一、财务业绩表现与盈利能力分析

2025年，澜起科技受益于AI产业需求旺盛，多项财务指标创历史新高。营业收入达54.56亿元，同比增长49.9%，其中互联类芯片销售收入51.39亿元，同比增长53.4%。规模净利润22.36亿元，同比增长58.4%；剔除4.3亿元股份支付费用后，调整后净利润26.47亿元，同比增长81%，更直观反映主营业务盈利能力。

盈利能力持续提升，整体毛利率62.2%，同比提升4.1个百分点；互联类芯片毛利率65.6%，同比提升2.9个百分点，其中第四季度达67.82%。净利润率41%，同比提升2.2个百分点。毛利率提升主要因高毛利新产品（如DDR5新世代产品、MRCD MDD芯片等）占比上升。

经营质量稳健，2025年经营活动现金流净额20.22亿元，连续四年增长；年末总资产137.5亿元，净资产129.2亿元，资产结构健康。

二、核心产品进展与市场竞争力

（一）内存互联芯片

1. DDR5 RCD芯片
   
   ：受益于AI驱动的服务器需求及DDR5渗透率提升，第四子代RCD芯片已规模出货，第三子代销售收入于2025年下半年超过第二子代，子代商业化进程行业领先。
2. MRCD MDD芯片
   
   ：作为服务器高带宽内存模组核心器件，第二代产品支持速率12800 MT/s（较第一代提升45%），2025年第四季度出货量显著提升，公司为全球唯二可提供DDR5第一代MRCD MDD芯片的供应商。
3. CKD芯片
   
   ：PC端内存模组关键器件，新一代产品支持速率9200 MT/s，2025年行业渗透率及出货量快速增长，为下一代高性能PC提供技术支撑。

（二）PCIe与CXL互联芯片

1. PCIe retimer芯片
   
   ：AI服务器核心组件（典型AI服务器需8-16颗，部分国产机型配置24颗），公司为全球主要PCIe 5.0 retimer供应商之一，2025年市场拓展成效显著；基于自研SerDes技术，2025年1月推出P36fix3芯片并送样，2026年1月发布AEC解决方案。
2. PCIe switch芯片
   
   ：AI服务器核心互联组件，依托SerDes技术储备及客户资源，目前稳步推进工程研发。
3. CXL MXC芯片
   
   ：用于内存扩展与池化，2025年1月入选首批CXL 2.0合格供应商，9月推出CXL 3.1版本并向主要客户送样，已有多家服务器厂商基于其芯片推出CXL内存扩展方案。

三、研发投入与技术创新成果

2025年研发费用9.15亿元，同比增长19.9%，占营业收入16.8%；研发技术人员583人，占员工总数74.4%，其中硕士及以上学历占比64%。全年新增36项授权发明专利、24项集成电路布图设计证书，累计知识产权超300项。

关键研发成果包括：

• 内存互联领域：量产DDR5第四子代RCD芯片，完成第五子代RCD、第二代MRCD MDD、新一代CKD芯片研发；
• PCIe/CXL领域：推进PCIe 6.0 retimer芯片量产研发并应用于AEC解决方案，完成CXL 2.0 MXC芯片量产及CXL 3.1芯片送样；
• 底层技术：自研SerDes技术支撑产品迭代，完成首批时钟缓冲芯片及展频震荡器工程研发。

四、利润分配政策与股东回报机制

2025年中期已派发现金股利2.27亿元，年度分红预案为每10股派息3.9元，预计派息4.72亿元。全年实施两期股份回购：第一期2亿元已完成，第二期2-4亿元（截至2025年末已回购2.2亿元，持续进行中）。2025年分红及回购合计11.19亿元，占归母净利润50.1%。

自2019年A股上市至2025年末，累计分红23.67亿元，累计回购14.3亿元，连续四年将市值纳入高管绩效考核体系。

五、国际化战略布局与资本运作进展

2026年2月，公司在香港联交所主板挂牌上市，搭建A+H股双资本平台。H股全球发售获国际投资者积极认购，基石投资者包括顶级国际长线机构及科技专项基金，认购比例占发行基础规模50%；国际配售订单超500条、金额超300亿美元，覆盖倍数超60倍，体现全球资本市场对其投资价值的认可。

六、发展战略与未来规划

（一）战略定位

聚焦AI基础设施“运力”（多层次互联通信能力），目标从内存互联芯片全球领导者迈向国际领先的全互联芯片设计公司。

（二）四大战略方向

1. 产品战略
   
   ：内存互联领域巩固领先地位，推进DDR5子代迭代；PCIe/CXL领域加速retimer、MXC芯片客户导入，推进switch芯片研发；以太网/光互联领域通过自研、合作或并购布局。
2. 人才战略
   
   ：持续吸纳高水平研发与管理人才，研发人员占比超70%。
3. 技术与标准引领
   
   ：参与JEDEC、TCICIG 6联盟等行业组织，主导DDR5国际标准制定，推动前沿技术商业化。
4. 投资并购
   
   ：探寻外延发展机会，提升综合竞争力。

（三）2026年重点工作

• 内存互联
  
  ：提升DDR5第三/四代RCD出货规模，推动MRCD MDD、CKD芯片渗透；
• PCIe/CXL
  
  ：深化与云计算服务商、服务器厂商合作，加快新一代retimer、MXC芯片导入；
• 技术研发
  
  ：完成DDR5第六子代RCD、第三代MRCD MDD工程研发，启动DDR6第一代产品研发；推进PCIe 6.0 retimer量产、PCIe 7.0 retimer及switch芯片流片；完成高速以太网交换retimer芯片工程样片流片；
• 人才与ESG
  
  ：依托双资本平台吸引海内外人才，深化ESG管理。

七、关键问题回应

1. 存储周期与AI影响
   
   ：AI驱动存储行业进入“super cycle”，AI服务器内存模组需求增加（典型机型超20条），DDR5子代迭代加速（周期缩短至1-1.5年），带动RCD、MRCD MDD芯片需求增长。
2. MRCD渗透率
   
   ：第二代产品支持英特尔、AMD及CSP ASIC平台，未来2-3年将从规模应用起步进入快速成长期，2026年计划完成千兆级MRD芯片工程研发。
3. CKD芯片前景
   
   ：随DDR5速率提升（6400 MT/s及以上需CKD）及AI PC普及，2025年出货进入爬坡阶段，第二代产品支持9200 MT/s，有望持续增长。
4. 研发费用增长
   
   ：主要因研发团队扩大（人员薪酬增加）及在研项目推进（工程流片、测试验证投入上升），2026年预计保持合理增长。
5. DDR6进展
   
   ：JEDEC已启动标准讨论，公司计划2026年启动DDR6第一代产品工程研发，延续技术领先优势。
6. PCIe技术壁垒
   
   ：自研SerDes技术支撑低延迟、低功耗优化，PCIe 6.0 retimer已送样，switch芯片计划2026年流片，竞争优势显著。
7. CXL生态起量
   
   ：内存池化功能满足AI推理需求，随着英特尔、AMD等平台支持，行业拐点临近，公司作为早期参与者有望占据重要份额。
8. 晶圆供应
   
   ：与Foundry长期合作，提前布局需求预测，供应链稳定，可满足客户需求。
9. H股上市机遇
   
   ：助力吸引海外人才、优化估值，募集资金投向研发、战略投资及全球化布局。

Q&A

Q1: 公司对本轮存储周期的看法以及AI agent的快速发展对内存互联芯片的影响如何？

存储行业当前处于由AI驱动的超级周期（super cycle），各类产品需求旺盛。AI agent的快速发展对内存互联芯片的影响主要体现在两方面：一是AI服务器对内存模组需求增加，典型AI服务器需超过20条内存模组，较普通服务器数量显著提升；二是AI对数据吞吐量的高要求推动内存带宽需求增长，DDR5子代迭代周期缩短至1-1.5年，公司保持每年推出一代的节奏，2025年DDR5第三代子代收入已超过第二代，第四代开始出货，产品ASP（平均售价）有望提升。此外，MRD（高带宽内存模组）因带宽优势（如第二代MRD速度达12.8G每秒，较DDR5第三代子代快一倍）需求增加，2025年第四季度MRCD MDD芯片出货量显著提升，为后续规模放量奠定基础。

Q2: 未来几年MCD渗透率的趋势如何？

MCD（MRCD MDD芯片）渗透率未来2-3年将从规模应用起步阶段进入快速成长期。第一代MCD因仅支持英特尔平台，市场接受度有限；第二代MCD支持英特尔、AMD及各CSP（云服务提供商）的ASIC平台，应用场景扩展。AI是主要驱动力，MRD第二代速度达12.8G每秒，较当前主流DDR5第三代子代（6.4G每秒）提升一倍，可突破内存瓶颈，行业正定义千兆级MRD（速度16G及以上），公司计划2026年完成千兆级MRD芯片工程研发。AI agent等应用推动对高带宽内存的需求，预计MCD市场规模将持续增长。

Q3: CKD芯片2025年出货情况及2026年及未来渗透率趋势如何？

CKD芯片于2024年进入市场并开始规模试用，2025年随DDR5渗透率提升出货量快速增长，目前处于爬坡阶段。DDR5速率达到6.4G每秒及以上时需采用CKD芯片，AI PC普及及DDR5第三、第四代子代应用将推动CKD需求增长。公司作为CKD芯片标准制定牵头者及第一代产品首发者，已推出支持9.2G每秒的第二代产品，有望在DDR5 6.4G每秒及以上速率的生态中实现良好回报，未来几年渗透率将持续提升。

Q4: 2025年研发费用增长的主要原因是什么？2026年研发费用投入方向和展望趋势如何？

2025年研发费用增长至9.15亿元（同比增长19.9%），主要原因包括：一是研发团队规模扩大，人员薪酬增加；二是多款在研产品推进，工程流片和测试验证投入增加。2026年研发费用预计保持合理增长，公司将依据项目技术阶段、市场前景和风险动态评估优先等级，合理配置研发资源，重点投向内存互联、PCIe/CXL互联、以太网互联等领域的核心技术研发及产品迭代。

Q5: DDR6在行业标准和研发进度方面有哪些信息可以分享？

DDR5第六代子代研发正在进行中，计划2026年完成工程研发。DDR6标准在JEDEC组织内已讨论一年多，明确趋势为需配置数量更多、设计更复杂的连接芯片。公司正积极参与DDR6技术标准制定，计划2026年启动DDR6第一代内存互联产品的工程研发，以保持行业领先地位。

Q6: 公司PCIe 6.0 retimer和PCIe switch芯片的进展如何？PCIe业务的技术优势、竞争壁垒及市场份额目标是什么？

PCIe 6.0 retimer芯片于2025年向客户送样并推进design-in工作，计划2027年量产，基于该芯片的AEC解决方案已发布；PCIe switch芯片研发顺利，计划2026年完成工程样片流片。技术优势和竞争壁垒在于自研SerDes技术，可优化延迟、功耗及信号链数据监控，支持客户避免系统瘫痪风险，较依赖IP授权的厂商更具灵活性和竞争力。国内初创企业布局构成竞争，但公司凭借技术积累、市场渠道及客户服务能力，有望在国内外市场占据一定份额，目标是在高速互联领域持续提升市场地位。

Q7: 公司SerDes技术未来的迭代计划及应用产品展望如何？

SerDes技术是公司核心技术，未来将持续迭代：2026年计划完成128G每秒SerDes的工程样片优化，后续将向200G、224G及以上速率推进。该技术不仅应用于PCIe retimer和switch芯片，还将拓展至510G、112G等产品及以太网互联领域。自研SerDes技术可实现黑盒开放化，提供信号链运行数据以预判问题，优化延迟和功耗，为switch芯片研发奠定基础，是公司开拓未来产品的根本。

Q8: 公司如何预计2026年整体毛利率水平？

2025年公司整体毛利率为62.2%，互联类芯片毛利率65.6%，第四季度互联类芯片毛利率达67.8%。2026年，随着产品持续迭代及高端新产品（如DDR5高子代RCD、MRCD MDD、CKD等）的推出，互联类芯片产品结构将进一步优化，综合毛利率有望保持在较高水平。

Q9: 公司如何看待服务器厂商推动CXL架构的趋势？行业CXL生态预计何时起量？澜起在CXL领域的竞争优势是什么？

公司高度重视CXL技术，2022年首发第一代产品，2023年进入CXL合规供应商清单，目前已推出第三代产品。行业CXL生态拐点预计临近，随着英特尔、AMD、NVIDIA等平台支持内存池化功能，CXL将满足AI推理场景对海量数据、低延迟内存的需求。澜起的竞争优势在于：作为早期进入者，与内存大厂及CSP客户合作深入，产品已用于客户应用场景实验调配，在生态成熟时有望获得应有市场份额。

Q10: 公司在以太网和光互联领域的布局规划如何？

以太网和光互联是公司互联类产品扩充的重要方向，将基于自研SerDes技术推进布局。以太网retimer芯片研发已启动，计划2026年完成工程样片流片。公司将通过自研、合作或投资并购等多种方式拓展该领域，依托现有CSP客户渠道，满足其对高速互联的需求，提升单客户收入贡献。

Q11: 公司在晶圆端是否面临紧缺情况及价格上涨压力？能否顺利传导成本压力？

公司与Foundry厂商（如中芯国际）保持长期合作，通过提前做好需求预测和供应链布局，目前晶圆供应稳定，能满足客户需求。尽管行业整体产能周期拉长，但公司因提前规划，未面临显著紧缺或价格上涨压力，供应链管理有效。

Q12: 港股上市后，公司在人才引进和对外投资方面是否会有更多机会？

H股上市为公司带来多方面机遇：一是构建A+H双融资平台，有助于吸引海外顶尖人才，深化全球市场布局，提升国际品牌影响力；二是募集资金支持核心技术研发（如内存互联、PCIe 6互联、SerDes技术）及以太网互联等新领域拓展；三是资金可用于战略投资或收购，快速获取新技术、进入新市场、整合产业资源。公司将借助国际资本市场力量，加速技术优势巩固和全球业务拓展，把握人工智能时代机遇。