乐于分享
好东西不私藏

磷化铟:AI算力时代的"光子血脉" 一场70%供需缺口引发的涨价风暴

磷化铟:AI算力时代的"光子血脉" 一场70%供需缺口引发的涨价风暴

2026年6月13日,台湾全新光电的一纸涨价公告,揭开了AI算力世界最隐秘的一道裂缝。

不是GPU,不是光模块,而是一块指甲盖大小的磷化铟晶片——从 millimeters 到 inches,它藏在光模块最核心的激光器芯片底部,你看不见它,但每一次大模型训练的数据流穿过光纤时,都必须经过它。

全新光电宣布:普通InP衬底涨15%-20%,高端EML外延片涨30%-40%。这不是偶发事件,而是结构性短缺的第一声枪响。

因为真正令人窒息的数字是:

全球需求:260-300万片/年有效产能:60-75万片/年供需缺口:超过70%

订单积压排至2028年。MOCVD设备交期18个月。扩产一道工序,需要24个月。

这不是周期,是锁喉。

一、什么是磷化铟?为什么AI算力离不开它?

磷化铟(InP)是一种III-V族化合物半导体,外行人听起来陌生,但它的下游应用,几乎覆盖了AI算力世界的每一条光通道。

简单说:没有InP,就没有高速光模块;没有高速光模块,就没有大模型训练所需的GPU集群间互联。

这不是夸大其词。无论技术路线如何演进——传统可插拔光模块、CPO共封装光学、还是"听起来更性感"的硅光子——磷化铟都是不可替代的光源衬底。硅光子的"外置增益芯片"方案,甚至需要更多InP。

应用场景
磷化铟的作用
关键性
800G光模块
EML激光器芯片衬底
⭐⭐⭐⭐⭐ 必需
1.6T光模块
每模块需8-16颗InP激光器
⭐⭐⭐⭐⭐ 用量翻倍
CPO共封装
光引擎OE核心光源衬底
⭐⭐⭐⭐⭐ 刚需
硅光子方案
InP增益芯片(外置光源)
⭐⭐⭐⭐ 互补而非替代
卫星激光通信
空间光通信激光器衬底
⭐⭐⭐ 新兴增量

关键结论:无论光模块技术路线如何演进(传统可插拔 vs CPO vs 硅光子),磷化铟都是不可替代的光源材料。硅光子只是把InP从"内置"变成"外置",总需求量反而更大。

二、涨价全景:从800美元到2300美元,涨幅190%

磷化铟衬底的涨价,不是"预期",而是正在发生的事实。

产品规格
2025年初价格
2026年6月价格
涨幅
2英寸 InP 衬底
约 $800/片
$2,300-2,500/片
+190%
6英寸 InP 衬底
约 $1,400/片
$5,000+/片
+250%
高端 EML 外延片
—
涨价30%-40%(6月13日官宣)
+40%
MOCVD设备交期
约 6-9 个月
18个月
交期翻倍

📊 数据来源:国盛证券2026年6月13日研报、野村证券、Lumentum官方指引、集邦咨询(TrendForce)

更严峻的是:头部企业订单积压已排至2028年。AXT子公司北京通美披露:当前InP衬底订单积压已超1亿美元。

三、供需缺口70%:为什么扩产这么难?

磷化铟的供需失衡,不是简单的"需求增长太快"。

根本原因是:这个市场长期被少数几家技术寡头垄断,扩产需要跨越三重高墙——而每一重墙的翻越,都需要数年时间。

壁垒类型
具体制约
影响
🔬 技术壁垒
InP晶体生长极度困难,大尺寸(6英寸)良率极低;全球仅5家企业掌握2英寸以上制备技术
新进入者技术突破需3-5年
⏱️ 设备壁垒
MOCVD设备交期18个月;衬底抛光、外延设备均依赖少数供应商
即使有资金,设备到位也需2年
💰 原料壁垒
铟(Indium)为稀散金属,全球储量有限;锗、铟价格波动直接传导至衬底成本
原料高价制约扩产积极性

需求侧则是另一番景象:

需求驱动
2026年
2027-2028年
800G光模块
规模化部署(每模块4-8颗InP激光器)
持续放量
1.6T光模块
开始量产(每模块8-16颗,为800G的4倍InP用量)
爆发式增长
CPO光引擎
NVL576架构下GPU:OE=1:6
2028年OE需求超6000万颗
数据中心内部互联
AI算力集群Scale-out需求
持续倍增

核心结论:2026-2027年,磷化铟供需缺口将持续扩大,价格高位运行是确定性事件。扩产周期18-24个月,意味着短期内供给弹性几乎为零,价格只会更高,不会更低。

四、产业链传导路径:从衬底到光模块的全景图

磷化铟的产业链条非常清晰,每一层的价值量都在涨价中重估:

产业链环节
核心内容
A股核心标的
🔺 上游:铟原料
稀散金属,伴生于铅锌矿;中国产量占全球50%+
驰宏锌锗(600497)锌业股份(000751)
🔺 上游:InP衬底
技术壁垒最高,全球CR3超80%;国产替代空间最大
云南锗业(002428) ★北京通美(AXT子公司,拟A股上市)
⚙️ 中游:光芯片
EML/DFB激光器芯片;InP衬底上进行外延生长
光迅科技(002281)源杰科技(688498)长光华芯(688048)
⚙️ 中游:光器件
将光芯片封装为可销售器件;受衬底涨价传导
太辰光(300570)光库科技(688163)天孚通信(300394)
🔻 下游:光模块/CPO
最终产品;InP成本占比提升,龙头有向下游转嫁能力
中际旭创(300308)新易盛(300502)华工科技(000988)

💡 投资逻辑优先级:上游衬底(云南锗业)> 中游光芯片(源杰/光迅)> 下游光模块(中际旭创/新易盛)。上游弹性最大、竞争格局最好、国产替代空间最明确。

五、核心标的深度梳理

▶ 云南锗业(002428)—— InP衬底国产替代龙头

维度
详细内容
核心逻辑
全球第三家掌握大尺寸InP衬底制备技术;国内唯一能量产2-6英寸InP衬底的企业;直接受益于InP涨价+国产替代双重催化
产能规划
现有InP衬底产能持续爬坡;2026年扩产项目有望落地;当前订单饱满
业绩弹性
InP衬底价格涨190%,公司毛利率有望大幅改善;2026年业绩反转确定性强
风险提示
2025年业绩仍疲弱;股价年内已大幅上涨,短期波动风险;扩产进度不及预期

▶ 光迅科技(002281)—— 光芯片+光模块垂直一体化

维度
详细内容
核心逻辑
国内少数具备InP光芯片自研能力的厂商;EML/DFB芯片自给率持续提升;下游800G/1.6T光模块直接受益
产业链地位
上游InP衬底涨价对其成本有一定压力,但芯片自给赋予更强议价能力
催化因素
1.6T光模块量产节奏加快;国产AI大模型企业算力采购加速

▶ 源杰科技(688498)—— InP光芯片"隐形冠军"

维度
详细内容
核心逻辑
专注InP基光芯片,25G/50G/100G EML芯片已量产;直接受益于高速光模块需求爆发
成长性
1.6T光模块对EML芯片需求倍增,公司产能扩张与需求高度匹配

▶ 中际旭创(300308)—— 光模块全球龙头,InP涨价传导终端

维度
详细内容
核心逻辑
全球光模块市占率第一;800G量产、1.6T率先出货;InP衬底涨价的成本压力可向下游转嫁
市值里程碑
2026年6月市值首超贵州茅台,达1.52万亿元,跻身A股市值前十
关注点
1.6T出货节奏、英伟达NVL576架构配套订单、CPO技术路线进展

六、风险提示 & 关键变量

⚠️ 风险提示1. 扩产超预期:AXT(北京通美)2026年底产能翻倍、2027年再翻倍,若其他厂商同步快速扩产,供需缺口可能提前收窄。2. 技术替代:硅光子+外置InP增益芯片的方案长期来看并未减少InP需求,但市场可能存在"硅光子替代InP"的误解性预期,影响短期估值。3. 下游需求不及预期:若全球AI资本开支增速放缓,光模块需求下调将反向传导至InP衬底。4. 原料价格波动:铟价大幅波动将影响衬底企业成本端,利润弹性存在不确定性。5. 估值高位风险:云南锗业等核心标的年内涨幅较大,短期回调风险需警惕。

关键跟踪变量(建议持续关注)

跟踪指标
数据来源
意义
InP衬底月度价格
台湾全新光电等厂商涨价公告
直接反映供需紧张程度
800G/1.6T光模块出货量
LightCounting、Coherent财报
需求端核心验证指标
云南锗业/北京通美扩产进度
公司公告、调研纪要
供给侧最核心变量
MOCVD设备订单/交期
设备厂商(AIXTRON等)财报
领先指标,反映扩产意愿
英伟达NVL576架构订单
英伟达财报、产业链验证
CPO需求最核心驱动

七、结语:光子血脉,才刚刚开始

磷化铟的涨价,不是一轮普通的周期品波动,而是AI算力基础设施向上游材料层传导的必然结果——每一层都在重估,而越往上游,供给越刚性,定价权越强。

三层逻辑,环环相扣:

第一层:800G规模化→1.6T量产→CPO光引擎上量,每一代光模块的InP用量都是前代的数倍;

第二层:台湾全新光电带头涨价→其他衬底厂商跟随→外延片涨价→光芯片成本上升,价格传导畅通无阻;

第三层:供需缺口70%→MOCVD交期18个月→扩产最快2027年底才可见效→价格上行周期,时间站在卖方。

对于A股而言,云南锗业(InP衬底)、源杰科技(InP光芯片)、光迅科技(垂直一体化)是最直接的受益标的。中际旭创和新易盛,则是InP涨价的最终传导终端——它们未必是涨幅最大的,但一定是资金最方便进入的流量入口。

三重镜像,互相印证:

从需求侧看,大模型训练永不眠,对光互连的渴求没有尽头。

从供给侧看,这块晶片的扩产速度,远追不上GPU集群的增长曲线。

从价格侧看,2026年的磷化铟,或许只是这轮涨价长周期的序章。

光子血脉,才刚刚开始。——涨价不会停,直到有人能在两年内复制出足够的InP衬底产能。

—— 本文完 ——

相关学习资料