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第1部分专题突破专题10 晶体类型 晶体结构_05高考化学_新高考复习资料_2023年新高考资料_二轮复习_2023年高考化学二轮复习讲义+课件(新高考版)_学生版_二轮专题强化练与考前特训
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文档格式
docx
文档大小
0.209 MB
文档页数
3 页
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2026-03-29 06:16:38

文档内容

专题 10 晶体类型 晶体结构 1.按要求回答下列问题。 (1)AsCl 的沸点比BCl 的高,这是因为______________________________________。 3 3 (2)GaCl 的熔点为 77.9 ℃,GaN 的熔点为 1 700 ℃,二者熔点差异的原因是 3 ________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________。 (3)Ti形成的多种化合物中常见的有TiN和金红石(TiO),两种晶体熔融状态下都能够导电, 2 则它们属于________(填晶体类型),两种晶体比较,TiN 熔点较高,其原因是 ________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________。 (4)Cu O 和 Cu S 都 是 离 子 晶 体 , 熔 点 较 高 的 是 ______________ 。 其 原 因 是 2 2 ________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________。 (5)工业上均采用碳酸盐分解法制取氧化镁与生石灰,MgCO 的分解温度________(填“高 3 于”或“低于”) CaCO ,原因是_____________________________________________ 3 ________________________________________________________________________。 (6)已知:r(Fe2+)为61 pm、r(Co2+)为65 pm。在隔绝空气条件下分别加热FeCO 和CoCO , 3 3 实验测得FeCO 的分解温度低于CoCO,原因是________________________________ 3 3 ________________________________________________________________________。 (7)MgCl 和TiCl 的部分性质对比如表: 2 4 MgCl TiCl 2 4 熔点/℃ 714 -24 沸点/℃ 1 412 136.4 室温下状态 固体 无色液体 二者虽然都是金属元素和氯元素形成的化合物,但前者熔点比后者高很多,其原因为 ________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________。 (8)GaN、GaP、GaAs熔融状态均不导电,据此判断它们是________(填“共价”或“离子”) 化合物。它们的晶体结构与金刚石相似,其熔点如下表所示,试分析 GaN、GaP、GaAs熔 点依次降低的原因:__________________________________________________________ ________________________________________________________________________。 物质 GaN GaP GaAs 熔点/℃ 1 700 1 480 1 2382.分析下列晶体结构。 (1)已知Cu O的立方晶胞结构如图所示。 2 ①已知a、b的坐标参数依次为(0,0,0)、(,,),则d的坐标参数为__________,它代表 __________原子。 ②若铜、氧的原子半径分别为r pm、r pm,Cu O晶体的密度为ρ g·cm-3,N 是阿伏加 Cu O 2 A 德罗常数的值,则该晶胞中原子空间占有率为________×100%。 (2)一种Ag HgI 固体导电材料为四方晶系,其晶胞参数为a pm、a pm和2a pm,晶胞沿 2 4 x、y、z的方向投影(如图所示),A、B、C表示三种不同原子的投影,标记为n的原子分数 坐标为(,,),则m的原子分数坐标为________,距离Hg最近的Ag有________个。设N A 为阿伏加德罗常数的值,Ag HgI 的摩尔质量为M g·mol-1,该晶体的密度为________ g·cm 2 4 -3(用代数式表示)。 (3)金属硼氢化物可用作储氢材料。如图是一种金属硼氢化物氨合物的晶体结构示意图。图 中八面体的中心代表金属M原子,顶点代表氨分子;四面体的中心代表硼原子,顶点代表 氢原子。该晶体属立方晶系,晶胞棱边夹角均为 90°,棱长为a pm,密度为ρ g·cm-3,阿 伏加德罗常数的值为N 。 A ①该晶体的化学式为____________。 ②金属M原子与硼原子间最短距离为________ pm。 ③金属M的相对原子质量为__________(列出表达式)。 (4)GaN的一种六方晶胞如图所示,晶胞参数为 a nm、c nm。晶体中N原子的配位数为 ________;晶体密度ρ=________ g·cm-3(设阿伏加德罗常数的值为N ,用a、c、N 的代数 A A 式表示)。(5)一种金属间化合物的晶胞结构如图所示: 以晶胞参数为单位长度建立的坐标系可以表示晶胞中各原子的位置,称为原子的分数坐标, 如A点原子的分数坐标为(0,0,0),B点原子的分数坐标为(,,),则C点原子在z轴方向上 的分数坐标z=________(用含c、s的代数式表示);设Mg、Cu和Al原子半径分别为r Mg pm、r pm、r pm,则金属原子的空间占有率为__________________(列出计算表达式)。 Cu Al (6)磷化硼晶胞的示意图如图甲所示,其中实心球表示P原子,空心球表示B原子,晶胞中P 原子空间堆积方式为__________________;设阿伏加德罗常数的值为 N ,晶胞参数为a A cm,磷化硼晶体的密度为________g·cm-3(列出计算式);若磷化硼晶胞沿着体对角线方向的 投影如图乙所示(虚线圆圈表示P原子的投影),请在图乙中用实心圆点画出B原子的投影位 置。