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专题21带电粒子在组合场中运动模型(学生版)_04-物理-高考总复习_专项复习_2025年_2025年高考物理常见模型与方法强化练

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专题21 带电粒子在组合场中运动模型
磁场与磁场的组合模型(4-8 题).................................................................................................2
电场与磁场的组合模型(9-13 题)...............................................................................................5
带电粒子在组合场中运动的应用——质谱仪模型(14-17 题)................................................8
带电粒子在组合场中运动的应用——回旋加速器模型(18-20 题).......................................11
1.
(多选)(2023•海南)如图所示,质量为m,带电荷为+q 的点电荷,从原点以初速
度v0射入第一象限内的电磁场区域,在0<y<y0,0<x<x0(x0、y0为已知)区域内有竖直向
上的匀强电场,在x>x0 区域内有垂直纸面向里的匀强磁场,控制电场强度(E 值有多种可
能),可让粒子从NP 射入磁场后偏转打到接收器MN 上,则(  )
A.粒子从NP 中点射入磁场,电场强度满足E= y0m v0
2
q x0
2
B.粒子从NP 中点射入磁场时速度为v0√
x0
2+ y0
2
y0
2
C.粒子在磁场中做圆周运动的圆心到NM 的距离为m v0
qB
D.粒子在磁场中运动的圆周半径最大值是m v0
qB √
x0
2+ 4 y0
2
x0
2
2.
(2023•山东)如图所示,在0≤x≤2d,0≤y≤2d 的区域中,存在沿y 轴正方向、场强大
小为E 的匀强电场,电场的周围分布着垂直纸面向外的恒定匀强磁场。一个质量为m,电量为
q 的带正电粒子从OP 中点A 进入电场(不计粒子重力)。
(1)若粒子初速度为零,粒子从上边界垂直QN 第二次离开电场后,垂直NP 再次进入电场,
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求磁场的磁感应强度B 的大小;
(2)若改变电场强度大小,粒子以一定的初速度从A 点沿y 轴正方向第一次进入电场,离开电
场后从P 点第二次进入电场,在电场的作用下从Q 点离开。
(i)求改变后电场强度E'的大小和粒子的初速度v0;
(ⅱ)通过计算判断粒子能否从P 点第三次进入电场。
3.
(2023•全国)如图,在x>0、y>0 区域有方向垂直纸面向外的匀强磁场,在y<0 区
域有方向向左的匀强电场。一质量为m,电荷量为q(q>0)的粒子在点(0,l)以速度v0向
正右方发射。已知该粒子在点(2l,0)进入电场区域。运动一段时间后越过y 轴,粒子越过y
轴时的速度与它进入电场时的速度垂直,不计重力,求
(1)磁场的磁感应强度大小;
(2)电场强度大小;
(3)粒子越过y 轴时距抛出点(0,l)的距离。
磁场与磁场的组合模型(4-8 题)
4.
(2023 秋•桃城区校级月考)如图所示,边长为a=0.4m 正方形区域ABCD 内无磁场,
正方形中线PQ 将区域外左右两侧分成两个磁感应强度均为B=0.2T 的匀强磁场区域,PQ 右侧
磁场方向垂直于纸面向外,PQ 左侧磁场方向垂直于纸面向里。现将一质量为m=1×10
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﹣kg,
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电荷量为q=2×10
6
﹣C 的正粒子从AB 中点以某一速率垂直于AB 射入磁场,不计粒子的重力,
则关于粒子的运动,下列说法正确的是(  )
A.若粒子能垂直于BC 射入正方形区域内,则粒子的最大速度为12m/s
B.若粒子能垂直于BC 射入正方形区域内,则粒子的速度可能为10m/s
C.若粒子能垂直于BC 射入正方形区域内,则粒子的速度可能为8
3 m/ s
D.若粒子能垂直于BC 射入正方形区域内,则粒子的速度可能为2m/s
5.
(2023 秋•沙河口区校级期中)如图所示,直线MN 与水平方向成60°角,MN 的右上
方存在垂直纸面向外的匀强磁场,左下方存在垂直纸面向里的匀强磁场,两磁场的磁感应强度
大小均为B。一粒子源位于MN 上的a 点,能水平向右发射不同速率、质量为m(重力不计)、
电荷量为q(q>0)的同种粒子,所有粒子均能经过MN 上的b 点从左侧磁场进入右侧磁场,
已知ab=L,则粒子的速度可能是(  )
A.√3qBL
12m
B.√3qBL
9m
C.√3qBL
3m
D.√3qBL
m
6.
(2023 秋•朝阳区校级期中)如图所示,在匀强磁场中,磁感应强度B1=2B2,当不
计重力的带电粒子从B1磁场区域运动到B2磁场区域时,粒子的(  )
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A.速率将加倍
B.轨迹半径加倍
C.周期将不变
D.做圆周运动的角速度将加倍
7.
(2022 秋•香坊区校级期末)如图所示,两方向相反、磁感应强度大小均为B 的匀强
磁场被边长为L 的等边三角形AOC 分开,三角形内磁场方向垂直纸面向里,三角形顶点A 处
有一质子源,能沿∠OAC 的角平分线发射速度不同的质子(质子重力不计),所有质子均能
通过C 点,质子比荷q
m =k,则以下说法正确的是(  )
A.质子的速度可能为2
3 BkL
B.质子的速度可能为2
5 BkL
C.质子由A 到C 的时间可能为2π
3kB
D.质子由A 到C 的时间可能为π
4 kB
8.
(2023 春•新余期末)磁场可以对带电粒子的运动施加影响,只要设计适当的磁场,
就可以控制带电粒子进行诸如磁聚焦、磁扩散、磁偏转、磁约束与磁滞留等运动。利用电场和
磁场来控制带电粒子的运动,在现代科学实验和技术设备中有广泛的应用,如图所示,以O
点为圆心、半径为R 的圆形区域内有垂直纸面向外的匀强磁场,圆形区域外有垂直纸面向里的
匀强磁场,两个磁场的磁感应强度大小都是B。有一质量为m、所带正电荷电荷量为q 的带电
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粒子从P 点沿半径垂直磁场射入圆形区域,粒子两次穿越磁场边界后又回到P 点,不计粒子重
力,则(  )
A.粒子在磁场中做圆周运动的轨迹半径为R
B.粒子从P 点射入磁场的速度大小为√2qBR
m
C.粒子从P 点射出到第一次回到P 点所需的时间为7 πm
6qB
D.如果圆形区域外的磁场在一个以O 为圆心的圆环内,则该圆环的面积至少为(6+ 4√3)π R
2
电场与磁场的组合模型(9-13 题)
9.
(多选)(2023•沙坪坝区校级模拟)如图所示,水平放置的一对长和间距均为L 的
平行金属板M,N,金属板的中线P,Q 与磁场的左边界(虚线)的交点为Q。在金属板M,
N 的右边缘虚线a、b 右侧存在着大小未知,垂直纸面向里的匀强磁场。质子以初速度v0从P
点水平向右射入金属板中,恰好从极板边缘(未与极板接触)射出金属板,经过磁场后恰好打
到另一极板与磁场边界的交点处。已知质子的质量和电荷量分别为m、e,金属板间电场视为
匀强电场,不计质子的重力,下列说法正确的是(  )
A.金属板M、N 间的电压U = m v0
2
2e
B.金属板M、N 间的电压U = m v0
2
e
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C.匀强磁场的磁感应强度大小为2mv0
eL
D.匀强磁场的磁感应强度大小为√2m v0
eL
10. (多选)(2023•邯郸二模)“太空粒子探测器”是安装在国际空间站上的一种探测
宇宙射线的试验设备,由加速装置、偏转装置和收集装置三部分组成。其简化原理图如图所示,
两个同心扇形圆弧面PQ、MN 之间存在辐射状的加速电场,方向由内弧面指向外弧面,圆心
为O,两弧面间的电势差为U,右侧边长为L 的正方形边界abcd 内存在垂直纸面向里的匀强
磁场,其大小为B(可调节),O 点为ad 边界的中点,PO、QO 与ad 边界的夹角均为30°。假
设太空中质量为m、电荷量为e 的带负电粒子,均能均匀地吸附到外弧面PQ 的右侧面上,由
静止经电场加速后穿过内弧面均从O 点进入磁场,不计粒子重力、粒子间的作用力及碰撞,
下列说法正确的是(  )
A.粒子到达O 点时的速率v0=√
2eU
m
B.若从O 点垂直于ad 边界射入磁场的粒子恰能从c 点离开,则B = 5
4 L√
2mU
e
C.若沿PO 方向射入磁场的粒子恰好从d 点射出磁场,此时B = 1
L√
2mU
e
D.若要求外弧面PQ 上所有的粒子均从cd 边射出磁场,则B 值的取值范围为
(2+√3)
2 L √
2mU
e
<B<2
L√
2mU
e
11. (2023•昌平区模拟)如图所示,将某正粒子放射源置于原点O,其向各方向射出的
粒子速度大小均为v0,质量均为m,电荷量均为q。在0≤y≤d 的第一、二象限范围内分布着一
个匀强电场,方向与y 轴正方向相同,在d≤y≤2d 的第一、二象限范围内分布着一个匀强磁场,
方向垂直于xOy 平面向里。粒子离开电场上边缘时,能够到达的最右侧的位置为(2d,d)。
最终恰没有粒子从磁场上边界离开磁场。若只考虑每个粒子在电场中和磁场中各运动一次,不
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计粒子重力以及粒子间的相互作用。求:
(1)电场强度E;
(2)磁感应强度B;
(3)粒子在磁场中运动的最长时间。
12. (2023•株洲三模)如图所示,第一、二象限存在垂直于xOy 平面向里的磁感应强度
为B1(大小未知)的匀强磁场,第三象限存在沿y 轴正方向的匀强电场E,x 轴负方向与x 轴
重合存在一特殊的薄膜,带电粒子每次穿过薄膜时电荷量不变,但速度减为原来的a(a<1)
倍。现有一质量为m、电量为q 的带正电粒子从y 轴上A(0,L)处平行于x 轴负方向以速度
v0射入第二象限,粒子从x 轴负半轴上的C 点平行于y 轴负方向射出,不计粒子重力,带电粒
子可视为点电荷。
(1)求磁感应强度B1的大小;
(2)x 轴负方向C 处左边有一接收装置D(未画出),为了接收到该粒子,求D 的横坐标的可
能值xD以及D 离坐标原点O 的最远距离xDmax。
13. (2023•武昌区校级模拟)如图所示,在空间直角坐标系中,yOz 平面左侧存在沿z 轴
正方向的匀强磁场,右侧存在沿y 轴正方向的匀强磁场,左、右两侧磁场的磁感应强度大小相
等;yOz 平面右侧还有沿y 轴负方向的匀强电场。现从空间中坐标为(-√3d ,0,0)的M 点
发射一质量为m,电荷量为+q 的粒子,粒子的初速度大小为v0、方向沿xOy 平面,与x 轴正
方向的夹角为60°;经一段时间后粒子恰好垂直于y 轴进入yOz 平面右侧,轨迹上离yOz 平面
最远的点恰好落在xOz 平面上,不计粒子的重力。求:
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(1)在yOz 平面左侧匀强磁场的磁感应强度B;
(2)在yOz 平面右侧匀强电场的电场强度E;
(3)粒子第2 次经过yOz 平面时的位置坐标。
带电粒子在组合场中运动的应用——质谱仪模型(14-17 题)
14. (2023•姜堰区模拟)如图所示为一种质谱仪的示意图,由加速电场、静电分析器和
磁分析器组成。若静电分析器通道中心线的半径为R,通道内均匀辐射电场,在中心线处的电
场强度大小为E,磁分析器有范围足够大的有界匀强磁场,磁感应强度大小为B、方向垂直于
纸面向外。一质量为m、电荷量为q 的粒子从静止开始经加速电场加速后沿中心线通过静电分
析器,由P 点垂直边界进入磁分析器,最终打到胶片上的Q 点,不计粒子重力。下列说法不正
确的是(  )
A.极板M 比极板N 的电势高
B.加速电场的电压U= ER
2
C.PQ=2B√qmER
D.若一群粒子从静止开始经过题述过程都落在胶片上的同一点,则该群粒子具有相同的比荷
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15. (2023•福州模拟)如图所示为一种质谱仪的示意图,该质谱仪由速度选择器、静电
分析器和磁分析器组成。若速度选择器中电场强度大小为E1,磁感应强度大小为B1、方向垂
直纸面向里,静电分析器通道中心线为1
4
圆弧,圆弧的半径(OP)为R,通道内有均匀辐射的
电场,在中心线处的电场强度大小为E,磁分析器中有范围足够大的有界匀强磁场,磁感应强
度大小为B、方向垂直于纸面向外。一带电粒子以速度v 沿直线经过速度选择器后沿中心线通
过静电分析器,由P 点垂直边界进入磁分析器,最终打到胶片上的Q 点,不计粒子重力。下列
说法正确的是(  )
A.速度选择器的极板P1的电势比极板P2的低
B.粒子的速度v = B1
E1
C.粒子的比荷为
E1
2
ER B1
2
D.P、Q 两点间的距离为2 ER B1
2
E1
2B
16. (多选)(2023•岳麓区校级模拟)半导体芯片制造中,常通过离子注入进行掺杂来
改变材料的导电性能。如图是离子注入的工作原理示意图,离子经电场加速后沿水平方向进入
速度选择器,通过速度选择器的离子经过磁分析器和偏转系统,注入水平面内的晶圆(硅片)。
速度选择器中的电场强度的大小为E、方向竖直向上。速度选择器、磁分析器中的磁感应强度
方向均垂直纸面向外,大小分别为B1、B2。偏转系统根据需要加合适的电场或者磁场。磁分
析器截面的内外半径分别为R1和R2,入口端面竖直,出口端面水平,两端中心位置M 和N 处
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各有一个小孔。偏转系统下边缘与晶圆所在水平面平行,当偏转系统不加电场及磁场时,离子
恰好竖直注入到晶圆上的O 点(即图中坐标原点)。整个系统置于真空中,不计离子重力及
其进入加速电场的初速度。下列说法正确的是(  )
A.可以利用此系统给晶圆同时注入带正电离子和带负电的离子
B.从磁分析器下端孔N 离开的离子,其比荷为
2 E
B1B2( R1+ R2)
C.如果偏转系统只加沿x 轴正方向的磁场,则离子会注入到y 轴正方向的晶圆上
D.只增大加速电场的电压,可使同种离子注入到晶圆更深处
17. (多选)(2023•河南模拟)如图所示为一种质谱仪的工作原理示意图,此质谱仪由
以下几部分构成:离子源、加速电场、静电分析器、磁分析器、收集器。静电分析器通道中心
线MN 所在圆的半径为R,通道内有均匀辐射的电场,中心线处的电场强度大小为E;磁分析
器中分布着方向垂直于纸面,磁感应强度为B 的匀强磁场,磁分析器的左边界与静电分析器的
右边界平行。由离子源发出一个质量为m、电荷量为q 的离子(初速度为零,重力不计),经
加速电场加速后进入静电分析器,沿中心线MN 做匀速圆周运动,而后由P 点进入磁分析器中,
最终经过Q 点进入收集器(进入收集器时速度方向与O2P 平行)。下列说法正确的是
(  )
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A.离子带负电
B.加速电场中的加速电压U= 1
2
ER
C.磁分析器中轨迹圆心O2到Q 点的距离d= 1
B√
qER
m
D.能进入收集器的离子,一定具有相同的比荷
带电粒子在组合场中运动的应用——回旋加速器模型(18-20
题)
18. (2023•南平模拟)回旋加速器工作原理如图所示,置于真空中的两个半圆形金属盒
半径为R,两盒间留有一狭缝接有频率为f 的高频交流电,加速电压为U,磁感应强度为B 的
匀强磁场与盒面垂直。若A 处粒子源产生的氘核( 1
2H)在狭缝中被加速,不考虑相对论效应
和重力的影响,不计粒子在电场中的加速时间。则(  )
A.氘核离开回旋加速器时的最大速率随加速电压U 增大而增大
B.氘核被加速后的最大速度可能超过2πRf
C.氘核第n 次和第n
1
﹣次经过两金属盒间狭缝后的轨道半径之比为n:(n
1
﹣)
D.不改变磁感应强度B 和交流电频率f,该回旋加速器也能加速α 粒子
19. (多选)(2023•道里区校级一模)实验中,将离子束从回旋加速器中引出的方法有
磁屏蔽通道法和静电偏转法等。使用磁屏蔽通道法引出离子的原理如图所示。离子从P 点进入
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通道时,由于引出通道内的磁场强度发生改变,离子运动轨迹半径增大,可使离子引出加速器。
已知回旋加速器D 型盒的半径为R,圆心在O 点,D 型盒区域中磁场垂直纸面向里,磁感应强
度为B,引出通道外侧末端Q 点到O 点距离为L,OQ 与OP 的夹角为θ,离子带电为q,质量
为m,则(  )
A.离子在加速器中所能获得的最大速率v = qBR
m
B.若离子加速至最大速率后能从加速器中引出,引出通道中的磁感应强度B1范围
2( R
2- RLcosθ)
L
2+ R
2-2 LRcosθ
B≤B1<B
C.若引出通道中磁场为B2时,该离子能引出加速器,则此时将一带电量2q,质量为m 的离子
一定不能从加速器中引出
D.若撤去引出通道内的磁场,改为沿径向方向向里的电场,则离子仍有可能引出加速器
20. (2023•三明模拟)如图甲,某回旋加速器的两个D 形盒,半径为R,放在磁感应强
度为B 的匀强磁场中,磁场方向与D 形盒底面垂直,位于圆心O 处的质子源P 能不断产生质
子,质子飘入狭缝间的高频交变电场时初速度不计。完成加速后,需要把质子束从加速器中引
出,使用磁屏蔽通道法设计引出器。引出器原理如图乙所示,一对圆弧形金属板组成弧形引出
通道,通道的圆心位于O'点(O'点图中未画出)。引出质子时,令引出通道内磁场的磁感应强
度降低,从而使质子从M 点进入通道,沿通道中心线从N 点射出。已知ON 长度为L。ON 与
OM 的夹角为θ,质子质量为m,电荷量为q。求:
(1)高频交变电压的频率f;
(2)质子被加速后获得最大速度v;
(3)通道内匀强磁场的磁感应强度B'大小。
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