文档内容
绝密★启用前
2025 年高考考前信息物理必刷卷 04
（上海专用：电磁学）
（考试时间：90分钟 试卷满分：100分）
考情速递
高考·新动向：知识面更广，压轴题难度有所降低，没有特别复杂的理论计算，但强调对应用情景的综
合分析，考点综合性增强，主要考查灵活运用物理知识分析问题、解决问题的能力。比如，引力场中
物体的势能并非主要考点，但也会考到，而传统的电磁感应难题并未出题。
高考·新考法：由传统的选择题、填空题、计算题转化为5~6道情景综合题，由于以应用场景为背景进
行出题，所以特别复杂的理论计算题的相对减少，为保证知识点的覆盖面，在一道题中综合多个知识
点的题型概率比较大，例如带电粒子在圆形电磁场中做圆周运动，功率和电路在自发电自行车中的结
合等。
高考·新情境：结合最新热门话题，比如以奥运会、人工智能AI、自动驾驶、智能手机等为情景进行命
题的可能性较大。
命题·大预测：
1．以最新热门话题、新科技创新、航空航天为情景出题的可能性较大。
2．去年较难题的内容是带电粒子的运动和电路和功率的综合题，今年机械能、动量、电磁感应出难题可
能性较大。
3．去年实验题考查了热学波义耳定律，今年考查力学牛顿第二定律、单摆、电源电动势和内阻测量的可
能性较大。
注意事项：
1．答卷前，考生务必将自己的姓名、考生号等填写在答题卡和试卷指定位置上。
2．回答选择题时，选出每小题答案后，用铅笔把答题卡对应题目的答案标号涂黑。如需改动，用橡
皮擦干净后，再选涂其他答案标号。回答非选择题时，将答案写在答题卡上。写在本试卷上无效。
3．考试结束后，将本试卷和答题卡一并交回。一、电容器（2+3+3+8+6=22分）
随着科技的发展，不断有新的用来储存电荷的装置被创造出来，我们把能存储电荷和电能的装置叫
做电容器。各种电容器在电子或电力设备里有广泛的应用。
1．下列哪个措施是为了防止静电产生的危害（ ）
A．在高大的烟囱中安装静电除尘器 B．静电复印
C．在高大的建筑物顶端装上避雷针 D．静电喷漆
2．如图所示，a、b两点位于以负点电荷-Q（Q>0）为球心的球面上，c点在球面外，则（ ）
A．a点场强的大小比b点小 B．b点场强的大小比c点小
C．a点电势比b点高 D．c点电势比a点高
3．如图所示，静电计指针张角会随电容器极板间电势差U的增大而变大。现使电容器带电，并保持总电
量不变，实验中每次只进行一种操作，能使静电计指针张角变大的是（ ）
A．将玻璃板插入两板之间 B．将云母板插入两板之间
C．将A板稍微上移 D．减小两极板之间的距离
4．利用DIS电流传感器可以测量电容器的电容。让充电后的电容器通过大电阻R放电，电流传感器A与
计算机连接，记录放电电流I随时间t变化的图像，图像与横坐标轴围成的面积，数值上等于电容器的
带电量Q（可用DIS系统软件计算），Q与充电电压U的比值即为电容器的电容C。
（1）图甲、图乙为放电法测量电容的两种电路原理图，先开关S与1端相连，充电结束后，读出电压表的
示数。然后把开关掷向2端，记录I-t图像，测量出电容器的带电量Q。在甲、乙两图中，实验系统误差较大的是 （选填“甲”或“乙”），原因是 对实验的影响，使电容测量值
（选填“偏大”、“偏小”或“不变”）。
（2）DIS系统软件记录的电容器放电电流I随时间t变化的图像可能是( )
A B． C． D．
5．如图所示为一真空示波管，电子从灯丝K发出（初速度不计），经灯丝与A板间的加速电压U 加速，
1
从A板中心孔沿中心线KO射出，然后进入两块平行金属板M、N形成的偏转电场中（偏转电场可视
为匀强电场），电子进入M、N间电场时的速度与电场方向垂直，电子经过电场后打在荧光屏上的P
点。已知加速电压U=1600V，M、N两板间的电压U=200V，两板间的距离为d=10cm，板长为
1 2
L=20cm，板右端到荧光屏的距离为L=40cm，电子质量m=9.11×10-31kg，电子电量为e=1.6×10-19C，求：
1 2
（1）电子从偏转电场射出时的侧移量y；
（2）P点到O点的距离y′。
二、相互作用的电荷（3+3+6=12分）
两电荷之间可以通过“场”来进行相互作用。如图（a）所示，在xOy平面内有等量异种点电荷p 和
1
p，p 的电荷量为+q，坐标为（0 , 0），p 的电荷量为-q，坐标为（R , 0）。
2 1 2
6．若平面内坐标（0.25R , 0）处的电势为φ ，坐标（0.75R , 0）处的电势为φ 。则（ ）
A B
A． B． C．7．若将试探电子从（0.25R , 0）处沿x轴移动到（0.75R , 0）处，选无穷远处电势为零。不考虑电子对电
场的影响，则电子电势能E 随坐标x的变化图像可能为（ ）
p
A． B． C． D．
8．如图（b）所示，某时刻p 和p 分别具有沿着两个坐标轴的速率v，由于运动的电荷会产生磁场，该时
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刻p 所在位置的磁感应强度为B，静电力常量为k。
2
①（计算）求该时刻p 对p 的总作用力大小F。
1 2
②该时刻坐标（R， 0）处的磁感应强度 ，其中c为光速，k为静电力常量。根据单位制的知识可
知指数λ的值为 。
A ． B． C． D．
三、电路（3+3+8+6=20分）
如图所示为从硅晶圆上取下已制好的集成电路所需的芯片。如今，1cm2的集成电路就可以拥有几十
亿甚至上百亿个电子元器件。稳定、高效、轻便的集成电路为人们的生活、科技带来了无限的可能。
9．如图所示电路中，电源的电动势为E，内阻为r，各电阻阻值如图所示（R
