尺寸硅桥，通过硅桥连接不同芯片。

简单来说，传统硅中介层是通过一块较大的硅片连接多个芯片，而EMIB则是把硅互连结构集中布置在芯片之间真正需要连接的位置。

这种方式能够减少硅材料的使用，也有利于降低制造成本。

按照Intel在此次报道中给出的数据，传统硅中介层的晶圆利用率约为60%，而EMIB硅桥可以达到90%以上。

这也是EMIB被视为TSMC CoWoS之外的一种先进封装技术选择的重要原因。

不过，Intel并没有停留在普通EMIB技术上，而是进一步推出了EMIB-T。

与传统EMIB相比，EMIB-T的一个重要变化，是在硅桥内部引入硅通孔（TSV），为封装提供额外的垂直连接通道。

这使得硅桥不仅能够承担芯片之间的高密度信号互连，还能够支持更复杂的电力传输需求。

随着AI芯片规模扩大，封装内部的供电问题同样变得越来越重要。计算核心数量增加、功耗提升，对供电网络的设计提出了更高要求。通过在硅桥中引入TSV，EMIB-T能够进一步拓展封装内部的连接能力。

Intel方面认为，随着AI芯片性能和封装规模持续提升，未来在所有硅桥中采用TSV可能成为一种趋势。

目前，Google、Amazon等全球大型科技企业据报道正在计划在自研AI芯片中采用EMIB-T。这也意味着，EMIB-T正在从Intel的技术储备，逐步走向更广泛的客户应用。

从这次披露的数据来看，Intel对EMIB未来的增长空间显然抱有较高期待。

尤其是当AI芯片封装尺寸从120×120mm扩大到240×240mm，HBM数量从12颗增加到32颗以上时，封装内部需要处理的互连关系将变得更加复杂。

EMIB的价值，也就不只是替代硅中介层，而是提供一种能够随着封装规模扩大而灵活扩展的互连架构。

对于Intel而言，这也是其争夺先进封装市场的重要机会。

过去几年，TSMC凭借CoWoS在AI芯片先进封装领域占据重要位置。随着NVIDIA等客户对先进封装产能的需求持续增长，市场也开始关注其他具备先进封装能力的供应商。

Intel希望通过EMIB和EMIB-T，在这一市场中建立自己的竞争优势。

而从AI芯片的发展趋势来看，先进封装的重要性还会继续提升。当一颗芯片需要集成越来越多的计算芯粒和HBM，封装已经不再只是把芯片连接起来，而是直接影响整个系统的带宽、功耗和性能。

一颗AI芯片需要70多个EMIB，这个数字背后，是AI芯片从单一大芯片走向多芯粒、高带宽、高密度集成的产业变化。对于Intel来说，这也意味着一个新的市场机会正在打开。

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