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  • 2026-03-07 15:39:07 2026-01-26 12:29:27

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名企面试笔试真题:英伟达笔试题_2025春招题库汇总_十大行测题库_2023年十大热门题库更新中_03、赛码汇总_2024华为综合全套7月更新_2022华为芯片数字岗_笔试面试_英伟达数字IC笔试题
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文档信息

文档格式
docx
文档大小
0.014 MB
文档页数
2 页
上传时间
2026-01-26 12:29:27

文档内容

1.画2输入NAND和2输入NOR门的门级电路,写真值表;如果NMOS宽度是2um,那么 PMOS的宽度是多少. 2.给一个timing report,setup time的.问slack,时钟频率,电路的实际最高工作频率,clock skew. 3.给一个hold time timing report.问这是hold还是setup;是否设置了OCV,为什么;&/r/f 是啥意思. 4.给一电跟图,问setup和hold的关键路径分别是什么,slack分别是多少,电路的实际工 作频率,为什么是这个频率;如果时钟变成35ns,对setup和hold分别有什么影响. 5.一条100um的导线延迟1ns,问1000um的导线延迟是多少,如果每隔100um插一个 buffer(延迟2ns)问总延迟是多少. 6.给一个文件,用C_shell判断包含某字符串的行数和不包含该字符串的行数,用perl写 一程序找出含某字符串的变量,在变量后加上另一字符串,并输出. 7.给出泄漏电流的公式,为怎么减小泄漏电流.给出电路功耗的公式,问其中的三项功耗的 影响因素分别是什么. 8.latch与flip-flop的区别;什么是setup/hold,对电路有什么影响;用D触发器实现时钟 二分频,并画波形. 9.DFT的一些方法,举几个故障模型的例子;什么是coupling effect,怎么消除;Asic设计流 程. 10.什么是天线效应,怎么产生的.给了一部分版图,计算天线效应的值.如何消除. 北京 2013 physical ASIC 笔试题 1. 用 NAND 搭 XOR(y = !AB+A!B)的电路,写出每一步的想法 2.写 0-11 的 4 位格雷码 3.给出一个三分频的电路时序(input: rst, clk, output, clk_co),用 flop, latch, full adder 以及其他组合逻辑电路,搭出 3 分频电路。 4.给出一个框图 计算(1)flop B 的 setup/hold time slack (2)如何 fix flop B violation(图是这样的 延时数字随便写的) 5 .FSM 很简单的状态机图 (1)让写出 verilog 程序(只有三个状态 数字随便写的) (2)写出 testbench 6.写出反相器有哪些部分消耗功率,关键因素是什么?(有点忘了)7.(1)在反相器后面加两个 buffer,以驱动大电容,size 和 delay time 成正比,最少 延时 70ps 问这两个 buffer 的size 如何确定(大概是这意思,不确切) (2)为得到最短时间,你认为应该加几个 buffer 合适,size 是多少 8.用两个 NMOS 管搭一个 NAND,如果 signal A 比 B 稍早,问如何摆放使得该 NAND 速度最快? 9.一个简单的电路图,问 DFT test chain 怎么做?(有点忘了)如果加上 test chain, 这个电路是什么样? 10.用 perl 或 c 语言写程序。打开一个包含学生名字和成绩的文件,要求找出成绩最高 的学生的名字输出。