夜雨聆风5月20日，美光科技全球运营执行副总裁Manish Bhatia与投资者关系高级总监Samir Patodia共同出席摩根大通第54届全球科技年会，与J.P. Morgan半导体分析师Harlan Sur展开炉边谈话。Manish Bhatia此次发言的根本叙事是：AI驱动的结构性供需失衡，正将存储器从高度周期性的"商品"转变为具有长期卖方溢价优势的"战略资产"。
📢 主旨发言：结构性缺货的"前所未见"时代
Bhatia的核心论述围绕三大主题展开：财务实力的急剧增强、AI驱动的需求远超行业供应能力、以及存储器正从"商品"转变为"战略资产"。
财务基本面大幅改善：Bhatia开门见山地指出，自上次财报以来，公司的财务前景已进一步强化。美光正在迈向又一个大规模创纪录自由现金流的季度，资产负债表达到历史最强水平，这一点已获得三大评级机构今年全部给予评级上调的验证。Q2 FY2026营收同比增长196%，毛利率高达74.9%，EPS更是飙升756%至12.07美元；Q3指引营收335亿美元、EPS 18.90美元。
AI需求"前所未有"地超出供应：Bhatia以一句极简但极具冲击力的判断概括当前局面——"需求持续超出我们和整个行业的供应能力"。他此前曾在1月份投资者会议上将这一局面定性为"前所未有"的短缺程度——制造AI加速器所需的HBM正在占用行业可用产能的绝大部分，导致手机和个人电脑等传统领域面临严重的供应限制。HBM、传统DRAM和NAND均处于供应紧张状态，这一紧张局面将持续跨越2026年及以后。
五大结构性因素驱动的长期供不应求：Bhatia在会议和此前的多次表态中，共同勾勒出五重结构性驱动力：一是新AI数据中心对存储的爆炸性需求；二是服务器内存需求的持续上升；三是存储新产能的投产周期极长，短期内无法快速缓解；四是"AI存储税"效应——AI领域优先占用产能，消费级产品面临更高成本；五是长协模式正在逐步替代传统现货交易。
技术演进路线与产品矩阵：会议上Bhatia展示了对产品全面升级的信心。美光持续推动DDR5对DDR4的加速替代，同时HBM4已开始批量出货。值得注意的是，在下一代AI存储供应链的竞争格局中，英伟达Vera Rubin平台首发阶段美光未获得任何供应份额，SK海力士与三星占据约七成与三成份额，美光计划于2026年第二季度重新提交资格测试申请。
❓ 问答环节：紧平衡能延续至2028年之后
关于供应缺口持续时间：分析师Harlan Sur就"供过于求将何时出现"这一核心问题向管理层发问。美光的回应是，即使行业新产能从2027年开始陆续上线，到2028年也仅能覆盖客户需求的一半到三分之二。美光此前已在分析师会议上将这一判断明确化，这一判断构成了美光盈利可见性大幅延伸的核心基础J.P. Morgan据此预测2026年DRAM均价将同比上涨近60%
关于客户提前预订与长协：美光确认2026年HBM4和HBM3E的全年产能已通过长期协议全部售罄，部分协议延伸至5年——美光与核心客户签署了行业首份五年期战略供货协议，远超SK海力士主流的2-3年长协周期。Bhatia强调长协模式正在从根本上改变行业的价格形成机制，使其从过去的高波动现货交易模式逐步转向更稳定、溢价更高的长期定价体系。长协模式是"卖方市场溢价"的结构性体现，从根本上减少了行业过去"繁荣—崩溃"周期性特征的根源。
关于资本支出计划：2026财年资本支出目标由此前约180亿美元上修至约200亿美元，主要用于HBM下一代产品布局和先进DRAM制造能力扩产在全球投资版图上，美国纽约锡拉丘兹巨型晶圆厂已提前开工，新加坡HBM产线自2025年初建设、预计2027年释放增量产能，台湾同步扩产，日本广岛工厂扩建至2028年投产。
关于中国市场的定位：面对中国敞口问题，美光回应称公司已从中国本土数据中心业务中战略性退出，但仍在继续向在中国境外运营数据中心的中国客户供货，中国市场营收约34亿美元、占总营收约12%。这一转型是在中美技术脱钩背景下的必要风险控制措施。
🤔 深度剖析：超级周期的支柱与裂痕
（一）管理层叙事的战略一致性
本系列中的英伟达、Lumentum均以"AI需求超预期"为叙事主线，但Bhatia的发言与之存在一个根本差异：他通过"前所未有"和"需求持续超过行业供应能力"等极简判断，用最少的财务预测、最多的定性判断，把故事锚定在"持续缺货"这一个变量上。这背后需要极高执行确定性作为支持——Bhatia作为全球运营执行副总裁，手握产能建设的实际进度信息，他的每一个定性判断都具有远超普通CFO的可验证性。
（二）与同业的比较：长协锁价是结构性的差异化
竞争者对比：SK海力士的长期协议周期多为2-3年，三星也在推动向长协模式转变，而美光已率先签署了五年期战略供货协议。这一领先优势使美光从"周期中的价格跟随者"向"结构性溢价者"转变——长协锁定的是量价双保，同时减少了下行周期中的价格波动风险。
与Fabrinet的战略不对称性：本系列中Fabrinet是AI光学元件客户的代工枢纽，其盈利完全依赖大客户的订单密度和利润率，收入规模和可见度远不如掌握了核心IP的美光。Bhatia的产能利用率话语权，在结构性供需失衡中拥有绝对的卖方议价权——这正是J.P. Morgan维持"增持"评级、目标价达550美元并持续看好的根本原因。
（三）"估值困境"：业绩爆炸、股价承压的结构性逆风
尽管Q2 FY2026净利润同比大涨756%，截至5月9日当周股价大涨约38%、市值突破8400亿美元，但会议召开前股价已连续回调，5月18日收盘681.54美元，单日跌幅5.95%、成交量高达5870万股。这是一幅"业绩越好、股价越跌"的经典困境图景，背后折射出两大结构性矛盾：传统存储行业在投资者心智中仍是高度景气循环的周期股，即使AI驱动的结构性变革重新定义了供应的可见性和定价的溢价水平，市场仍在以周期股框架来对其估值——当前9.2倍的前瞻市盈率大幅低于半导体行业32倍的估值中位数；同时，云厂商和企业客户可能转向Samsung、SK Hynix等竞争对手，NVIDIA Vera Rubin平台首发暂未获得供应份额是短期竞争风险的重要缩影。
（四）AI推理对NAND的增量需求尚未充分定价
Bhatia的论述中DRAM与HBM占据叙事焦点，NAND仅作为"供应紧张"背景提及时。然而，行业共识正快速上修：AI推理的快速扩张对上下文窗口存储提出了全新的高容量、持久性需求，美光的NAND业务在AI推理时代有望成为下一个重要增长引擎——这一点在会议现场未被充分挖掘，为后续预期差提供了可能的超额空间。
💎 总结
Manish Bhatia此次发言的根本叙事是：AI驱动的结构性供需失衡，正将存储器从高度周期性的"商品"转变为具有长期卖方溢价优势的"战略资产"。 美光凭借2026年全年产能售罄（含五年期战略长协锁定）、三大评级机构同步上调评级、美国本土与新加坡等多区域同步建设大规模新产能这三大战略支点，力图使市场相信：本轮存储周期的结构性特征，将使其在"新产能上线"后依然维持紧平衡状态。但8.7%的近期股价回调与9.2倍的当期市盈率，也说明市场对"AI需求是否真能延续至2028年之后"仍保留审慎的独立判断。
对投资者而言，美光的核心矛盾在于：以周期股估值体系来定价一个正被重塑为结构性增长资产的公司，两者之间的框架裂隙构成了当前最大的投资分歧。 美光要在多大程度上证明其五年长协体系能够有效锁定量价、新产能加速投放且不恶化利润率，以及重获NVIDIA下一代Vera Rubin平台的供应资格，将是打破"业绩越强、股价越薄"估值困局的关键变量。本系列中，英伟达在下一代平台的首发份额博弈，正成为检验AI供应链核心壁垒强度的关键观察窗口。
Micron Technology, Inc. (MU) J.P. Morgan 第54届年度全球科技、媒体和通信大会
Company Participants
Samir Patodia - 投资者关系官Manish Bhatia - 全球运营执行副总裁
Conference Call Participants
Harlan Sur - JPMorgan Chase & Co, Research Division
Presentation
Harlan SurJPMorgan Chase & Co, Research Division
好的。早上好，欢迎参加 JPMorgan 第54届年度科技、媒体和通信大会。我叫 Harlan Sur，是本公司的半导体和半导体资本设备分析师。今天早上非常高兴邀请到 Micron Technology 的团队与我们一起出席。Manish Bhatia，Micron 全球运营执行副总裁，以及 Samir Patodia，投资者关系高级总监，也与我们在这里。Manish 和 Samir 将先做一些开场发言，然后我们再进入问答环节。
各位先生，感谢你们今天加入我们。Samir，我先把话交给你。
Samir Patodia 投资者关系官
谢谢，Harlan。那我先从安全港声明开始，然后把话题交给 Manish。我们今天会作出一些前瞻性陈述，这些陈述伴随着相关风险和不确定性。因此，请您参阅我们在申报文件中披露的风险因素，包括我们最近提交的 10-Q 和 10-K。Manish？
Manish Bhatia全球运营执行副总裁
好的。谢谢你，Samir。后排站着的各位，感谢你们对 Micron 的关注。自上次财报电话会议以来，我们的财务前景已经进一步增强。我们预计在2026财年第三季度将再次实现创纪录的可观自由现金流。我们的资产负债表从未如此稳健，这一点也得到了多家信用评级机构的印证——今年来自全部3家信用评级机构的上调评级。由于持续存在的结构性因素，需求继续超过我们自身以及整个行业的供给能力。因此，我们预计 HBM、DRAM 和 NAND 的供应紧张状况将持续到2026年之后很久。
Question-and-Answer Session
Harlan SurJPMorgan Chase & Co, 研究部
很好，这确实是个很好的更新。所以我认为我们可以回过头来，以团队在 3 月中旬左右的财报电话会议上给出的近中期展望为基准重新看待这件事。并且我想，在当时，相对于对 5 月季度给出的指引，我认为当时的观点是，那时强劲的营收增长前景主要会由定价驱动，销量增长只会占一小部分。所以我们先从这里开始。相对于这一点，我的意思是，哪些动态的表现比预期更强，或者说强于预期？
Manish Bhatia全球运营执行副总裁
是的。嗯，当然，定价已经体现出来了。但需求仍然非常非常强劲。而且 AI 世界正在从单纯的人机交互，过渡到人机代理式交互，甚至机器对机器交互。因此——而且这些代理式工作负载正在推动推理，而推理正成为我们客户需求工作负载中越来越大的一部分。
我们也看到，memory 正在持续成为一个更加具有战略意义的资产；随着 memory 可以被等同于智能，且更高性能的 memory、更高可靠性的 memory、更大容量的 memory 都有助于提升智能的准确性，它的价值也在不断增加。这一点在高带宽 memory 方面是如此，在传统 DRAM 和 DDR 方面也是如此，在 NAND 方面同样如此，因为 context windows 正在变得更长，而 NAND flash 是不仅能够存储不断涌现的新数据，而且还能提升模型结果准确性的关键部分。
Harlan Sur摩根大通公司，研究部门
在5月季度指引的中值——335亿美元、81%的毛利率、19美元及以上的盈利能力——的基础上，您有没有办法量化一下，相较于您在3月给出的某些参数，您在5月季度看到的更强劲表现？
Manish Bhatia全球运营执行副总裁
嗯，我们的季度将在几周后结束，显然，我们会在下一次电话会议上对此发表评论。
Harlan Sur 摩根大通公司，研究部门
好的。那么也许这样——也许更好的表述方式是，让我们从一个跨多个季度的时间周期来思考。显然，正如你所提到的，环境对你们来说已经改善了。我想再次回到3月的电话会议，当时你们谈到今年的需求会受到供给约束，但你们仍然认为行业在DRAM方面的比特出货量会增长大约20%，在NAND方面会有低20%区间的比特出货量增长。考虑到过去几个月你们看到的动态，这一观点有没有发生变化？
Manish Bhatia全球运营执行副总裁
我认为——现在这两者的需求都受到供给限制，对吧。所以我们只是在继续非常努力地提升供应。不过我在刚才的评论里提到了持续存在的结构性因素。就供应端而言，我真正想表达的是，DRAM 和 NAND 的技术转型带来的生产率提升越来越少。
Harlan SurJPMorgan Chase & Co, Research Division
没错。
Manish Bhatia全球运营执行副总裁
而且在此前，每个技术节点的位增长改善都比过去的节点更少。除此之外，对于 DRAM 来说，我们正在经历向 HBM 的结构性转变，而为了实现 HBM 的高性能，我们面临一个权衡关系，即 HBM 芯片尺寸更大，因此每片晶圆能产出的比特数更少。所以，要交付相同数量的比特，所需的晶圆数量要多出 3 倍以上；而且随着从 HBM3E 到 HBM4 再到 HBM4E，这种权衡关系还在持续扩大。因此，这一切都意味着 DRAM 需要更多的新建晶圆产能。新建产能还需要更多洁净室空间，因为你投入的是整条产线，而不是增量设备；为了获得技术迁移带来的增量收益，现在你需要更多的洁净室空间，因为你是在部署整条产线，而这需要更长的时间。
因此，我们有强劲的需求驱动因素，而且这种需求还在持续增强，因为内存为最终 AI 解决方案带来了价值，无论是在训练还是推理方面。与此同时，在供给方面也存在结构性因素，整个行业仍在努力追赶，而且在可预见的未来，我们看不到供给赶上需求的能力。
Harlan Sur 摩根大通公司，研究部
是的，自去年下半年以来，这确实非常惊人。我们也请来了 Lip-Bu——我们昨天刚在 keynote 上谈到这个问题。我们讨论了内存、存储和 CPU 需求的大幅增长，确切地说，就在 inferencing——AI inferencing 工作负载在去年下半年超过训练工作负载的那一刻。就像开关被打开了一样，突然之间，内存密度上升了，存储密度上升了，CPU 密度也上升了，对吧？而且这一趋势还在持续，对吧，因为当我们跟踪 inferencing 工作负载时，我的意思是，它们仍在以这种指数级速度增长，所以我们完全可以理解为什么内存的持续强劲需求会不断拉动。团队提到，关键客户在中期只能拿到其 bit 需求的 50% 到 2/3。现在情况还是这样吗？还是说这个缺口实际上已经扩大了？
Manish Bhatia全球运营执行副总裁
嗯，我们刚才谈到了需求驱动因素变得更加稳固，以及供应继续非常非常难以增加。我们都在非常非常努力地工作。你刚才听 Tim 说过我们与他们合作得多么紧密，我们也同样与所有供应商保持如此紧密的合作，我们大家都在非常努力地尝试追赶，但在可预见的未来，我们看不到供应能够赶上需求。
Harlan SurJPMorgan Chase & Co, Research Division
是的。那在这方面，显然，Manish，你是全球运营主管，我们来谈谈你在未来几个季度将如何释放更多bit供应潜力的一些方式，对吧？比如你收购的台湾Tongluo fab，目标是从2027年日历年下半年开始生产bit出货。我们应该如何看待最初爬坡的前几个季度？我们听说起步大概是每月10,000到20,000片晶圆开工。你的新Boise fab也会在差不多那个时间开始爬坡。对于该建设的第一阶段，我们应该预期多少产出？目前，这些大多还是面向明年日历年下半年，但请更新一下这两个项目的进展。
Manish Bhatia全球运营执行副总裁
当然。Tim 也确实——再次说明，让 Tim 在我之前发言真是太好了，因为他提到了我们今年早些时候完成了对 Tongluo——Powerchip Semiconductor Tongluo 站点的收购。那笔交易实际上比计划提前完成，对此我们非常感谢来自台湾政府的支持。我们在朝着那个目标取得了很大进展——把那座 fab 从原先的逻辑产线改造为能够生产先进 DRAM。我们预计能够投产。我们在朝着 2027 年下半年投产的目标取得了非常出色的进展。我们也在上次电话会议中宣布，我们还将在现有 fab 旁边立即建设一座类似的 twin fab，而且我们今年夏天就要开始动工。
因此，那个园区将成为一个更大的先进存储园区。它离我们现有的台中业务地点只有20分钟车程。所以它实际上会像一个大型集群园区那样运营。不过，我们正在做的事情很多，甚至不仅限于我们在台湾所做的。你提到了 Idaho。
Harlan Sur摩根大通公司，研究部
没错。
Manish Bhatia 全球运营执行副总裁
Idaho 1 进展顺利。我们——今年早些时候，我们曾宣布将晶圆产出目标日期——从 2027 年下半年提前到 2027 年年中。随后我们又宣布 Idaho 2 已经开工建设。实际上，目前地基准备工作正在进行中，我们预计该工厂的晶圆将于 2028 年日历年末开始产出。因此，比 Idaho 1 晚大约一年多一点。
我们今年早些时候在 New York 动工，而且那里的进度实际上已经领先于计划，进展顺利，预计今年晚些时候开始浇筑混凝土。在 Singapore 的高带宽存储器工厂也取得了非常好的进展，我们在去年，也就是 ’25 年初刚刚在那里的项目破土动工。我们预计该项目将在 ’27 年开始对产量产生影响，以补充我们目前在 Taiwan 现有的 HBM 业务。我们今年早些时候还在 Singapore 为一座新的 NAND 晶圆厂举行了开工仪式。所以我们有很多项目在推进，旨在提升 DRAM、HBM 和 NAND 的供应。
Harlan Sur摩根大通公司，研究部
是的。更重要的是，你同时还在执行所有这些新的技术迁移，对吧？所以就这一点来说……
Manish Bhatia全球运营执行副总裁
我们正处于世界领先的技术转型之中，对吧？
Samir Patodia 投资者关系官
行业领先的技术转型，是的。
Harlan SurJPMorgan Chase & Co, Research Division
那么，对于这些新的制程技术，我的意思是，DRAM 的 1-gamma、NAND 的 G9，对吧？你们原本的目标是到今年年中，这两项技术要占到你们 bit mix 的大部分，显然已经非常接近了。我们几乎快到了。团队会按这个出货结构执行吗？你能谈谈良率和可制造性的进展吗？而且，EUV 的引入是否实际上让对多重图案化技术的需求稍微缓解了一些？这是否也对良率和缺陷密度形成了顺风？
Manish Bhatia 全球运营执行副总裁
是的，是的。所以我们完全有望按计划实现这些目标，随着我们的 1-gamma DRAM 和 Gen9 NAND 在今年年中前后实现——从比特产出角度交叉。两者的爬坡都非常顺利。就良率爬坡而言，这两个产品都比之前的节点更快。我总是喜欢强调，这并不是因为这些技术本身变得更简单了，而是因为大量的工程工作、一些技术开发工作、技术与制造之间的协作，以及我们在整个流程中使用 AI——实际上这已经持续很多年了，超过 10 年——使我们能够持续提升良率改进能力、提高生产效率、改善质量，以及我们所有制造运营中的这些方面。
我们预计，1-gamma 将按总晶圆产出量计算，成为我们历史上任何节点中出货量最高的 DRAM 节点。我们也确实——我们在上一季度财报电话会议上提到过，我们对 1-gamma 节点上的 EUV 进展非常满意。这是我们首次引入 EUV 的节点。因此我们非常满意。我们也非常满意在这个时间点实施该方案的决定，因为我们当时拥有来自 ASML 的更现代、更先进的工具，它们实际上为我们带来了更好的性能和更高的可用性。
因此，基于这一点，我们在上一次电话会议上曾表示，我们预计将增加在 1-delta 及未来几代中的 EUV 设备部署。与此相配合，我们最近实际上已经与 ASML 达成了一项为期多年的 EUV 供应协议，以支持我们跨多个代际的技术和产能规划。
Harlan SurJPMorgan Chase & Co, Research Division
让我们谈谈制造卓越的一部分，对吧，我们知道 Micron 的优势在于新技术以及非常快速地推进新技术。但在可制造性、运营效率、良率这些方面呢，对吧？而且在强劲的定价环境下，我的意思是，市场对运营和制造效率的关注没有那么多，对吧？另外，考虑到 DRAM 内部显著的产品结构差异，比如 DDR5、HBM 和 SOCAMM，对吧？所以这些产品的成本结构差异很大。但我们想请你更新一下运营效率方面的情况。过去 12 个月里，团队实施了哪些运营效率提升？以及展望未来，我们应如何看待你们 DRAM 和 NAND 业务中同类产品的单位 bit 成本下降？
Manish Bhatia 全球运营执行副总裁
是的。所以再次说明，之前你已经听过 Tim 的发言。我与我们所有核心设备供应商的高层保持每两周一次的沟通，重点是努力应对我们在新建项目方面面前的机遇，确保技术转型能够推进并顺利向前发展，同时提升现有机队的生产效率。因此，我们正在这些领域全面开展工作，以便能够满足这波需求激增。
你说得对。良率提升是其中一部分。生产率提升也是其中一部分。在当前这种环境下，加速技术转型，这些因素综合起来都确实有助于提升我们的产出和降低成本。但即便如此，我们仍然看不到在可预见的未来能够赶上持续增长的需求的能力。
因此，虽然成本当然始终是一个重点，但对我们来说，这更像是一种信条。我们专注于努力提升供应能力，以满足客户不断增长的需求，而我们看不到这两者能够同步实现。现在，我们认为供应紧张的局面将持续到2026年之后很长时间。
Harlan Sur 摩根大通公司，研究部
是的。那么，在我们继续推进模型时，有没有什么办法去思考一下，像可比口径下的单位 bit 成本下降——因为产品组合现在已经多样得多了。有没有一种粗略估算的方法来理解这种……
Manish Bhatia 全球运营执行副总裁
这正变得越来越困难。而且你说得对，因为产品组合正在——我的意思是，我刚才谈到了 HBM 以及部分 DRAM，对吧？HBM 显然因为更大的芯片尺寸会导致更高的权衡比率，以及更复杂的封装。这些因素都会带来不同的挑战。在 DRAM 领域，即使在 DRAM 产品组合内部，LP、DDR 和高容量 DDR 之间也存在差异。
然后在 NAND 方面，从用于客户端应用的 QLC 一直到用于数据中心 PCIe Gen6 的性能型 TLC，你会看到一个很大的升级。我们其实也取得了很多成功。所以，这件事现在变得更难去判断。我认为我们真的只是专注于能够提供更高价值的产品。当然，成本始终会很关键，但我们正努力随着时间推移调整我们的产品组合。我们已经取得了成功，并且会继续把我们的产品组合转向更高价值的解决方案。
Harlan Sur 摩根大通公司，研究部
Micron 在上次财报电话会议上提到，已经达成了他们的首份战略客户协议。你们把它叫做 SCA，对吧？这是一份包含具体承诺的多年期协议。我想这些参数包括期限、数量和定价。你们在 3 月中旬提到，已经拿下了首位 SCA 客户，期限是 5 年。自那以后，你们又签下了多少份 SCA？这些 SCA 现在覆盖了你们未来大约 12 个月的位元出货目标中的多少？
Manish Bhatia 全球运营执行副总裁
是的，是的。所以你说得对。在我们上次的财报电话会议上，我们谈到已经拿下了我们的首个战略客户协议，那是一份与一位大客户签订的为期 5 年的协议。我们在与其他客户的战略客户协议方面也取得了实质性进展，这些客户非常希望与 Micron 建立这种战略关系。我们会在未来就这些进展提供更新。
但我认为，单从这些参数以及你所描述的方式来看，我觉得SCAs真正让我们能够做的一件事就是提升我们的规划能力，对吧？我们正在规划——我刚才概述了我们所有这些不同的产能扩张项目，建设这些fab以及后续配置设备都需要数年时间。而与特定条款配套的长期协议，有助于我们协调正在部署的产能，无论是新建的greenfield洁净室空间，当然也包括我们如何为这些fab配置设备，从而更好地让未来的供需相匹配。
Harlan Sur 摩根大通公司，研究部门
当我们与你们的一些客户沟通时，尤其是那些大型 GPU/XPU 供应商，他们告诉我们，明年当前一代主流 HBM3E 和 HBM4 的全部产能都已经售罄了，对吗？目前唯一仍在讨论的是下一代 HBM4E，因为这是下一代架构，存在一定程度的定制化，评估和认证会花更长一些时间。但就像去年 HBM4 也花了更长时间一样，那么我们是否可以合理地认为，团队对明年 HBM3E、HBM4 的供应展望已经是完全承诺的销量和定价了？
Manish Bhatia全球运营执行副总裁
所以我们目前不对 2027 年的 HBM 发表评论。但我知道，过去我们确实是在 2025 日历年之前，于 2025 日历年的第四季度时间框架内，对 2026 日历年做出了结论。当时，这其中既包括 HBM3E，也包括 HBM4，而那个时间安排使得能够在不同技术之间为我们的客户实现产品组合的协调。因此，我们现在不会——不会专门拆分说明这一点，但请知道，这一直是我们的历史和记录，即在过去两年里，我们一直能够在年度开始前协调新技术的产品组合。
Harlan Sur摩根大通公司，研究部门
是的。好的。明白了。今年开始爬坡的新 HBM 架构是 HBM4。你们从今年 3 月开始向即将推出的 Vera Rubin GPU 平台发货 HBM 规模出货量。到目前为止，量产爬坡进展如何？看起来你们的一些同行在性能要求方面遇到了一些问题。随着 Micron 团队持续扩大 HBM4 的出货量，你们这边有没有遇到什么问题？
Manish Bhatia全球运营执行副总裁
所以我们在今年早些时候宣布，我们已经开始出货，而且出货正在推进中。我们的 HBM4 产能爬坡实际上比去年 HBM3E 12-high 的爬坡速度快了两倍，对吧？去年那次爬坡我们非常非常满意，而现在我们的生产输出速度是那时的两倍。而且我们的良率也在更快提升。所以——正如我们之前所说，我们预计 HBM4 的良率会更快提升。我知道这是一款更复杂的产品，但我们确实说过，我们预计它会更快提升。
基于我们从 HBM3E 12-high 中获得的经验，我们也已经意识到了这一点。我们对我们的 HBM4 产品感到非常兴奋。它基于我们的 1-beta 平台，这一直是我们非常强劲的主力平台。它还采用了我们内部优化的 base die，两者结合起来给我们带来了非常出色的表现——我们认为这是一款非常优秀的产品。
Harlan SurJPMorgan Chase & Co, Research Division
我认为你在开场发言中确实提到过，本季度你所经历的更好前景、以及更强的需求表现，其中一部分是由 HBM 贡献的。这样说对吗？
Manish Bhatia 全球运营执行副总裁
我没有对整体前景给出任何具体说明。
Harlan SurJPMorgan Chase & Co, Research Division
对。我想你说的是更好的 HBM 和更好的整体 DRAM 产品组合，但这包括 HBM 和非 HBM。
Manish Bhatia 全球运营执行副总裁
我并没有特别针对这个季度来说，但总体而言，随着我们在 HBM 和数据中心 SSD 方面的提升，我们的产品组合在过去几年里已经有所改善。我认为我们的整体产品组合已经增强了。
Harlan Sur摩根大通公司，研究部
继续说 HBM，HBM4E 将是下一个拐点。它将在 2027 年日历年，基于你们下一代 1-gamma 工艺开始放量。重要的是，你们已经谈到 HBM4E 的定制化选项能够带来进一步的差异化机会，并与客户建立更深入的合作。基础逻辑 die 提供定制化，这意味着 GPU 和 XPU 客户必须在设计周期中提前 12 到 18 个月与 Micron 12 接触，进行 IP 共享、联合优化设计流程等等。那你们现在是否已经到了这样一个阶段：客户已经确定了他们的存储合作伙伴来执行基础 die 设计，因此也就确定了你们的 HBM4E 架构？如果是的话，你们客户设计赢单的广度如何？
Manish Bhatia全球运营执行副总裁
是的。因此，HBM4E 的开发正在稳步推进，我们预计它将在 2027 年开始放量。顺便说一下，第一个基于它放量的产品将是一个 JEDEC 零件，对吧？所以，那将是一个 JEDEC 标准零件，也就是首个开始放量的 HBM4E 零件。
Harlan Sur 摩根大通公司，研究部
所以你的意思是不支持定制吗？
Manish Bhatia 全球运营执行副总裁
不。实际上，第一个产品将是一个 JEDEC 标准器件。我们正在与客户合作进行定制，但第一个产品将是 JEDEC。你说得对，它将采用我们的 1-gamma DRAM，正如我之前提到的，我们对此非常有信心。到那时，它将成为一个非常出色的节点，能够支撑 HBM4E 将提供的高性能。而且我们也在使用 TSMC 作为逻辑 die。我们预计它将在 27 财年开始爬坡。
Harlan SurJPMorgan Chase & Co, 研究部
那样的话——你是否预计在基于 JEDEC 的基础裸片以及定制基础裸片上都使用台积电？还是说……
Manish Bhatia 全球运营执行副总裁
好的。是的，没错，基于JEDEC的部分也是如此。
Harlan Sur 摩根大通公司，研究部门
鉴于 HBM4E 的 base die 是按客户定制设计的，团队如何看待其潜在的利润率表现，相较于一种标准化的 base die 设计——也就是可在多个不同客户之间复用的那种设计——是怎样的？Micron 团队会如何为 HBM 定价——我知道第一个是符合 JEDEC 标准的。但在那之后，一旦开始走定制化路线，Micron 团队是否会对 HBM4E 按照每个客户的定制程度来定价？还是说团队会借助其他设计资源，比如像 Broadcom 或 Marvell 这类定制 ASIC 公司，或者其他一些在先进逻辑 SoC 的快速交付定制能力方面有过良好记录的公司？
Manish Bhatia全球运营执行副总裁
是的。而且我认为，你看到 HBM 受到关注、对不断提升性能的兴趣，以及对定制化的潜在需求，本质上都说明了这种性能对终端加速器公司及其客户有多么重要，对吧？实际上推动 AI 路线图的是他们。我认为这一点非常明显——你会看到它的价值只是在持续提升。而这真正源于复杂性——这种复杂性带来的就是工程上的复杂性，无论是在设计端、工艺端、核心工艺端，这些都绝对至关重要，无论是 1-beta、1-gamma，还是先进封装，对吧？
我认为 Micron 团队在 HBM3E 以及现在的 HBM4 上都做得非常出色，能够推动创新，并且在执行这些方面也有着经过验证的良好记录，无论是在设计创新方面，还是在核心 DRAM 的强大开发能力，以及新型先进封装方面，都能够把这些产品落地并创造价值。我认为定制化的潜力也是同样的、下一代的演进，而且还能提供更多价值。所以，当我们思考这条路径可能带来的结果时，我们认为最终——我们的客户会愿意为此买单。
Harlan Sur JPMorgan Chase & Co, 研究部
我们来谈谈你的闪存存储业务，对吧？尤其是数据中心 SSD，这一直是 Micron 在过去几年里实现显著份额提升的领域，对吧？你的数据中心 SSD 市占率从 2022 年的 5% 到 7%，在 2023 年提升到 10% 到 12%，去年年底达到 15%，对吧？所以份额和业绩都非常非常强劲。与此同时，对吧，我们正讨论 AI 计算工作负载正在出现推理拐点，对吧？突然之间，无论是 KV cache offload 之类的东西，对吧？企业级 SSD 的需求一下子变得非常非常强劲。
所以，再次说明，团队去年以15%的全球市场份额收官。你们现在已经是企业级SSD领域全球市场份额第三大的领导者。你们的9550 PCIe Gen5 SSD在市场上表现不错。你们率先推出了基于G9技术的Gen6 9650平台。实际上，那也是NVIDIA的STX参考平台的一部分。
你们一直都拥有很好的基础 NAND 工艺技术。但另一个重要的差异化因素是，正如我们所知，你还必须具备出色的控制器设计。更重要的是，你还必须拥有优秀的软件和固件栈。那么，团队是否预期——团队这些年来是如何获得这类能力的？更重要的是，团队是否预计未来还能继续提升市场份额？
Manish Bhatia 全球运营执行副总裁
是的。所以 Harlan，每年我来这里的时候，你总会问我这个问题，我很感激你多年来一直能够看到我们所取得的进展，而且你一直都会把它提出来、强调它，我确实非常感谢。你能为我们注意到这一点，因为过去十多年里，这一直是我们战略中有意为之的一部分：提升我们自身内部的 ASIC 能力、我们内部的固件开发能力，而且不仅仅是瞄准那种亦步亦趋的产品，而是在能力上追求领先。就像你提到的，PCIe Gen6 能够通过资格认证，并在 NVIDIA 的 STX 平台上率先完成资格认证。我认为，正如你所说，随着我们在其他所有领域都在不断提升份额，从 5% 到 10% 再到十几个百分点，这确实、确实体现了我们有意制定的战略、强大的工程执行力，以及 NAND 方面强有力的技术路线图和制造能力。
但我认为更有意思的是，你刚才提到的 NAND 现在意味着什么，以及高性能 SSD 对所有这些 AI 工作负载意味着什么，对吧？还有 agentic AI 的范式转变，你提到了 key value cache，对吧？这一切都指向更多的 agentic 工作负载，而 key value cache 的重要性其实就在于延展上下文窗口。上下文窗口每年增长 30 倍，对吧？让你感受一下这个增长幅度——而上下文窗口的增长关系到准确性，而准确性关系到价值，对吧？所以 NAND 不仅仅是能够存储由各种不同工作负载生成的更多数据，不管它们是什么。它还在于提升价值和提升学习速度，而这正在成为 AI 技术栈中越来越重要的一部分。
Harlan Sur JPMorgan Chase & Co, Research Division
随着推理工作负载不断演进，我们看到新的存储和内存层级不断涌现，对吧，我们也看到可能需要新的内存和存储架构，对吧？其中一种就是类似高带宽闪存的东西。我们听到越来越多关于高带宽闪存的讨论。但团队是否在探索像高带宽闪存这样的新架构？当你与云和超大规模客户合作、关注他们工作负载的演进时，你是否与客户保持非常紧密的合作？你如何看待这种演进的展开？
Manish Bhatia全球运营执行副总裁
是的，是的，所以高带宽闪存是一项有趣的技术。它有一些积极的特性，显然可以提供更大的容量，并利用先进封装，努力应对一些 AI 机遇；当然，NAND 单元本身与 DRAM 相比还是有一些局限性。因此，这些都是工程上需要逐步解决的问题。
但我认为这里更大的背景是，整个存储层级对创新都有需求，对吧？而且我认为这对每一个层级来说都是积极的。会有更多机会和创新。我认为，像 Micron 这样拥有强大产品组合、并且在研发执行以及理解各种不同类型存储方面都具备历史优势的公司，我们非常有能力在最终成为为 AI 技术栈贡献最大价值的趋势中占据领先地位。
Harlan Sur摩根大通公司，研究部
是的。说到这一点，你提到了 key value caching。而它的最初实现，我们已经看到了新的存储架构，对吧，比如 NVIDIA 的 STX 架构，你们也是其中的一部分。但我们也看到其他 hyperscaler 公司在利用这项新的 CXL 技术，对吧，利用内存扩展和内存池化技术，而不是依赖 SSD，而是更多地利用 DRAM。这样就能创建这些 DRAM 池，对吧？然后再利用 CXL controller 和池化技术，本质上存储大量这种 KV cache 的实现。
所以，在这方面你算是两头受益，对吧？无论你的客户选择——在这些更高的、像高容量的 KV cache offloading 能力上，看起来它已经演变成了：是的，我们可以用 DRAM offload acceleration 来做，或者我们也可以选择用 enterprise SSD 来做。但这算是你在行业里看到的那种创新吗？
Manish Bhatia全球运营执行副总裁
是的，绝对如此。我认为你看到的是，并不存在某一种标准工作负载，不同的云服务提供商有——而且不同的 transformer 公司也各自有他们正在努力应对的工作负载挑战。因此，他们会提出与其长期将要面对的工作负载相匹配的架构。你可以想象，围绕整个内存层级体系的上下都会出现创新。
再说一次，我认为鉴于我们广泛的技术组合，以及我们与所有这些客户之间的合作关系，我们将会处于非常有利的位置，对吧？我的意思是，Micron 现在在 DRAM 上已经连续 4 代处于领先地位，在 NAND 上也已经连续 3 代处于领先地位——处于领先，这使我们能够帮助与客户一起定义这些架构。我们不只是被动地跟在 JEDEC 规格后面。现在，在这些不同客户的每一种工作负载上，我们都在参与定义——与他们合作，帮助他们思考怎样才能优化他们的 tokenomics，怎样才能优化他们的最终应用，因为他们看到 AI 正在展开，无论是在训练阶段还是在推理阶段。因此，我认为最令人兴奋的部分在于，内存现在已经成为一种战略资产，能够帮助每个人优化那些——他们所驱动的——智能。这也是为什么从来没有比现在更适合身处内存行业的时机，也从来没有比现在更适合在 Micron 的时机。
Harlan SurJPMorgan Chase & Co, Research Division
鉴于 NAND 供应紧张，我认为团队也在与客户就 NAND 的 SCA 展开合作。你们是否已经在 NAND 和 SSD 上获得了任何 SCA？
Manish Bhatia 全球运营执行副总裁
是的。我们在 SCAs 方面正在取得有意义的进展，未来我们还会对此发表更多评论。
Harlan SurJPMorgan Chase & Co, 研究部
完美。嗯，Manish，我们时间差不多了。Samir，一如既往，我很感谢你的参与。2026年看起来又将是Micron团队一个增长非常强劲的年份。所以希望能够——希望继续关注团队在这方面的执行情况。非常感谢。
Manish Bhatia全球运营执行副总裁
谢谢，Harlan。
Samir Patodia 投资者关系官
谢谢，Harlan。
