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【重磅会议报道】破解AI算力瓶颈 共探光电融合新路径|光电集成前沿技术专题论坛在京成功举办
【重磅会议报道】破解AI算力瓶颈 共探光电融合新路径|光电集成前沿技术专题论坛在京成功举办（信息来源：北京半导体行业协会） 为聚焦后摩尔时代光电集成技术的前沿进展与产业化机遇，破解AI算力爆发下的互连与能耗瓶颈，2026年9月17日上午，由北京半导体行业协会和北京国际工程咨询有限公司联合主办的“IC WORLD 2026——光电集成前沿技术专题论坛”于北京经开区成功举办。 本次专题论坛汇聚了学术界与产业界多位资深专家，围绕AI算力与光互连、光电融合计算架构、硅光量产工艺平台等核心议题展开深度研讨。会上，众多行业专家、企业家均结合自身研究实践与产业观察发表专业观点。论坛由北京半导体行业协会执行秘书长、北京国际工程咨询有限公司研究员朱晶主持。 
清华大学副研究员乔飞在《空间光电融合计算集成系统》的开场分享中表示，随着大模型向持续在线、长上下文、多模态场景延伸，系统吞吐与能效压力不断增大，传统电子计算路径遭遇瓶颈。光计算拥有低延迟、高并行、数据低搬移的特点，被视作AI时代的“空中飞行车”，但纯光计算方案仍存在不少短板，而光电融合技术的核心思想，则是让合适的物理载体承担合适的任务。 
随后，上海光本位智能科技（上海）股份有限公司、首席产品官兼高级副总裁姚金鑫在《面向AI基础设施的光技术：技术趋势与产业实践》的主题演讲中表示，AI系统的瓶颈正在从单纯计算吞吐，扩展到数据移动、数据访问和数据存储的能耗与时延，大规模AI/HPC系统已经进入“通信受限”发展阶段。光互联技术正沿着可插拔光模块、低功耗光互联、共封装光学、光I/O芯片、光子中介层与光互连底座五条技术主线逐步发展。 
澜昆微电子科技有限公司联合创始人肖钰在做《光电集成高密度AI计算光互连》报告中提到，从线性直驱可插拔光模块（LPO）到近封装光学（NPO）、共封装光学（CPO），再到光输入输出（OIO），产业界已对各类产品形态展开尝试，各类产品形态间不存在谁取代谁的关系。肖钰指出，在标准体系建设上，电接口标准与光接口标准二者缺一不可。 
北京燕东微电子股份有限公司硅光CTO余明斌在《燕东微硅光晶圆代工：技术研发和量产进展》主题演讲中表示，AI智算领域正通过光取代电破解互连带宽瓶颈，硅光集成芯片也将取代分立器件，成为市场主流技术。2025年硅光市场规模为35亿元，预计2030年将增长至360亿元，年复合增长率达60%；2026年硅光芯片的市场渗透率已超过50%，2030年将升至约70%，主导地位会更加稳固。基于这一行业判断，燕东微专注于硅光技术的研发与量产，目前在硅光SiN晶圆量产代工和SOI技术研发领域处于行业前列，未来还将进一步探索借助AI工具优化器件设计与工艺开发，加快技术迭代速度。 
北京通美晶体技术股份有限公司技术总监任殿胜在《光芯片基石——磷化铟、砷化镓材料》主题演讲中提出，磷化铟与砷化镓材料凭借直接带隙、高电子迁移率、高饱和电子速度，以及耐高温、抗辐射等独特半导体特性，成为制造发光二极管、激光二极管和光电探测器的理想材料，将在人工智能与大数据领域发挥不可替代的作用。但当前全球磷化铟衬底的需求与实际供给之间存在较大缺口，同时磷化铟材料在大尺寸晶体生长和晶片加工环节还存在一定技术难度。未来，提升磷化铟单晶成品率，将是产业发展的核心关键。 
清华大学研究员熊兵在《超高速光电子芯片研究进展》演讲报告中指出，高速光互联组件是数据中心的核心支撑技术，但目前行业内1.6Tb/s—3.2Tb/s高速数据光传输，迫切需要带宽大于100GHz的光电芯片。围绕这一需求，清华大学成功研制出国内首个带宽分别达到100GHz、150GHz、190GHz、230GHz的光电探测器芯片。 
在论坛最后，浙江艾舜光电科技有限公司CTO李成在《NPO产品化演变及核心难点》演讲中指出，近封装光学（NPO）当前主要呈现三大核心发展趋势：一是标准化进程全面加速，为行业规模化发展奠定基础；二是核心性能指标持续提升，适配AI时代的海量带宽需求；三是散热技术体系迎来革新，液冷加均热板方案将成为高功率应用场景的标配。但目前该领域仍面临制造良率与成本控制、可靠性提升与产业生态协同等多方面挑战。同时李成预测，未来3-5年NPO将发展成为主流技术，和其他封装模块在不同应用场景共存互补，共同构建数据中心光互连的完整技术版图，为算力网络发展注入强劲动力。 
本次论坛汇聚产业各界智慧，充分交流了光电集成领域技术路线、相关痛点与市场机遇，为破解AI算力互连能耗瓶颈、推动我国光电集成技术创新与产业协同发展凝聚了共识、拓宽了思路。