CIOE观察:AI算力催生光互连刚需 老鹰半导体双材料体系补齐全维度芯片能力

AI算力互连释放海量高速光芯片需求

当下AI大模型与超算集群高速发展，彻底重塑了数据中心光互连架构，高密度、超高速、低功耗成为行业硬性需求，直接带动上游光芯片产业迎来黄金增长期。据LightCounting最新调研数据，全球光芯片市场规模将从2025年的40亿美元攀升至2031年的150亿美元，六年内实现近四倍增长；2026年全球以太网光模块市场同比增速预计达65%，AI算力场景成为核心增长引擎。Cignal AI数据同样印证行业热度，2026年第一季度全球数通光器件营收创下77亿美元历史新高，同比实现翻倍增长，1.6T高速光模块正加速落地部署，进一步拉升高端光芯片的市场缺口。

Yole Group分析指出，AI数据中心光互连升级迭代，让高速PD芯片、DFB激光器等核心光芯片长期处于供不应求状态。汪德鹏认为，目前高端高速光芯片仍存在一定国产化短板，海外厂商占据部分高端市场份额，行业整体呈现“下游需求井喷、上游国产供给不足”的格局，这也为国内具备核心技术自研能力的光芯片企业，创造了广阔的替代空间与发展机遇。

立足行业刚需与国产替代浪潮，老鹰半导体在本届CIOE展会完成重磅产品迭代与体系升级，首次完整亮相全新PD及CW DFB产品线，标志着企业正式补齐InP材料体系核心产品，与原有GaAs VCSEL体系形成完美互补，成功构筑GaAs+InP双材料体系全场景光芯片布局，覆盖短距到中长距全维度光互连场景。

InP产品加速迭代：单波300G PD及高功率CW Laser重磅亮相

令人印象深刻的是展会首日，老鹰半导体首发单波300G InP PIN PD芯片，与Keysight联合完成实时Live Demo测试，实测f3dB带宽突破59GHz，可充分满足单波300G PAM4信号接收需求，为1.6T及以上高速光模块提供充足带宽裕量。汪德鹏表示，该芯片同时实现三大核心性能突破，暗电流低于1nA，大幅降低接收端噪声、提升系统灵敏度；光电转换效率可达~0.7A/W，在超高速率下保持优异稳定性，能够有效帮助AI数据中心降低系统功耗、缩减设备空间占用、提升链路可靠性，是下一代高密度光互连的核心接收端解决方案。

除此之外，公司全新亮相的CW DFB激光器系列，涵盖70mW、100mW等多款型号，适配中长距光传输场景；自主研发的NPO VCSEL Array阵列产品，依托成熟GaAs技术平台，实现高密度、多通道并行传输，适配NPO/LPO近封装光学方案，为芯片级高密度光互连提供优质发射端方案，补齐了企业在高端集成化光芯片领域的短板。

双材料体系的完整落地，是老鹰半导体深耕光芯片赛道多年的成果。在GaAs VCSEL赛道，企业早已实现技术突破与规模化量产，2024年率先量产单波100G VCSEL芯片，打破海外企业三年市场垄断；2025年单波200G VCSEL芯片研发提速，跻身国际一线厂商行列，50G、100G高速产品持续批量供货全球头部光模块企业。随着InP系列PD、DFB产品正式落地，企业彻底打通短距、中长距光互连全场景，形成发射、接收完整闭环，成为国内少数具备双材料体系自研量产能力的光芯片厂商。

完成砷化镓与磷化铟双材料体系 适配AI光互连全场景需求

ICC讯石认为，单一材料体系已无法有效适配AI光互连的多元化、全场景需求。GaAs（砷化镓）材料适配短距高速VCSEL光互连场景，是数据中心短距互联的核心方案；InP（磷化铟）材料则在中长距高速光传输、高速PD与DFB芯片领域具备不可替代的优势。老鹰半导体的发展路径，精准验证了行业核心趋势：双材料体系布局是光芯片厂商突破技术壁垒、覆盖全场景需求、提升核心竞争力的关键。

汪德鹏补充到，相较于单一赛道企业，双材料布局能够让厂商灵活适配不同速率、不同传输距离的光互连需求，深度匹配AI算力集群的多样化架构升级，同时有效规避单一赛道技术迭代风险，筑牢产品矩阵壁垒。在国产替代加速、AI需求持续爆发的双重红利下，老鹰半导体凭借技术自研、产品全覆盖、批量供货的核心优势，持续填补国内高端光芯片市场缺口，为全球光通信产业链自主可控注入强劲动能。

伴随1.6T光模块规模化部署、NPO封装技术持续落地，高速光芯片的市场需求将持续走高。未来，老鹰半导体将持续深耕GaAs与InP双技术赛道，聚焦AI光互连与物理AI两大核心方向，以持续的芯片级技术创新，助力全球数据中心光互连产业向高速化、高密度、低功耗方向迭代，持续领跑国产高端光芯片替代浪潮。